Положив МRПР = 0, тогда:
Допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности сопротивления по следующей формуле:
Подставим вычисленные выше значения в данную формулу, получим:
Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности коэффициента формы, по следующей формуле:
Подставим значения и получим:
Определим расчетное значение коэффициента форм резистора:
Определим ширину резистивной пленки:
Определим сопротивление контактного перехода резистора:
Проверим следующее условие:
Определим среднее значение коэффициента формы:
Определим среднее значение МRПР и половину поля рассеяния dRПР относительной производственной погрешности:
Определим граничные условия поля рассеяния относительной погрешности сопротивления резистора:
Определим площадь занимаемую резистором:
Определим коэффициент нагрузки резистора:
Результаты расчета занесем в таблицу №2:
Таблица №2
резисторы | B, мм | В1, мм | В2,мм | S, мм2 | P, мВт | КН | |
№ | R,Ом | ||||||
R8 | 200 | 5,053 | 1 | 4,953 | 25,53 | 125 | 0,2448 |
Конденсаторы являются широко распространенными элементами гибридных микросхем. Пленочный конденсатор представляет собой последовательно нанесенные на подложку и друг на друга пленки проводника и диэлектрика. Такая конструкция пленочных конденсаторов делает их более сложными элементами микросборок по сравнению с резисторами.
Применение многослойных конденсаторов с большим числом обкладок приводит к усложнению технологии, снижению надежности, электрической прочности конденсаторов и повышение их стоимости. Поэтому в пленочных микросборках в основном применяются лишь трехслойные конденсаторы. Все характеристики пленочных конденсаторов зависят от выбранных материалов. Диэлектрическая пленка должна иметь высокую адгезию к подложке и металлическим обкладкам, обладать высокой электрической прочностью и малыми диэлектрическими потерями и многими другими требованиями и характеристиками.
Под наши номиналы конденсаторов более подходит стекло электровакуумное С41-1 (НПО.027.600) с удельной емкостью 150…400 пФ/мм2, диэлектрической проницаемостью e0 = 5,2, tgdд=(0,2…0,3)·102, электрической прочностью ЕПР = 300…400 В/мкм, ТКЕ 104 Мaeд = 1,7, daeд = 0,2, коэффициентом старения 10-5 Мкeд = 2, dкeд = 1. Также имеем технологические ограничения на размеры обкладок: Dl = Db = 0,01мм. – максимальное отклонение размеров обкладок, Мсо = 5% – среднее значение производственной относительной погрешности удельной емкости, dсо = 1% – половина поля рассеивания производственной относительной погрешности удельной емкости.
Вычислим среднее значение относительной погрешности удельной емкости, Вызванной изменением температуры, Мcotb при верхней и Мcotn при нижней предельной температуре:
Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.17; 2.18 [5]):
Половины полей рассеяния относительной погрешности предельной емкости, вызванной изменением температуры:
Половины полей рассеяния относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.20; 2.21 [5]):
Среднее значение относительной погрешности удельной емкости, вызванной старением диэлектрической пленки:
Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной старением диэлектрической пленки (2.23; 2.24 [5]):
Половина поля рассеяния относительной погрешности удельной емкости, вызванной старением диэлектрической пленки:
Половина полей рассеяния относительной погрешности емкости, вызванной старением диэлектрической пленки (2.26; 2.27 [5]):
Найдем сумму средних значений относительных погрешностей:
Введем коэффициент запаса на уход емкости под действием не учетных факторов:
Определим допустимое значение половины поля рассеяния, производственной относительной погрешности активной площади: