Необходимая длительность импульсов устанавливается следующим образом.
Напряжение обратной связи, снимаемое с выхода сглаживающего фильтра через делитель напряжения поступает на схему сравнения, где производится сравнение части выходного напряжения с эталонным напряжением, а также усиление сигнала рассогласования. Напряжение рассогласования поступает на вход модулятора длительности импульсов. На вход модулятора поступает также через интегрирующую цепь и резистор К20 пилообразное напряжение, вырабатываемое задающим генератором (несимметричный мультивибратор). Модулятор длительности импульсов представляет собой триггер Шмидта. Если на вход триггера подавать пилообразное напряжение, то при определенном уровне напряжения, называемом уровнем срабатывания, произойдет переключение триггера. Триггер будет находиться в этом состоянии до тех пор, пока входное напряжение не уменьшится до уровня, при котором триггер возвращается в исходное состояние. Длительность выходных импульсов триггера будет определяться временем между переключением триггера. Импульс напряжения с модулятора длительности импульсов через усилитель мощности управляет транзисторным ключом. Схема сравнения, задающий генератор модулятор длительности импульсов питаются параметрическим стабилизатором.
Коммутационный диод предназначен для замыкания тока дросселя L1 в момент, когда транзисторный ключ закрыт.
Защиты от перегрузок и от перенапряжение аналогичны соответствующим защитам в стабилизаторе напряжения СН-11М
Для контроля работы стабилизатора используются светодиод V28 и гнезда XI, Х2.
1.6.4 Обоснование выбора и описание элементной базы проектируемого устройства
Транзисторы.
КТ315Г.
Предназначены для работы в схемах усилителей высокой промежуточной и низкой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе. Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Электрические параметры.
| Граничное напряжение при Iэ=5 мА не менее | 25В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=20 мА | 0,4В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=20 мА | 1,1.В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В, Iк=1мА | 50-350 |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Uкб=10В, Iэ=5мА не более: | 500нс |
| Модуль коэффициента и передачи тока при Uкэ=10В, Iк=1мА f=100Мгц не менее: | 2.5 |
| Емкость коллекторного перехода при Uкб=10В не более: | 7пФ |
| Входное сопротивление при Uкэ=10В Iк=1мА не менее: | 40Ом |
| Выходная проводимость при Uкэ=10В Iк=1мА не более: | 0.3мкСм |
| Обратный ток коллектора при Uкб=10В не более: | 1мкА |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ=10кОм Uкэ=Uкэ макс не более: | 1мкА |
| Обратный ток эмиттера при Uбэ=5В не более: | 30мкА |
Предельные эксплуатационные параметры
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=10кОм | 35 |
| Постоянное напряжение база-эмиттер. | 6 |
| Постоянный ток коллектора. | 100мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213-298К | 150мВт |
| Температура перехода | 393К |
| Температура окружающей среды. | От 213 до 373К |
.
КТ361Г
Транзисторы кремневые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные высокочастотные.
Масса транзистора не более 0,3г.
Электрические параметры.
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=10В, Iэ=1мА при Т=298К | 50-350 |
| Модуль коэффициента и передачи тока при Uкэ=10В, Iэ=5мА f=100Мгц не менее: | 500пс |
| Емкость коллекторного перехода при Uкб=10В f=10МГц не более: | 7пФ |
| Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=10В, Iэ=5мА f=5 МГц не более: | 500пс |
| Обратный ток коллектора при Uкб=10В не более: | 1 мкА |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ=10кОм Uкэ=Uкэ макс не более: | 1 мкА |
КТ805АМ
Транзисторы кремневые эпитаксиально-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 24г. В пластмассовом не более 2,5г.
Электрические параметры.
