Атомно-силовая микроскопия позволяет обрабатывать образцы в атмосфере, однако, главным её недостатком является отсутствие одновременной информации о всей поверхности, — в каждый момент времени мы имеем информацию только от участка непосредственно регистрируюемого зондом. Это не позволяет использовать in-situ методику. Атомно-силовая микроскопия позволяет получать информацию о поверхностном заряде, о поверхностной емкости, о поверхностной проводимости, о магнитных свойствах. Позволяет измерять эти параметры даже сквозь плёнку жидкости[1,2,4].
4.3 Режимы сканирования
Существуют контактный, безконтактный и полуконтактный или резонансный режимы сканирования поверхности.
Контактный метод заключается в том, что кантилевер непосредственно касается поверхности и повторяет её форму по мере прохождения поверхности[2].
Бесконтактный и полуконтактный режим характеризуются дополнительным условием сканирования, которое позволяет осуществить более щадящее и более тонкое сканирование поверхности. Кантилевер жестко связывается с отдельным пъезоэлементом и колеблется со своей резонансной частотой. При взаимодействии с поверхностью сбивается фаза, и специальный синхронный детектор старается выровнять частоту с помощью сигнала обратной связи. Таким образом, теперь детектируется кроме отклонения амплитудного также отклонение фазовое. В этом режиме кантилевер как бы постукивает по поверхности.
Основные моды работы:
1.Контактная мода.
Топография. F=const.
Измерение сил. Z=const.
Измерение сил трения.
Измерение локальной жесткости (модуляционная методика).
Измерение сопротивления растекания.
Резонансная мода.
Топография.
Фазовый контраст.
Магнито-силовая микроскопия.
Электристатическо-силовая микроскопия.
2.Бесконтактная мода.
Литография.
Механическая.
Электрическая.
Достижения в мире АСМ
5. Применение АСМ
Специалисты из Massachusetts Institute of Technology и Stanford University предложили терабитную плотность записи для ЗУ с помощью АСМ технологии при комнатной температуре и на воздухе (локальное окисление на поверхности титана). Специалисты лаборатории Lindsay Florida Institute of Technology активно исследуют ДНК и РНК с помощью метода АСМ. Специалисты Institute of Applied Physics and Microstructure Research Center, University of Hamburg исследуют плёнки фуллеренов С60 на различных поверхностях.
В Laboratory of Applied Physics, Linkoping University (Швеция) изучается взаимодействие в полиэлектролитах.
Таким образом, очень разнообразная тематика может быть затронута в исследованиях с помощью метода сканирующей силовой микроскопии.
Одной из наиболее распространенных разновидностей «сканирующей зондовой микроскопии», является атомно-силовая микроскопия (Рис. 1). Первый микроскоп такого типа был сконструирован Г. Биннигом, Х. Гербером и С. Квайтом в 1986 году, после того как годом ранее Г. Бинниг показ принципиальную возможность неразрушающего контакта зонда с поверхностью образца[2].
Действительно, если подвести зонд к образцу на расстояние в несколько ангстрем, то между атомами, образующими острие, и атомами, расположенными на поверхности образца, начнет действовать Ван-дер-Ваальсова сила притяжения. Под действием этой силы зонд будет приближаться к образцу до тех пор, пока не начнется электростатическое отталкивание одноименно (отрицательно) заряженных электронных оболочек атомов зонда и поверхности (в химии обычно используют специальную форму кривой, описывающего такие взаимодействия – так называемый «потенциал 6-12»).
В первых атомно-силовых микроскопах зонд (иголку кристаллического сапфира) закрепляли на тонкой платиновой фольге, за перемещением которой следили по изменению туннельного тока, по аналогии со сканирующей туннельной микроскопией. В настоящее время зонд закрепляют на гибкой балке, называемой «кантилевером» или консолью. При подводе зонда к образцу на расстояние в несколько ангстрем и возникновении отталкивающего взаимодействия «кантилевер» изгибается до тех пор, пока давление со стороны зонда (определяемое силой упругости консоли) не окажется больше предела упругой деформации материала образца или зонда. Таким образом, основным свойством «кантилевера» является его жесткость, а подбор материала и геометрических характеристик «кантилевера» позволяет использовать метод АСМ для самых различных приложений[1,2].
