Таблица 4
Вид входной цепи | Тип транзистора в УСЧ | |
ОККОКК | Полевой транзистовБиполярный транзистор | 10100 |
ДПФДПФ | Полевой транзистовБиполярный транзистор |
В таблице 4
- параметр связи между контурами ДПФ.Таблица 5
Вид усилительного каскада | Тип транзистора | Схема включения транзистора | |
На одном транзисторе | Биполярный | С общим эмиттеромС общей базой | |
На одном транзисторе | Полевой | С общим истокомС общим затвором | |
Каскодная схема | Биполярные | -- | |
Каскодная схема | Полевые | -- |
Или же можно взять 2 каскада на одном транзисторе
40<270Выходная проводимость транзистора:
(37)Тогда коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты равняется:
(38) N=12. Определить число каскадов тракта первой промежуточной частоты.
Число каскадов тракта первой промежуточной частоты N определяется по аналогии с первым пунктом данного раздела: сначала определяется необходимое усиление в этом тракте, а уже затем необходимое число каскадов. Обобщенная формула вычислений:
(39)где
напряжение на входе второго преобразователя частоты, равное 300…400мкВ для биполярных транзисторов (БТ). = (40)Найдём прямую и обратную проводимости транзистора:
коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты равняется:
(43) N=1Необходимо отметить, что чем ниже частота , тем выше коэффициент устойчивого усиления транзисторов.
3. Определить число каскадов тракта второй промежуточной частоты.
Вычисления проводятся по формуле:
(44)где
- напряжение на входе детектора, равное (0.5…1)В для АД, СД, ЧД (с настроенными или расстроенными контурами ) и (30…50)мВ для дробного ЧД; =5…10 – коэффициент запаса.Берем транзистор КТ 342 В
= (45)Найдём прямую и обратную проводимости транзистора:
= = (46)коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты равняется:
(48) N=44.Определить усиление в тракте низкой частоты.
Коэффициент усиления в тракте низкой частоты равняется:
(49)где
=2…5 – коэффициент запаса, =(0,8…0,9) = (50)Определяем напряжение в нагрузке:
= В (51)В тракте низкой частоты для обеспечения необходимого усиления целесообразно использование микросхем, некоторые из которых приведены в Приложении 4.
Параметры и схемы включения микросхем серии К226, предназначенные для усиления низкой частоты.
Таблица 4.
Серии МС | (кГц) | ||||
К 226 УН1А,Б,С | 250…350 | 0, 2…100 | +12,-6 |
Входная емкость микросхемы не 226 превышает 20пФ.
9. Определение числа каскадов приемника, охватываемых АРУ
В ТЗ приведен коэффициент регулирования АРУ, показывающий динамический диапазон изменения входного и выходного сигнала. Для проведения дальнейших расчетов эти динамические диапазоны надо перевести дБ по напряжению и вычислить динамический диапазон АРУ:
(52)Число охватываемых каскадов N равняется:
(53)где
- динамический диапазон регулировки одного каскада (54) - число охватываемых каскадов АРУ10.Составление структурной схемы проектируемого приемника
Обобщенная структурная схема приемника приведена на рис.4
Рис.4
Особенности построения структурной схемы приемника следующие:
в диапазонном приемнике необходимо показать сопряженную перестройку каскадов ВЦ, УСЧ и Г приемника;