Элементная база радиоэлектронной аппаратуры (стр. 2 из 2)

I₂ = 0,50 мкА, U₂ = 40 В, R₂ = U₂ / I₂ = 40 / 0,50 мкА = 80 МОм

I₃ = 1,00 мкА, U₃ = 42 В, R₃ = U₃ / I₃ = 42 / 1,00 мкА = 42 МОм

I₄ = 2,00 мкА, U₄ = 44 В, R₄ = U₄ / I₄ = 44 / 2,00 мкА = 22 МОм

I₅ = 3,00 мкА, U₅ = 46 В, R₅ = U₅ / I₅ = 46 / 3,00 мкА = 15,3 МОм

I₆ = 4,00 мкА, U₆ = 48 В, R₆ = U₆ / I₆ = 48 / 4,00 мкА = 12 МОм

I₇ = 5,00 мкА, U₇ = 50 В, R₇ = U₇ / I₇ = 50 / 5,00 мкА = 10 МОм

ΔI₁ = 0,25 мкА, ΔU₁ = 3 В, r₁ = ΔU₁ / ΔI₁ = 3 / 0,25 мкА = 12 МОм

ΔI₂ = 0,50 мкА, ΔU₂ = 2 В, r₂ = ΔU₂ / ΔI₂ = 2 / 0,50 мкА = 4 МОм

ΔI₃ = 1,00 мкА, ΔU₃ = 2 В, r₃ = ΔU₃ / ΔI₃ = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

ΔI₄ = 1,00 мкА, ΔU₄ = 2 В, r₄ = ΔU₄ / ΔI₄ = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

ΔI₅ = 1,00 мкА, ΔU₅ = 2 В, r₅ = ΔU₅ / ΔI₅ = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

ΔI₆ = 1,00 мкА, ΔU₆ = 2 В, r₆ = ΔU₆ / ΔI₆ = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

Зависимость сопротивления постоянному току R₌от обратного напряжения U_обр:

R=,МОм
160
140
120
100
80
60
40
20
0	5	10	15	20	25	30	35	40U1	45	50U7	Uоб,В

Зависимость сопротивления переменному току r_~от обратного напряжения U_обр:

r~,МОм
12
10
8
6
4
2
0	5	10	15	20	25	30	35	40U1	45	50U7	Uоб,В

2) График зависимости ёмкость С_оброт обратного напряжения:

Сд,пФ
4
3
2
1
0	20	40	60	80	UобрВ

Определение величин температурных коэффициентов.

Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКU_при ТКI_обр.

Iпр,мА
200
160
120
80
40
0	0,2	0,4	0,6	0,8	1,0	1,2U1	1,4	1,6U2	Uпр,В

I = 200 мА, U₁= 1,5 B, U₂= 1,1 B, T₁= 298 K, T₂= 213 K

Iобр,мкА
150I2
125
100
75
50
25I1
0	10	20	30	40	50U	60	UобрВ

U = 50 B, I₁= 5 мкА, I₂= 150 мкА, Т₁= 298 К, Т₂= 398 К

Определение сопротивления базы.

Величина сопротивления базы r_боценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):

Iпр,мА
500I2
400
300
200I1
100
0	0,2	0,4	0,6	0,8	1,0	1,2	Uпр,В

Тепловой потенциал:

По вольтамперной характеристике определяем:

U₁ = 1,1 В, U₂ = 1,2 В,

I₁ = 200 мА, I₂ = 500 мА

Малосигнальная высокочастотная схема диода

и величины её элементов.

Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении:

Величины элементов схемы при U_обр = 5 В :

Библиографический список.

1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

3) Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г..

4) “ Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов” методические указания к лабораторной работе по курсу “ Электронные приборы”; Свердловск, 1989г..