Дослідження процесу напилення металевого контакту методом магнетроного розпилення (стр. 1 из 8)

Курсова робота

Дослідженняпроцесунапиленняметалевогоконтактуметодом магнетроного розпилення

Реферат

Пояснювальна записка до дипломного проекту містить сторінок ,9 таблиць, 6 рисунків, 2 додатки, 12 джерел.

Об’єкт проектування – діод ДЛ553-2000.

Метод проектування – технологічно-розрахунковий.

Дипломний проект складається з чотирьох розділів.

У загальному розділі описані загальні відомості про прилад ДЛ 553-2000, літературний огляд з теми дипломного проекту та призначення операції напилення при використанні в напівпровідниковому виробництві.

Технологічний розділ містить розрахунок параметрів напівпровідникової структури, визначення послідовності операцій, розробку комплекту технологічної документації з використанням ЕОМ, методику та результати експерименту, характеристики обладнання, що використовується на дільниці, вимоги вакуумної гігієни на дільниці напилення.

У розділі організації та економіки виробництва проведено розрахунок трудомісткості виготовлення приладу на операції напилення, кількості робочих місць, чисельності робітників дільниці, річного фонду оплати праці, в останньому підрозділі наведено техніко-економічні показники дільниці.

Розділ четвертий-це розробка питань з охорони праці, техніки безпеки, безпеки життєдіяльності, протипожежних заходів та вирішення питань екології на дільниці напилення.7

ДІОД, ОМІЧНИЙ КОНТАКТ, НАПИЛЕННЯ, ВАКУУМ, МАТЕРІАЛИ, УСТАТКУВАННЯ, ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ПРОЦЕС

Зміст

Вступ.......................................................................................................................

1 Загальний розділ.................................................................................................

1.1 Короткі відомості про прилад ДЛ553-2000..................................................

1.2 Створення омічного контакту методом напилення в вакуумі.....................

1.2.1 Нанесення плівок у вакуумі.........................................................................

1.2.2 Значення вакууму в процесі напилення.....................................................

1.3 Призначення операції напилення...................................................................

2 Технологічо-розрахунковий розділ...................................................................

2.1 Розрахунок напівпровідникової структури приладу ДЛ553-2000..............

2.1.1 Загальні положення......................................................................................

2.1.2 Розрахунок питомого опору вихідного кремнію.......................................

2.1.3 Розрахунок параметрівp⁺-n-n⁺структури..................................................

2.1.4 Розрахунок діаметра випрямляючого елемента та вибір корпусу

діода...................................................................................................................................

2.2 Технологічна схема виготовлення приладу ДЛ553-2000............................

2.3 Визначення послідовності операцій технологічного процесу

напилення.........................................................................................................................

2.4 Розробка комплекту технологічної документації процесу напилення......

2.5 Експеримент за темою „Дослідження процесу створення металевих контактів на структурах приладу ДЛ553-2000”............................................................

2.6 Обладнання дільниці напилення...................................................................

2.7 Вакуумна гігієна дільниці напилення..........................................................

3 Організація та економіка виробництва...........................................................

3.1 Розрахунок трудомісткості і кількості робочих місць.................................

3.2 Розрахунок чисельності працівників дільниці.............................................

3.3 Розрахунок фонду оплати праці....................................................................

3.4 Розрахунок виробничої собівартості виробу................................................

3.5 Техніко-економічні показники роботи дільниці...........................................

4 Охорона праці на виробництві..........................................................................

4.1 Охорона праці та ТБ на дільниці...................................................................

4.1.1 Техніка безпеки при роботі з лугами, кислотами та органічними

розчинниками...................................................................................................................

4.1.2 Техніка безпеки при роботі з електроустановкамидо 1000 В.................

4.1.2 Техніка безпеки при роботі з магістральними газами..............................

4.1.3 Вимоги безпеки перед роботою..................................................................

4.1.4 Вимоги безпеки під час роботи...................................................................

4.1.5 Вимоги безпеки після закінчення роботи..................................................

4.2 Протипожежні заходи.....................................................................................

4.3 Рішення питань екології на дільниці.............................................................

4.4 Безпека життєдіяльності.................................................................................

Висновки................................................................................................................

Список літератури.................................................................................................

Додаток А Організація та економіка виробництва.............................................

Додаток Б Комплект технологічної документації технологічного

процесу напилення приладу ДЛ553-2000......................................................................

