Рис.1.6.5. Габаритні розміри електролітичних конденсаторів.
| D | 5 | 6 | 8 | 10 | 13 | 16 | 18 | 22 | 25 |
| P | 2.0 | 2.5 | 3.5 | 5.0 | 5/0 | 7.5 | 7.5 | 10 | 12.5 |
| d | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.6 | 0.6 | 0.8 | 0.8 | 1.0 | 1.0 |
1.6.3 Вибір індуктивностей та трансформаторів
Вибираємо моточні вироби фірми Epcos.
У якості дроселів, для фільтрів по живленню, із таблиці виберемо дроселі типу DB36-10-47, DST4-10-22, FMER-K26-09.
Котушки індуктивності. Технічні параметри. Таблиця 1.6.9
| Тип | Індуктивність мкГн | Q | Тест. частота Гц | Опір Ом | Струм тип. А | Струм нас. А | |
| L | Q | ||||||
| DB36-10-47 | 150±20% | 46 | 100К | 2.520М | 0.02 | 12.80 | 14.20 |
| DST4-10-22 | 47±20% | 42 | 100К | 2.520М | 0.01 | 12.20 | 15.50 |
| FMER-K26-09 | 60±20% | 56 | 100К | 2.520М | 0.12 | 8.2 | 10.4 |
Трансформатори вибираємо типу TS40-15-2, KERBIP-2-K20, TS300-12-K28, TS12-300-K32 діапазон робочих температур -40…+45оС.
1.6.4 Вибір активних елементів
Вибираємо транзистори фірми STMicroelectronics табл.1.6.10.
Технічні параметри транзисторів. Таблиця 1.6.10
| Параметри | К1531 | GT15Q101 | BC556 | IRFP150 | IRFD123 | 2N2907 | К792 |
| Напруга колектор-база (втік-затвор) | 500B | 1200В | 80В | 100В | 80В | -60В | 900В |
| Напруга колектор-емітер (втік-витік) | 500B | 1200В | 65В | 100В | 80В | -40В | 900В |
| Напруга база-емітер (затвор-витік) | ±30B | ±20В | 5В | ±20B | ±20B | -5В | ±20B |
| Струм колектора (втока) | 15A | 15А | 100мА | 43A | 1.1А | -600мА | 3A |
| Імпульсний струм колектора (втока) | 60A | 30А | 200мА | 170A | 4.4А | -1.2А | 5A |
| Струм бази | 2мА | 20мА | |||||
| Розсіювана потужність | 150Bт | 150Вт | 0.5Вт | 193Вт | 1.5Вт | 200мВт | 100Вт |
| Вхідна ємність | 1480пФ | 1800пФ | 10пФ | 1750пФ | 450пФ | 30пФ | 800пФ |
| Вихідна ємність | 400пФ | 3пФ | 420пФ | 200пФ | 8пФ | 250пФ | |
| Допустима температура | 150°C | 150°С | 150°С | 175°С | 150°С | 150°С | 150°С |
Вибираємо діоди фірм Fairchild та International Rectifier.
Технічні параметри діодів. Таблиця 1.6.11
| Параметри | Uзв., В | Імакс., А | Ізв., мА | Fмакс., кГц |
| PSOF107 | 300 | 0.3 | 0.005 | 40 |
| 1N4937 | 600 | 1.5 | 2 | 150 |
| LL4148 | 100 | 0.2 | 0.005 | 300 |
| LL414P | 60 | 0.5 | 0.01 | 300 |
| MUR860 | 600 | 10 | 20 | 200 |
| MUR31 | 800 | 8 | 2 | 10 |
| RUR30100 | 1000 | 30 | 1 | 300 |
Вибираємо мікросхеми фірм Unitrode, National Semiconductor, Intersil, STMicroelectronics.
В якості контролерів живлення оберемо UC3842 фірми Unitrode, SG3525 фірми STMicroelectronics.
В якості мікросхеми стабілізатора напруги оберемо ІМС фірми STMicroelectronics.
Технічні параметри мікросхеми інтегрального стабілізаторів. Таблиця 1.6.13
| Тип | Вхідна напруга, В | Напруга стабілізації, В | Вихідний струм, А | Температура, °С |
| 78M05ST | +30 | +5 | 1.2 | -55…+125 |
1.7. Розрахунок друкованої плати.