- время включения, tвкл, c……………………………………….............0,4·10-6
- время выключения, tвыкл, c………………………………….........…...0,7·10-6
- тепловое сопротивление «переход-корпус», Rтеп, ºС/Вт…..........…..….0,12
- мощность рассеяния на коллекторе, Ррк, Вт….……..………….........….1100
Выбираем диод, шунтирующий IGBT-модуль, например диод Д161-400 со следующими параметрами:
- действующий ток, IVD, А………………………………........…………….400
- пороговое напряжение, U0, В…………………………………..................1,35
- динамическое сопротивление, RVD, Ом………..…………........………..0,002
- сопротивление при типовом охладителе и естественном охлаждении, RVDT, ºС/Вт…..…………....................................................…………….......................0,55
максимальная температура структуры, θpn, ºС………………….........…..140
2.4.3 Определение оптимальной частоты коммутации ШИП.
В связи с применением ненасыщенного ключа коэффициент форсировок на включение и отключение транзистора принимается: К1 = 1, К2 =1.
Длительность фронта и спада коллекторного тока силового ключа в паспортных данных силового модуля:
Определяем оптимальную частоту коммутации ШИП:
|
,Гц (2.16)
где
Принимаем частоту коммутации Гц.
2.4.4 Определение постоянных и базовых величин, необходимых для расчетов электромагнитных нагрузок энергетического канала.
Конструктивная постоянная двигателя:
, В·с/рад (2.18)
, рад/с (2.19)
, А (2.20)
Базовый момент:
Учитывая, что ШИП с симметричным управлением не искажает естественных механических характеристик двигателя, определяем относительную продолжительность включения в номинально режиме:
Относительная скорость в номинальном режиме:
|
, рад/с (2.23)
Относительная электромагнитная постоянная времени:
где Т – период коммутации,
с. (2.24)
, рад/с (2.25)
Определим относительное значение этой скорости:
|
, рад/с (2.26)
2.4.5 Среднее значение тока двигателя,
, А (2.28)
2.4.6 Действующее значение тока двигателя
где
,А (2.30)
2.4.7 Значение среднего тока транзисторного ключа при максимальном токе двигателя составит
,А (2.32)
2.4.8 Действующее значение тока транзисторного ключа.
, А (2.34)
2.4.9 Среднее значение тока шунтирующего диода
2.4.10 Значение действующего тока шунтирующего диода
,А (2.38)
2.4.11 Определим потери энергии в силовом транзисторном ключе.
|
, Вт (2.39)
где:
сопротивление насыщенного ключа:
Полученная величина потерь меньше допустимой мощности рассеяния на коллекторе силового IGBT-модуля.
2.4.12 Определение потерь мощности в шунтирующем диоде.
2.4.13 Максимальную температуру структуры диода определяют из условия, что температура окружающей среды не превышает
Так как