Смекни!
smekni.com

Стабилизатор напряжения Описание и (стр. 2 из 3)

Необходимая длительность импульсов уста­навливается следующим образом.

Напряжение обратной связи, снимаемое с вы­хода сглаживающего фильтра через делитель на­пряжения поступает на схему сравнения, где производится сравнение части выходного напря­жения с эталонным напряжением, а также уси­ление сигнала рассогласования. Напряжение рассогласования поступает на вход модулятора длительности импульсов. На вход модулятора поступает также через интегрирующую цепь и резистор К20 пилообразное напряжение, выра­батываемое задающим генератором (несиммет­ричный мультивибратор). Модулятор длительно­сти импульсов представляет собой триггер Шмидта. Если на вход триггера подавать пилообраз­ное напряжение, то при определенном уровне на­пряжения, называемом уровнем срабатывания, произойдет переключение триггера. Триггер бу­дет находиться в этом состоянии до тех пор, по­ка входное напряжение не уменьшится до уров­ня, при котором триггер возвращается в исходное состояние. Длительность выходных импульсов триггера будет определяться временем между переключением триггера. Импульс напряжения с модулятора длительности импульсов через усилитель мощности управляет транзисторным ключом. Схема сравнения, задающий генератор модулятор длительности импульсов питаются параметрическим стабилизатором.

Коммутационный диод предназначен для замыкания тока дросселя L1 в момент, когда транзисторный ключ закрыт.

Защиты от перегрузок и от перенапряжение аналогичны соответствующим защитам в стабилизаторе напряжения СН-11М

Для контроля работы стабилизатора используются светодиод V28 и гнезда XI, Х2.

1.6.4 Обоснование выбора и описание элементной базы проектируемого устройства

Транзисторы.

КТ315Г.

Предназначены для работы в схемах усилителей высокой промежуточной и низкой частоты.

Выпускаются в пластмассовом корпусе. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0,18 г.


Электрические параметры.


Граничное напряжение при Iэ=5 мА не менее
25В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=20 мА 0,4В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=20 мА 1,1.В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В, Iк=1мА 50-350
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Uкб=10В, Iэ=5мА не более: 500нс
Модуль коэффициента и передачи тока при Uкэ=10В, Iк=1мА f=100Мгц не менее: 2.5
Емкость коллекторного перехода при Uкб=10В не более: 7пФ
Входное сопротивление при Uкэ=10В Iк=1мА не менее: 40Ом
Выходная проводимость при Uкэ=10В Iк=1мА не более: 0.3мкСм
Обратный ток коллектора при Uкб=10В не более: 1мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ=10кОм Uкэ=Uкэ макс не более: 1мкА
Обратный ток эмиттера при Uбэ=5В не более: 30мкА

Предельные эксплуатационные параметры

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=10кОм 35
Постоянное напряжение база-эмиттер. 6
Постоянный ток коллектора. 100мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213-298К 150мВт
Температура перехода 393К
Температура окружающей среды. От 213 до 373К

.

КТ361Г

Транзисторы кремневые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные высокочастотные.

Масса транзистора не более 0,3г.

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=10В, Iэ=1мА при Т=298К 50-350
Модуль коэффициента и передачи тока при Uкэ=10В, Iэ=5мА f=100Мгц не менее: 500пс
Емкость коллекторного перехода при Uкб=10В f=10МГц не более: 7пФ
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=10В, Iэ=5мА f=5 МГц не более: 500пс



Обратный ток коллектора при Uкб=10В не более:
1 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ=10кОм Uкэ=Uкэ макс не более: 1 мкА

КТ805АМ

Транзисторы кремневые эпитаксиально-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 24г. В пластмассовом не более 2,5г.

Электрические параметры.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=5 А 2,5в
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=5 А Iб=0,5А 2,5в
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В, Iк=2 А при Т=298К 15
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В, Iк=1 А 60 Мгц
Импульсный обратный ток коллектора при Rбэ=10 Ом при Т=298К и373К не более 60 мА
Обратный ток эмиттера при Uэб=5В не более: 100мА

Предельные эксплуатационные данные

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при 160В
Постоянное напряжение эмиттер база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора при
Постоянный ток базы
Импульсный ток базы 2,5А
Средняя рассеиваемая мощность 30Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус 3,3К\Вт
Температура перехода 423К
Температура окружающей среды. 373К

КТ815В

Транзисторы кремневые меза-эпитаксиально-планарные низкочастотные мощные.

Масса транзистора не более 1г.


Электрические параметры.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=0,5 А Iб=0,05 А 0,6Вт
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=0,5 А Iб=0,05А 1,2В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=2В, Iк=0,15 А при Т=298К 40
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=5В, Iэ=0,03 А не менее 3Мгц
Емкость эмиттерного перехода при Uэб=0,5В не более: 75пФ
Входное сопротивление в режиме малого сигнала при Uкэ=5В Iк=0,15 мА f=800Гц не менее 800Ом

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=10 Ом 70В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 60В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213-373К
Импульсный ток коллектора при
Постоянный ток базы при Тк=233-373К 0,5А

КТ603Б

Транзисторы кремневые эпитаксиально-планарные n-p-n импульсные высокочастотные маломощные.

Предназначены для применения в импульсных и переключательных высокочастотных схемах.

Масса транзистора не более 1,75 г.

Электрические параметры.

Граничная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В Iэ=30 мА не менее 200 Мгц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=150 мА Iб=15 мА 0,8В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=150 мА Iб=15мА
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=2В, при Т=298К при Iэ=150мА 60
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкэ=10В, Iэ=30мА f=5 Мгц не более: 400пс
Емкость коллекторного перехода при Uкэ=10В не более: 15пФ
Обратный ток коллектора при Uкб=10В не более 3мкА
Обратный ток эмиттера при Uбэ=5В не более: 3мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при Rбэ=1 кОм 30В
Напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора 300мА
Постоянная рассеиваемая мощность 0,12В
Температура перехода. 423К
Общее тепловое сопротивление. 200К/Вт
Температура окружающей среды. От 213-398К

Светодиод АЛ307 ГМ

Светоизлучающие диоды с рассеянным излучением. Изготавливаются из эпитаксиальных структур на основе фосфида галлия. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Масса не более 0,35гр.

Электрические и световые параметры.

Сила света 1,5мкд
Прямое постоянное напряжение 2,8В
Цвет свечения Зеленый
Прямой постоянный ток 20мА

Резистор МЛТ-0,125

Резистор непроволочный. Номинальная мощность 0,125Вт при температуре +70. С

Оптопара АОД101А

Оптопара диодная. Излучатель диод арсенид галивый приемник-кремневый фотодиод (излучатель оптопары).

Масса не более 1,1г.


Электрические параметры.

Входное напряжение при Iвх=10мА не более 1,5В
Коэффициент передачи по току при Iвх=10мА не менее 1%
Время нарастания и спада вых импульса при Iвх=20мА не более 100нс
Выходной обратный ламповый ток, не более 2мкА
Сопротивление изоляции не менее 10 Ом
Предельные эксплуатационные данные.λΣ
Входной постоянный ток 20мА
Входной импульсный ток при =100мкс 100мА
Входное обратное напряжение 3,5В
Выходное обратное напряжение 15В
Выходное обратное импульсное напряжение 20В
Напряжение изоляции 100В
Пиковое напряжение изоляции при =10мс 200В

Конденсаторы.

Конденсатор К50-16-50V-2000мF-И

Электрические параметры.