Физические основы микроэлектроники (стр. 6 из 6)

Одна из них является прямой волной, распространяющейся вдоль пленки от катода к аноду с фазовой скоростью

, и имеет амплитуду, изменяющуюся по закону:

, (9)

где

–время движения электронов от входа прибора. При работе в области ОДП и прямая волна нарастает. Вторая волна является обратной, распространяется от анода к катоду и затухает по амплитуде как . Коэффициент диффузии для GaAs составляет , поэтому и обратная волна быстро затухает. Из (9) коэффициент усиления прибора равен (дБ)

(10)

Оценка по (10) при

и дает усиление порядка 0,3–3 дБ/мкм. Следует иметь в виду, что выражение (10) является, по существу, качественным. Непосредственное использование его для расчета нарастающих волн объемного заряда может привести к ошибкам из-за сильного влияния граничных условий при малой толщине пленки, так как задача должна рассматриваться как двумерная. Необходимо также учитывать диффузию электронов, ограничивающую диапазон частот, в котором возможно усиление. Расчеты подтверждают возможность получения в УБВ усиления ~0,5–1 дБ/мкм на частотах 10 и более ГГц. Подобные приборы можно использовать также в качестве управляемых фазосдвигателей и линий задержки СВЧ.

[Л]. Березин и др. Электронные приборы СВЧ. – М. Высшая школа 1985.