Вступ

В сучасний час напівпровідникові прилади отримали широке застосування в радіоелектроніці. Вони використовуються в засобах зв’язку, навігаційнійта радіолокаційній апаратурі, пристроях автоматики. За допомоги напівпро-відникових приладів можна вирішувати цілий ряд завдань сучасної техніки, отримувати малогабаритні, надійні та довговічні обладнання. Таке велике значення напівпровідникових приладів обумовлено наявністю у них цілого ряду переваг, таких як :

-відсутність старіння матеріалу при електронному механізмі електропровід-ності;

-малі габарити та маса приладів;

-простота та надійність конструкції.

Якість напівпровідникових приладів в дуже великому степені залежить від властивостей напівпровідникового елемента, який використовується при їх виготовленні.

Освоєння та вивчення напівпровідників потребувало спільної праці фізиків, хіміків, технологів на протязі декілька десятиліть. Досягти сучасного рівня напівпровідникової електроніки стало можливим на основі високого розвитку таких наук як фізика твердого тіла, хімія, кристалографія, а також радіоелектроніка.

Силові напівпровідникові прилади виділились в особливу групу напівпро-відникових приладів зі своїми завданнями та проблемами.

Силові напівпровідникові прилади займають провідне місце в електро-технічній промисловості та активно впливають на інші галузі промисловості: ма-шинобудування, залізничний транспорт, енергетика, визначають науково-технічний та соціальний прогрес нашої держави.

1. Загальний розділ

1.1 Короткі відомості про приладДЛ553

Напівпровідниковим діодом називається прилад з двома виводами, принцип дії якого засновано на використанні властивостей електронно-діркового переходу або поверхневого потенційного бар’єру кристалу напівпровідника.

Напівпровідниковий діод лавинного типу – це діод, призначений для розсіювання протягом обмеженого проміжку часу імпульсу потужності в області пробою зворотньої ВАХ (рис. 1).

Рисунок 1- Зворотня характеристика

Лавинний пробій виникає в результаті ударної іонізації нейтральних атомів кремнію швидкими носіями заряду при напруженостях поля, недостатніх для розриву ковалентного зв’язку.

Лавинні діоди виготовляються, як правило, на основі кремнію більш високої якості, ніж звичайні виправляючи діоди. Основним достоїнством лавинних діодів є те, що вони дозволяють суттєво спростити елементи захисту від перенавантаження в схемах перетворювачів, особливо у випадках великої кількості послідовного з’єднання діодів. Лавинні діоди з контролюючим пробоєм використовуються в якості активних елементів в стабілізаторах напруги, а також і в якості елементів захисту різних схем від імпульсних перенапруг.

Загальний вигляд діоду типу ДЛ553 представлено на рисунку 2.

Відстань по повітрю між анодом та катодом не менш – 19мм.

Довжина шляху для струму між електродами не менш – 30мм.

Маса діода не більш – 620г.

Рисунок 2- Діод ДЛ553

Основні електричні параметри діоду ДЛ553 представлені в таблицях 1-3.

Таблиця 1-Характеристика приладу ДЛ553

Найменування параметра				ДЛ553-2000
Пробивна напруга, В, при імпульсному струмі							1890 - 3150
100 мА, не менш
Повторюючийся імпульсний зворотній струм							50
мА, не більш
Ударна зворотня розсіювана потужність, кВт,
при тривалості імпульса 100мкс, при t перехода							16
160 С.
Ударний прямий струм, кА				33
Тепловий опір перехід-корпус, С/Вт						0,02
Струм термодинамічної стійкості корпуса, кА, при							75
тпривалості імпульса 5,8 мс.
Захистний показник термодинамічної стійкості кор-							13,0 * 10
пуса, А с.
Температура переходу (min;max) С.					-60	160
Рекомендуємий охолоджувач 0153 по ТУ16-729.377
-max допустимий середній прямий струм діода							390
з охолоджувачем та температурі навколишнього
середовища 40 С, А
-тепловий опір контакта діод-охолоджувач, С/Вт.							0,005

Таблиця 2- Параметри приладу ДЛ553

Найменування параметра			Значення параметра		Позначення
Максимально допустимий			1600
середній прямий струм			2000
при температурі корпуса			2000
850 С, А
Клас діода по імпульсу			1600	16
зворотньой напруги, В не менш			1700	17
1800	18
1900	19
2000	20
2200	22
2400	24
2600	26
2800	28
* Імпульсна пряма напруга,
не більш (для класа)або
група по параметрам ВАХ			-----	1,80 (16 - 28)
в прямому напрямку
Кліматичне виконання та
категорія розміщення			УХЛ2, Т3		УХЛ2, Т3

Таблиця 3- Таблиця груп