Таблица 3.3 – Некоторые датчики давления фирмы MOTOROLA
Device Series | Max Pressure Rating | Over Pressure (kPa) | Offset mV (Typ) | Full Scale (mV/kPa) | Sensitivity (mV/kPa) | Linearity % of FSS (1) (Min) (Max) | |
KPa | |||||||
Некомпенсированные | |||||||
MPX10D | 10 | 75 | 20 | 35 | 3.5 | -1.0 | 1.0 |
MPX50D | 50 | 200 | 20 | 60 | 1.2 | -0.25 | 0.25 |
MPX700D | 700 | 2800 | 20 | 60 | 0.086 | -0.50 | 0.50 |
Компенсированные и калиброванные | |||||||
MPX2010D | 10 | 75 | +-1.0 | 25 | 2.5 | -1.0 | 1.0 |
MPX2700A | 700 | 2800 | +-2.0 | 40 | 0.057 | -1.0 | 1.0 |
MPX2700D | 700 | 2800 | +-1.0 | 40 | 0.057 | -0.5 | 0.5 |
High Impedance (On-Chip) | |||||||
MPX7050D | 50 | 200 | +-1.0 | 40 | 0.8 | -0.25 | 0.25 |
MPX7200A | 200 | 400 | +-2.0 | 40 | 0.2 | -1.0 | 1.0 |
MPX7200D | 200 | 400 | +-1.0 | 40 | 0.2 | -0.25 | 0.25 |
Signal Conditioned (On-Chip) | |||||||
MPX4100A | 105 | 400 | - | 4.59 | 54 | -1.8 | 1.8 |
MPX5700D | 700 | 2800 | - | 4.5 | 6.0 | -2.5 | 2.5 |
MPX5999D | 1000 | 4000 | - | 4.7 | 5.0 | -2.5 | 2.5 |
Compensated and Calibrated (On-Chip) Medical Grade | |||||||
MPX2300DT1 | 40 | - | 0.75 | - | 330 | -2.0 | 2.0 |
5. Температурные датчики. Термисторы.
Одной из наиболее распространенных задач промышленной, бытовой и медицинской автоматики, решаемых путем температурных измерений, является задача выделения заданного значения температуры или диапазона температур, в пределах которого контролируемые физические процессы протекают нормально, с требуемыми параметрами. Это, в первую очередь, относится к приборам и устройствам, работающим при температурах, определяемых условиями жизнедеятельности человека и используемых им при этом приборов машин и механизмов, т.е. –40º +100°С, например, кондиционирование температуры жилых, складских и технологических помещений, контроль нагрева различных двигателей, трансмиссий, тормозных устройств и т.п., системы пожарной сигнализации, контроль температуры в медицине, биотехнологиях и сельском хозяйстве и пр. В качестве чувствительных элементов таких систем в последнее время широко используются полупроводниковые термосопротивления с отрицательным температурным коэффициентом или термисторы (NTC-thermistors). Однако, для решения задачи в целом, т.е. получения электрического сигнала, возникающего при повышении или понижении температуры контролируемого процесса до заданного значения, термистор должен быть снабжен дополнительными электронными схемами, которые и осуществляют решение задачи выделения заданного значения температуры. В Институте проблем управления РАН совместно с фирмой VZ SENSOR Ltd., на основе полупроводниковых структур с L-образной вольтамперной характеристикой были разработаны интеллектуальные (функциональные) термисторы (Z-thermistors), которые способны решать задачу выделения заданного значения температуры без использования дополнительных электронных схем .
Схема включения обычного термистора
Схема включения Z-термистора
Z-термисторы представляют собой полупроводниковую p-n структуру, включаемую в прямом направлении (+ к p-области структуры) в цепь источника постоянного напряжения. Структура обладает функцией перехода из одного устойчивого состояния (с малым током) в другое устойчивое состояние (в 50 - 100 раз большим током) при ее нагреве до заданного значения температуры. Установка требуемого значения температуры срабатывания осуществляется простым изменением напряжения питания. Длительность перехода структуры (Z-термистора) из одного устойчивого состояния в другое 1 - 2 мкс. Схема включения Z-термистора состоит из источника питания U и нагрузочного резистора R, который одновременно служит ограничителем тока Z-термистора при его переходе в состояние с большим током (рис.). Выходной сигнал (бросок напряжения) может быть снят как с нагрузочного резистора R, так и с самого Z-термистора, но с обратным знаком. Как уже было сказано, Z-термистор может быть настроен на любое значение температуры в диапазоне –40 -+100°С путем изменения питающего напряжения U. При этом могут быть изготовлены разные типы Z-термисторов, срабатывающие при одной и той же температуре от разных напряжений питания. Для того, чтобы разделить Z-термисторы по типам, было введено понятие базовой температуры. В качестве базовой было принято значение комнатной температуры (room temperature) +20°С. Принципиально Z-термисторы могут быть изготовлены на любые напряжения срабатывания в пределах от 1 до 100 В при базовой температуре, но для удобства пользователей мы ограничились рядом типовых значений напряжения, чаще всего используемых в электронной технике, а именно: 1,5 В; 3 В; 4,5 В; 9 В; 12 В; 18 В; 24 В (см. таблицу).
Таблица - Технические характеристики Z-термисторов при температуре +20°C и сопротивлении резистора R = 0.25 + 5 кОм
Тип Z-термистора | TZ-1 | TZ-3 | TZ-4 | TZ-12 | TZ-18 | TZ-24 | |
Пороговое напряжение | Uth(B) | <1,5 | 3+-0,5 | 4,5+-1 | 12+-2 | 18+-3 | 24+-3 |
Пороговый ток | Ith(mA) | <0,05 | <0,1 | <0,15 | <0,2 | <0,25 | <0,35 |
Вторичное напряжение | Uf(B) | <0,7 | <1,5 | <2 | <5 | <8 | <10 |
Вторичный ток | If(mA) | >1,5 | >1,7 | >3 | >2,5 | >3 | >3,5 |
Выходной сигнал | UR(B) | >0,5 Uth | " | " | " | " | " |
Рассеиваемая мощность | P(mBт) | <100 | " | " | " | " | " |
Длительность перехода Uth-Uf | t(мкс) | <5 | " | " | " | " | " |
Разрешающая способность | Т(°C) | <0,1 | " | " | <<0,1 | " | " |
Чувствительность участка 1 | S1(мВ/°C) | >10 | " | " | >30 | " | " |
Чувствительность участка 2 | S2(мВ/°C) | >20 | " | " | >60 | " | " |
Чувствительность участка 3 | S3(мВ/°C) | >200 | " | " | >400 | " | " |
Быстродействие | Т(сек) | <1 | " | " | <<1 | " | " |
Диапазон рабочих температур: -20 + 100 °C
Диапазон пороговых напряжений: 60 - 0,5 B
Размеры Z-термисторов: 1 x 1 x 0,3; 2 x 2 x 0,3; 3 x 1,5 x 0,3 mm
Маркировка Z-термисторов: TZ-(1; 3; 4; 12; 18; 24)
Здесь: T - функциональный тип сенсора (Thermistor);
Z - физический принцип действия (Z-эффект);
(1; 3; 4; 12; 18; 24) - пороговое напряжение при 20°C
Z-термисторы могут быть использованы не только как высокоточные, надежные и простые в эксплуатации сигнализаторы заданного значения температуры, но также, как температурные сенсоры для непрерывного измерения температуры, приблизительно в том же диапазоне (-40 - +100°С). Для этого могут быть использованы участки 1,2,3 ВАХ (рис.). При этом, зная нижний и верхний пределы измерений температуры, (например, для медицинского термометра +34° - +43°С), напряжение питания выбирается таким, чтобы значение токов термистора, соответствующие этим пределам измерений, находились на выбранном участке ВАХ. Точностные возможности Z-термисторов при их использовании как в пороговом режиме, так и в режиме непрерывных измерений практически полностью определяются стабильностью питающего напряжения и лежат в пределах 0,1 - 0,01°С. Большой интерес с практической точки зрения представляет собой возможность использования Z-термисторов в частотно-импульсном режиме работы. Для этого параллельно Z-термистору подключают емкость С >> 0,05 - 0,15 мкФ (рис.), что вызывает генерацию пилообразных импульсов большой амплитуды (порядка 0,5 от питающего напряжения), частота следования которых пропорциональна температуре.
Вольтамперная характеристика (ВАХ) Z-термистора
Многолетние исследования не выявили каких-либо проявлений деградации или дрейфа рабочих характеристик Z-термисторов. Более чем двукратный по отношению к рабочему диапазону перегрев Z-термисторов не приводит к их разрушению либо к изменению характеристик, что говорит об их весьма высокой надежности (робастности). Z-термисторы не имеют аналогов в мировой практике и технологией их производства не обладает ни один из западных производителей электронных компонентов.