Перемещаясь в плоскости образца над поверхностью, «кантилевер» изгибается, отслеживая ее рельеф. Однако при сканировании образца в контактном режиме поверхность образца частично повреждается, а разрешение метода оказывается достаточно низким. Разработка методов полуконтактного и бесконтактного сканирования, когда, зонд входит в контакт с поверхностью только в нижней точке траектории собственных резонансных колебаний или не входит в контакт вообще, позволили увеличить разрешение АСМ, значительно снизив давление на образец со стороны зонда. Для регистрации отклонения «кантилевера» предложены различные системы, основанные на использовании емкостных датчиков, интерферометров, систем отклонения светового луча или пьезоэлектрических датчиков. В современных приборах угол изгиба «кантилевера» регистрируется с помощью лазера, луч которого отражается от внешней стороны консоли и падает на фотодиодный секторный датчик (Рис. 1). Система обратной связи отслеживает изменение сигнала на фотодетекторе и управляет «системой нанопозицонирования». Использование «пьезодвигателей» и атомно-острых зондов позволяет добиться атомного разрешения АСМ в высоком вакууме (рис. 2).
Помимо непосредственного исследования структуры поверхности методом контактной АСМ, можно регистрировать силы трения и адгезионные силы. В настоящее время разработаны многопроходные методики, при которых регистрируется не только топография, но и электростатическое или магнитное взаимодействие зонда с образцом. С помощью этих методик удается определять магнитную и электронную структуру поверхности, строить распределения поверхностного потенциала и электрической емкости, и т.д. (рис. 2). Для этого используют специальные «кантилеверы» с магнитными или проводящими покрытиями. АСМ также применяются для модификации поверхности. Используя жесткие зонды, можно делать гравировку и проводить «наночеканку» – выдавливать на поверхности крошечные рисунки. Применение жидкостной атомно-силовой микроскопии позволяет локально проводить электрохимические реакции, прикладывая потенциал между зондом и проводящей поверхностью (рис. 2), а также открывает возможность применения АСМ для исследования биологических объектов (рис. 3). АСМ уже стал одним из основных «наноинструментов» нанотехнологов, быть может, следующий шаг за покорением «бионанотехнологий»?
6. Перспективы
Как уже было сказано, метод Атомно-силовой микроскопии может быть использован для производства ЗУ с терабитной плотностью записи. Так специалисты IBM разработали специальную матрицу кантилеверов 32х32 штуки, что позволяет одновременно проводить литографию тысячей кантилеверов. Метод позволяет узнать качественно новую информацию не только о поверхности но и о приповерхностных слоях, — это приведет к развитию диагностики в различных направлениях, — магнитная диагностика АСМ , электростатическая, электропроводная и т. п.
Пленка ориентированного полиэтилентерефталата (ПЭТФ) размещалась в специальном зажиме, на который сверху устанавливалась АСМ. Проводилось сканирование участка поверхности вблизи заметного в оптический микроскоп дефекта, затем образец деформировался. Специальная система винтов позволяла корректировать положение АСМ так, чтобы после деформации можно было вновь исследовать его.
Современная атомно-силовая микроскопия активно используется во всем мире для исследования как полупроводников, так и любых других материалов. Очень широкое развитие она получила по исследованию вирусов, клеток, генов в биологии, — там с ней связывают большие надежды. Интересным является возможность использовать АСМ для литографии, — как механического царапания поверхности шипом, так и окисления поверхности под шипом при подаче на иглу потенциала. Это открывает большие возможности по использованию самого метода СЗМ для нужд нанолитогафии[2].
Литература
1. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. 2004. Мир.
2. Рашкович Л.Н. Атомно-силовая микроскопия процессов кристаллизации в растворе // Соросовский образовательный журнал, 2001, №10, с. 102-108.
3. Р. Хейденрайх Основы просвечивающей электронной микроскопии, Москва, Мир, 1966, с.472.
4. Takashi Nishino, Akiko Nozawa, Masara Kotera, and Katsuhiko Nakamae In situ observation of surface deformation of polimer films by atomic force mikroskopy // Rev. Sci. Instrum 71, 5, 2094-2094(2000).
5. Хирш П., Хови. И др. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968.