Разработка газоразрядного экрана (стр. 6 из 7)
2.13. Конструкция платы гибкой должна обеспечивать просмотр маркировки кристалла.
2.14. В топологии для платы гибкой и фотошаблона вводить реперный знак (крест) для совмещения слоев размером 200-500 мкм
Реперный знак располагать в центре платы гибкой.
Реперный знак должен быть :
В слое № 1 - в виде отверстия в металлизации,
В слое № 2 - в виде фигуры полиимида.
Реперный знак слоя №1 должен вписаться в реперный знак слоя №2 с зазором 10 мкм.
В случае невозможности расположения в центре, реперный знак располагать на выпадающих элементах.
Реперный знак не должен обрабатываться припусками и усадками.
2.15. На границе металлизированных элементов и в отверстиях необходимо обеспечить перекрытие металла полиимидом на 50 мкм по ширине.
2.16. Минимальная величина зазора между металлизированными элементами 40 мкм (в готовом виде).
2.17. Величина зазора между металлизированными элементами в зоне монтажа должна быть одинаковой по всей их длине (по возможности).
2.18. Для выполнения необходимой разводки допускается использовать внутреннюю зону платы гибкой (внутри опорной рамки), выполняя при этом рекомендации примечания 3 п 2.8.
2.19. При необходимости допускается зоне присоединения к кристаллу вывод закольцовывать.
2.20. Минимальный размер проводников, в том числе и лежащих на защитной полиимидной рамке, должен быть не менее номинального размера вывода по таблице 4.
2.21. При необходимости допускается выполнять расположение выводов и контактных площадок в зоне контактирования в шахматном порядке.
2.22. При длине проводника, свободного от полиимида, между защитной полиимидной рамкой и зоной контактирования более 1000мкм необходимо вводить полиимидные рамки.
Ближняя к зоне присоединения к плате полиимидная рамка (в зоне формовки) должна быть разрезана по углам (в случае четырехстороннего расположения выводов). При этом ширина полиимидных перемычек в зоне формовки должна быть не более 200 мкм, а расстояние между перемычкой и защитной полиимидной рамкой (при ее наличии), расположенной между защитной перемычкой в зоне формовки, должно быть не менее 300 мкм.
2.23. В технически обоснованных случаях размеры, указанные в разделах 2,3 и вводимые в формат, могут уточняться при обязательном согласовании с технологом.
2.24. Контролируемыми размерами на плате гибкой являются :
ширина вывода в зоне присоединения к кристаллу,
ширина вывода в зоне присоединения к плате.
2.25. В технически обоснованных случаях указывать размеры между крайними выводами в зоне присоединения к кристаллу в каждом ряду, между внутренними противоположными сторонами защитной полиимидной рамки по двум направлениям, между внутренними сторонами реперных элементов с допуском ± 50 мкм., указывающих линию присоединения золотых объемных выводов (ЗОВ).
2.26. В чертеже на плату гибкую указывать размеры, обеспечивающиеся инструментом :
межосевое расстояние базовых отверстий с допуском,
расстояние между внешними сторонами реперных элементов с допуском,
расстояние от базовых отверстий до внешней стороны реперного элемента с допуском,
ширину полиимидных рамок и перемычек и расстояния между ними.
3. МИНИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ РАЗМЕРЫ ЭЛЕМЕНТОВ ТОПОЛОГИИ
3.1. Зона монтажа.
3.1.1. Зона присоединения к кристаллу.
3.1.1.1. Ширина выводов в зоне присоединения к кристаллу должна соответствовать размеру КП кристалл -10мкм, допустимые отклонения по табл.4, графа 3, а допустимые размеры фотошаблонов при их изготовлении должны соответствовать данным, указанным в таблице 5.
3.1.1.2. Ширина опорной полиимидной рамки должна быть не менее 300 мкм.
3.1.1.3. Ширина защитной полиимидной рамки должна быть 300-500 мкм.
3.1.1.4. Величина заходов выводов на опорную полиимидную рамку должна быть не менее 150 мкм.
3.1.1.5. Величина захода полиимидной защитной рамки на пассивацию кристалла должна быть не менее 10 мкм.(в готовом виде).
3.1.1.6. Расстояние между внутренними противоположными сторонами защитной полиимидной рамки должно соответствовать указанному в таблице 3.
3.1.1.7. Расстояние между КП кристалла и полиимидной опорной рамкой должно быть 50-200 мкм (в готовом виде)
3.1.1.8. В технически обоснованных случаях, допускается использование выводов в консольном варианте, при этом выводы должны выходить за пределы контактных площадок на 10-20 мкм.
3.1.2. Зона присоединения к плате.
3.1.2.1. Ширина выводов в зоне присоединения к плате, допустимые отклонения должны соответствовать таблице 5, а допустимые размеры фотошаблонов должны соответствовать данным, указанным в табл. 6.
