УСИЛИТЕЛЬ ПРИЁМНОГО БЛОКА ШИРОКОПОЛОСНОГО ЛОКАТОРА (стр. 2 из 3)

3. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

Вт;

2.2.2 Расчёт эквивалентных схем замещения транзистора.

2.2.2.1Расчёт параметров схемы Джиаколетто.

Рисунок 2.2.2.1.1- Эквивалентная схема биполярного

транзистора (схема Джиаколетто).

Найдём параметры всех элементов схемы:[2]

Пересчитаем ёмкость коллектора из паспортной: Ск(треб)=Ск(пасп)*

=1,6× =2,92 (пФ)

Найдём gб=

, причём rб= :

rб=

=2,875 (Ом); gб= =0,347 (Cм);

Для нахождения rэ воспользуемся формулой rэ=

, где Iк0 в мА:

rэ=

=1,043 (Ом);

Найдём оставшиеся элементы схемы

gбэ=

=0,017,где ß0=55 по справочнику;

Cэ=

=30,5 (пФ),где fТ=5000Мгц по справочнику;

Ri=

=100 (Ом), gi=0.01(См),где Uкэ(доп)=20В Iко(доп)=200мА.

2.2.2.2Расчёт однонаправленной модели транзистора.

Данная модель применяется в области высоких частот.

Рисунок 2.2.2.2.1- Однонаправленная модель транзистора.

Параметры эквивалентной схемы расчитываются по приведённым ниже формулам.[2]

Входная индуктивность:

, (2.2.2.1)

где

–индуктивности выводов базы и эмиттера.

Входное сопротивление:

, (2.2.2.2)

где

, причём , и – справочные данные.

Выходное сопротивление:

. (2.2.2.3)

Выходная ёмкость:

. (2.2.2.4)

В соответствие с этими формулами получаем следующие значения элементов эквивалентной схемы:

Lвх= Lб+Lэ=1+0,183=1,183 (нГн);

Rвх=rб=2,875 (Ом);

Rвых=Ri=100 (Ом);

Свых=Ск(треб)=2,92 (пФ);

fmax=fт=5 (ГГц)

2.2.3 Расчёт и выбор схемы термостабилизации.

2.2.3.1 Эмитерная термостабилизация.

Эмитерная термостабилизация широко используется в маломощных каскадах, так как потери мощности в ней при этом не значительны и её простота исполнения вполне их компенсирует, а также она хорошо стабилизирует ток коллектора в широком диапазоне температур при напряжении на эмиттере более 3В.[1]

Рисунок 2.2.3.1.1- Каскад с эмитерной термостабилизацией.

Рассчитаем параметры элементов данной схемы.

Uэ=4 (В);

Eп=Uкэ0+Uэ=7 (В);

Rэ=

= =90,91 (Ом);

Rб1=

, Iд=10×Iб, Iб= , Iд=10× =10× =0,008 (А);

Rб1=

=264,1 (Ом);

Rб2=

=534,1 (Ом).

Наряду с эмитерной термостабилизацией используются пассивная и активная коллекторная термостабилизации.[1]

2.2.3.2Пассивная коллекторная термостабилизация:

Ток базы определяется Rб. При увеличении тока коллектора напряжение в точке А падает и следовательно уменьшается ток базы, а это не даёт увеличиваться дальше току коллектора. Но чтобы стал изменяться ток базы, напряжение в точке А должно измениться на 10-20%, то есть Rк должно быть очень велико, что оправдывается только в маломощных каскадах[1].

Рисунок 2.2.3.2.1- Схема пассивной коллекторной термостабилизации

Rк=

=159.1(Ом);

URк=7 (В);

Eп=Uкэ0+URк=10 (В);

Iб=

=0.0008(А);

Rб=

=2875 (Ом).

2.2.3.3 Активная коллекторная термостабилизация.

Можно сделать чтобы Rб зависило от напряжения в точке А см. рис.(2.2.3.2.1). Получим что при незначительном уменьшении (увеличении) тока коллектора значительно увеличится (уменьшится) ток базы. И вместо большого Rк можно поставить меньшее на котором бы падало порядка 1В см. рис.(2.2.3.3.1).[1]

b2=100;

Rк=

= =22,73 (Ом);

Eп=Uкэ0+UR=4 (В);

Iд2=10×Iб2=10×

=0.00008 (A);

R3=

=28,75 (кОм);

R1=

=21,25 (кОм);

R2=

=4.75 (кОм).

Рисунок 2.2.3.3.1- Активная коллекторная термостабилизация.

Данная схема требует значительное количество дополнительных элементов, в том числе и активных. Если Сф утратит свои свойства, то каскад самовозбудится и будет не усиливать, а генерировать.Основываясь на проведённом выше анализе схем термостабилизации выберем эмитерную.

3 Расчёт входного каскада по постоянному току

3.1 Выбор рабочей точки

При расчёте требуемого режима транзистора промежуточных и входного каскадов по постоянному току следует ориентироваться на соотношения, приведённые в пункте 2.2.1 с учётом того, что

заменяется на входное сопротивление последующего каскада. Но, при малосигнальном режиме, за основу можно брать типовой режим транзистора (обычно для маломощных ВЧ и СВЧ транзисторов мА и В). Поэтому координаты рабочей точки выберем следующие мА, В. Мощность, рассеиваемая на коллекторе мВт.

3.2 Выбор транзистора

Выбор транзистора осуществляется в соответствии с требованиями, приведенными в пункте 2.2.1. Этим требованиям отвечает транзистор КТ3115А-2. Его основные технические характеристики приведены ниже.

Электрические параметры:

1. граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ

ГГц;

2. Постоянная времени цепи обратной связи

пс;

3. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

;

4. Ёмкость коллекторного перехода при

В пФ;

5. Индуктивность вывода базы

нГн;

6. Индуктивность вывода эмиттера

нГн.

7. Ёмкость эмиттерного перехода

пФ;

Предельные эксплуатационные данные:

1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

В;