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=5 А | 2,5в |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=5 А Iб=0,5А | 2,5в |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В, Iк=2 А при Т=298К | 15 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В, Iк=1 А | 60 Мгц |
| Импульсный обратный ток коллектора при Rбэ=10 Ом при Т=298К и373К не более | 60 мА |
| Обратный ток эмиттера при Uэб=5В не более: | 100мА |
Предельные эксплуатационные данные
| Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при | 160В |
| Постоянное напряжение эмиттер база | 5В |
| Постоянный ток коллектора | 5А |
| Импульсный ток коллектора при | 8А |
| Постоянный ток базы | 2А |
| Импульсный ток базы | 2,5А |
| Средняя рассеиваемая мощность | 30Вт |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 3,3К\Вт |
| Температура перехода | 423К |
| Температура окружающей среды. | 373К |
КТ815В
Транзисторы кремневые меза-эпитаксиально-планарные низкочастотные мощные.
Масса транзистора не более 1г.
Электрические параметры.
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=0,5 А Iб=0,05 А | 0,6Вт |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=0,5 А Iб=0,05А | 1,2В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=2В, Iк=0,15 А при Т=298К | 40 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=5В, Iэ=0,03 А не менее | 3Мгц |
| Емкость эмиттерного перехода при Uэб=0,5В не более: | 75пФ |
| Входное сопротивление в режиме малого сигнала при Uкэ=5В Iк=0,15 мА f=800Гц не менее | 800Ом |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=10 Ом | 70В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер | 60В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213-373К | 5В |
| Импульсный ток коллектора при | 3А |
| Постоянный ток базы при Тк=233-373К | 0,5А |
КТ603Б
Транзисторы кремневые эпитаксиально-планарные n-p-n импульсные высокочастотные маломощные.
Предназначены для применения в импульсных и переключательных высокочастотных схемах.
Масса транзистора не более 1,75 г.
Электрические параметры.
| Граничная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В Iэ=30 мА не менее | 200 Мгц |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=150 мА Iб=15 мА | 0,8В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=150 мА Iб=15мА | 1В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=2В, при Т=298К при Iэ=150мА | 60 |
| Постоянная времени цепи обратной связи при Uкэ=10В, Iэ=30мА f=5 Мгц не более: | 400пс |
| Емкость коллекторного перехода при Uкэ=10В не более: | 15пФ |
| Обратный ток коллектора при Uкб=10В не более | 3мкА |
| Обратный ток эмиттера при Uбэ=5В не более: | 3мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при Rбэ=1 кОм | 30В |
| Напряжение эмиттер-база | 3В |
| Постоянный ток коллектора | 300мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность | 0,12В |
| Температура перехода. | 423К |
| Общее тепловое сопротивление. | 200К/Вт |
| Температура окружающей среды. | От 213-398К |
Светодиод АЛ307 ГМ
Светоизлучающие диоды с рассеянным излучением. Изготавливаются из эпитаксиальных структур на основе фосфида галлия. Выпускаются в пластмассовом корпусе. Масса не более 0,35гр.
Электрические и световые параметры.
| Сила света | 1,5мкд |
| Прямое постоянное напряжение | 2,8В |
| Цвет свечения | Зеленый |
| Прямой постоянный ток | 20мА |
Резистор МЛТ-0,125
Резистор непроволочный. Номинальная мощность 0,125Вт при температуре +70. С
Оптопара АОД101А
Оптопара диодная. Излучатель диод арсенид галивый приемник-кремневый фотодиод (излучатель оптопары).
Масса не более 1,1г.
Электрические параметры.
| Входное напряжение при Iвх=10мА не более | 1,5В |
| Коэффициент передачи по току при Iвх=10мА не менее | 1% |
| Время нарастания и спада вых импульса при Iвх=20мА не более | 100нс |
| Выходной обратный ламповый ток, не более | 2мкА |
| Сопротивление изоляции не менее | 10 Ом |
| Предельные эксплуатационные данные.λΣ | |
| Входной постоянный ток | 20мА |
| Входной импульсный ток при =100мкс | 100мА |
| Входное обратное напряжение | 3,5В |
| Выходное обратное напряжение | 15В |
| Выходное обратное импульсное напряжение | 20В |
| Напряжение изоляции | 100В |
| Пиковое напряжение изоляции при =10мс | 200В |
Конденсаторы.
Конденсатор К50-16-50V-2000мF-И
Электрические параметры.