3.1.2.2. Длина выводов в зоне присоединения на плату должна быть 500-1000 мкм, в зависимости от конкретной конструкции платы гибкой по согласованию с технологом.
3.1.2.3. Ширина реперного элемента £ 100мкм, длина реперного элемента 100-200 мкм.
Таблица 4
| Размер КП на кристалле (мкм) | Зазор между КП(мкм) | Ширина вывода в КДна ПН (мкм) |
| 100 | ³ 60 | 100-40 |
| 120 | ³ 60 | 110-40 |
| 130 | ³ 70 | 120-50 |
| 140 | ³ 70 | 130-50 |
| 150 | ³ 70 | 130-50 |
Таблица 5
| Шаг выводов (мкм) | Ширина вывода в КД на ПН (мкм) |
| 0,50,625 | +50250-10 |
| 0,625 | +20300-40 |
Таблица 6
| Ширина вывода вКД на | Ширина вывода в для ГИ припуск | информации (мкм) | Ширина вывода лон и припуск | на фотошаб- (мкм) |
| ПН (мкм) | Рулоннаятехнология | Кассетная технология | Рулоннаятехнология | Кассетная технология |
| +50250-10 | 300(25 на сторону) | 320(35 на сторону) | 300 ± 5 | 320 ± 5 |
| +20300-40 | 320(10 на сторону) | 340(20 на сторону) | 320 ± 5 | 340 ± 5 |
3.3. Конструкция для крепления кристалла при ультразвуковой сварке.
При сборке микросхем с применением полиимидного носителя с облуженными Al выводами, после технологических процессов, таких как, ломка пластин на кристаллы, укладка кристаллов в тару и контроль внешнего вида, возникает необходимость присоединить полиимидные выводы (паучок) непосредственно к самому кристаллу.
Разработанный механизм перемещения позволяет зафиксировать сам кристалл на фиксаторе, сначала с помощью откачки воздуха из- под кристалла, а затем уже "губками", которые окончательно закрепляют кристалл с четырех сторон и не позволяют ему смещаться при механических нагрузках во время УЗС.
Предусмотрено перемещение закрепленного кристалла для проведения ультразвуковой сварки по трем координатам : x, y, z и по углу наклона.
Чертежи прилагаются.
ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКАЯ ЧАСТЬ
Глава 4.
4.1. Анализ научно-технической информации по сварным узлам лепестковых выводов бескорпусных БИС.
Анализ научно-технической информации показал, что ведущие зарубежные фирмы считают наиболее перспективные для сборки многовыводных СБИС и активно внедряют метод автоматической сборки на ленточном носителе (АСЛН). Существует два основных варианта этого метода:
1- с использованием группового присоединения золотых контактных столбиков на контактных площадках кристаллов к медным многовыводным рамкам на гибком ленточном носителе;
2- с использованием присоединения алюминиевых контактных площадок к алюминиевым многовыводным рамкам на ленточном носителе сваркой.
Зарубежные фирмы, главным образом Японские , используют в основном 1-ый вариант. Фирма National (США) применяет метод АСЛП на основе однослойной медной ленты с контактными выступами.
Непрерывное совершенствование процессов присоединения лепестковых выводов к контактным площадкам кристаллов позволяет создавать схемы с количеством выводов до 500 и более. При этом лепестки монтируются на кристалл с шагом 0.2 мм и менее при ширине лепестка 65-100 мкм. Основной метод присоединения - групповая пайка медных луженых выводов к золотым выступам на кристалле импульсно нагретым инструментом. в меньшей степени используется термокомпрессионная сварка двухслойных золоченых выводов к золотым выступом на кристалле . только в отдельных случаях используются алюминиевые лепестки, привариваемые к алюминиевым контактным площадкам на кристалле.
Реализация бескорпусных ИС на базе использования гибкого носителя системы выводов типа алюминий-полиимид и медь-диэлектрическая пленка позволяет повысить надежность соединений и устойчивость конструкции в целом к воздействию специальных факторов. анализ надежности бескорпусных БИС на гибком носителе проводился в ряде работ, в том числе и исследования напряженного состояния сварных соединений м сборочных узлов при их монтаже в устройства РЭА.
С целью повышения надежности при монтаже кристаллов со столбиковыми выводами на подложки используют различные конструктивные решения с целью компенсации разницы в коэффициентах термического расширения.
Например, при монтаже кристаллов с матричным расположением выводов используют составные столбики припоя, сформированные на полиимидных пленках.
Повышение качества и надежности соединений лепестковых выводов во многом определяется правильным методом и параметров монтажа соединений. Так, например, при групповом монтаже лепестковых выводов постоянно или импульсно нагреваемым инструментом на столбиковые выводы кристаллов ИС требуется обязательное программирование усилие сжатия при сварке или пайке. это особенно важно, если ведется сварка, например Au-Au, или сварка-пайка с малыми толщинами припоя на рамках выводов. Оптимальная прочность соединений обеспечивается при определенных сочетаниях температуры нагрева инструмента и усилия. См рис 6.
