Расчет схемной модели кремниевого дрейфового транзистора (стр. 1 из 2)

Министерство образования и науки Украины

Харьковский национальный технический университет радиоэлектроники

Кафедра МЭПУ

Курсовая работа

Пояснительная записка

ПО КУРСУ “ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА”

ТЕМА: «РАСЧЕТ СХЕМНОЙ МОДЕЛИ КРЕМНИЕВОГО ДРЕЙФОВОГО ТРАНЗИСТОРА»

Выполнил:

Проверила:

Харьков 2002

РЕФЕРАТ

Пояснительная записка к курсовой работе содержит 16 с., 4 рис.

В данной курсовой работе требуется рассчитать элементы П-образной эквивалентной схемы транзистора на низких и высоких частотах для включения с общим эмиттером. Для того чтобы осуществить расчеты и исследовать зависимости, следует воспользоваться программой MathCAD 2000.

Необходимо представить структуру транзистора для лучшего понимания принципа действия и технологического процесса изготовления.

Перечень ключевых слов:

ЭМИТТЕР, БАЗА, КОЛЛЕКТОР, ДРЕЙФОВЫЙ ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕ БАЗЫ, Y–ПАРАМЕТРЫ, ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА, ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДРЕЙФОВОГО ТРАНЗИСТОРА.

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

1. Анализ технического задания

2. Расчетная часть

2.1. Расчет дрейфового поля транзистора

2.2. Расчет

2.3. Расчет сопротивлений транзистора

2.4. Расчет зарядных емкостей транзистора

2.5. Расчет максимальной частоты

2.6. Расчет Y-параметров для схемы с ОЭ

3. Эквивалентные П-образные схемы

3.1. Эквивалентная П-образная схема на НЧ для включения с ОЭ

3.2. Эквивалентная П-образная схема на ВЧ для включения с ОЭ

4. Зависимость максимальной частоты от напряжения коллектор-эмиттер

5. Конструкторско-технологическая часть

5.1. Структура транзистора

5.2. Описание технологии получения дрейфового транзистора

Заключение

Перечень ссылок

ВВЕДЕНИЕ

Инженер по эксплуатации радиоэлектронных систем должен знать принципы их работы, применения и повседневного обслуживания. Успешное выполнение этих задач невозможно без знания элементной базы этих систем и, в первую очередь, наиболее сложной и ответственной части элементной базы - транзисторов и интегральных микросхем.

Широкое применение получили дрейфовые транзисторы, основной особенностью которых является неравномерное распределение примесей в базе. Такое распределение примесей в базовом слое транзистора приводит к образованию электрического поля, увеличивающего скорость движения носителей. При этом перенос носителей осуществляется не только за счет диффузии, но также и за счет дрейфа носителей в электрическом поле.

Дрейфовые транзисторы имеют более высокие предельные частоты, в них легче получить одновременно малые высокочастотные сопротивления базы, малые ёмкости коллекторного перехода и высокие пробивные напряжения коллектора. При изготовлении дрейфовых транзисторов для образования p-n переходов используется технология диффузии примесей. Поэтому дрейфовые транзисторы часто называют диффузионными (по методу образования p-n переходов).

Дрейфовые транзисторы были предложены в 1953 году, а особенно широко применяются с 1956 года. В настоящее время разработан ряд технологических методов их изготовления, и эти транзисторы выпускаются с хорошими частотными свойствами и значительными рассеваемыми мощностями.

Предельные частоты высокочастотных дрейфовых транзисторов примерно в 10 раз превосходят предельные частоты транзисторов с однородным распределением примесей в базовой области. Кроме того, рассеиваемая мощность высокочастотных дрейфовых транзисторов при больших предельных частотах может во много раз превосходить мощность бездрейфовых транзисторов.

Физические процессы в дрейфовом транзисторе значительно отличаются от процессов в обычном (бездрейфовом) плоскостном транзисторе.

1 АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ

Транзистор является активным полупроводниковым прибором, имеющим три и более вывода, в котором осуществляется управление проходящим через него током.

Транзисторы в зависимости от механизма прохождения носителями заряда управляющей области (базы) разделяются на дрейфовые и бездрейфовые. В бездрейфовых транзисторах неосновные носители заряда проходят область базы в результате диффузии. В чистом виде движение за счет диффузии существует только при низком уровне инжекции, так как при высоком уровне инжекции в области базы возникает электрическое поле, и, следовательно, наблюдается дрейф носителей. Поэтому под бездрейфовыми транзисторами понимают такие, у которых нет электрического поля в области базы при отсутствии инжектированных носителей. В дрейфовых транзисторах в базе существует внутреннее электрическое поле, и неосновные носители движутся под влиянием диффузии и этого поля. Внутреннее поле в дрейфовых транзисторах возникает в результате определенного распределения примесей в базе. Распределение примесей в базе бездрейфовых транзисторов принимается равномерным.

2 Расчетная часть

2.1 Расчет дрейфового поля транзистора

a=17,499 . 10³ см^-1

E_b=452 В/см

2.2 Расчет a

см²/сек

2.3 Расчет сопротивлений транзистора

Зарядная емкость эмиттера

см^-3

см-3

Зарядная емкость коллектора

см²

2.5 Расчет максимальной частоты

Граничная частота коэффициента передачи по току, определяемая механизмом переноса через базу

Гц

Максимальная частота генерации

Гц

2.6 Расчет Y-параметров для схемы с ОЭ

3 Эквивалентные схемы

3.1 Эквивалентная П-образная схема на низких частотах для включения с общим эмиттером

3.2 Эквивалентная П-образная схема на высоких частотах для включения с общим эмиттером

Y_бэ=(Y₁₁+Y₁₂)

Y_кэ=(Y₂₂+Y₁₂)

Y_бк=Y₁₂

S=(Y₂₁-Y₁₂) - крутизна

4 Зависимость максимальной частоты от напряжения коллектор-эмиттер

Для исследования зависимости была использована программа Mathcad 2000. В основу была положена программа расчета параметров исследуемого транзистора.

Далее приведены формулы параметры которых влияют на изменение максимальной частоты при изменении напряжения на коллекторе: