Как видно из расчётов условие термостабильности выполняется.
3.4 Расчёт входного каскада по постоянному току
3.4.1 Выбор рабочей точки
При расчёте требуемого режима транзистора промежуточных и входного каскадов по постоянному току следует ориентироваться на соотношения, приведённые в пункте 3.3.1 с учётом того, что
заменяется на входное сопротивление последующего каскада. Но, при малосигнальном режиме, за основу можно брать типовой режим транзистора (обычно для маломощных ВЧ и СВЧ транзисторов мА и В). Поэтому координаты рабочей точки выберем следующие мА, В. Мощность, рассеиваемая на коллекторе мВт.3.4.2 Выбор транзистора
Выбор транзистора осуществляется в соответствии с требованиями, приведенными в пункте 3.3.2. Этим требованиям отвечает транзистор КТ371А. Его основные технические характеристики приведены ниже.
Электрические параметры:
граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
ГГц;Постоянная времени цепи обратной связи
нс;Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
;Ёмкость коллекторного перехода при
В пФ;Индуктивность вывода базы
нГн;Индуктивность вывода эмиттера
нГн.Предельные эксплуатационные данные:
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
В;Постоянный ток коллектора
мА;Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Вт;Температура перехода
К.3.4.3 Расчёт эквивалентной схемы транзистора
Эквивалентная схема имеет тот же вид, что и схема представленная на рисунке 3.3. Расчёт её элементов производится по формулам, приведённым в пункте 3.3.3.
нГн; пФ; Ом Ом; А/В; Ом; пФ.3.4.4 Расчёт цепи термостабилизации
Для входного каскада также выбрана эмиттерная термостабилизация, схема которой приведена на рисунке 3.7.
Рисунок 3.7
Метод расчёта схемы идентичен приведённому в пункте 3.3.4.3 с той лишь особенностью что присутствует, как видно из рисунка, сопротивление в цепи коллектора
. Это сопротивление является частью корректирующей цепи и расчёт описан в пункте 3.5.2.Эта схема термостабильна при
В и мА. Напряжение питания рассчитывается по формуле В.Рассчитывая по формулам 3.3.19–3.3.29 получим:
кОм; кОм; кОм; кОм; К; К; А; кОм; ; Ом; мА; мА.Условие термостабильности выполняется.
3.4 Расчёт корректирующих цепей
3.4.1 Выходная корректирующая цепь
Расчёт всех КЦ производится в соответствии с методикой описанной в [4]. Схема выходной корректирующей цепи представлена на рисунке 3.8. Найдём
– выходное сопротивление транзистора нормированное относительно и . (3.5.1) .Рисунок 3.8
Теперь по таблице приведённой в [4] найдём ближайшее к рассчитанному значение
и выберем соответствующие ему нормированные величины элементов КЦ и , а также –коэффициент, определяющий величину ощущаемого сопротивления нагрузки и модуль коэффициента отражения .Найдём истинные значения элементов по формулам:
; (3.5.2) ; (3.5.3) . (3.5.4) нГн; пФ; Ом.Рассчитаем частотные искажения в области ВЧ, вносимые выходной цепью:
, (3.5.5) ,или
дБ.3.5.2 Расчёт межкаскадной КЦ
Схема МКЦ представлена на рисунке 3.9. Это корректирующая цепь четвёртого порядка, нормированные значения её элементов выбираются из таблицы, которую можно найти в [4], исходя из требуемой формы и неравномерности АЧХ. Нужно учесть, что элементы, приведённые в таблице, формируют АЧХ в диапазоне частот от 0 до
, а в данной работе каждая КЦ должна давать подъём 3дБ на октаву. Следовательно, чтобы обеспечить такой подъём нужно выбирать элементы, которые дают подъём 6дБ в диапазоне от 0 до .Рисунок 3.9
Нормированные значения элементов КЦ, приведённые ниже, выбраны для случая, когда неравномерность АЧХ цепи не превышает ±0.5дБ.
Эти значения рассчитаны для случая, когда ёмкость слева от КЦ равна 0, а справа – ¥. Произведём пересчёт значений по приведённым ниже формулам [4] с учётом того, что ёмкость слева равна выходной ёмкости транзистора VT1.