Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2 (стр. 2 из 3)

I_к0= 3 мА, U_кэ0= 4,2 В, I_б0= 30 мкА, U_бэ0= 0,28 В

Величина сопротивления R_б:

Определим H–параметры в рабочей точке.

Iк , мА
6
5
4	ΔIк0
3	ΔIк
2
1
0	1	2	3	4	5 Uкэ0	6	7	8	9 Еп	Uкэ,В

ΔU_кэ

Iб, мкА
50
40	ΔIб
30 Iб0
20
10
0 0,15	0,17	0,19	0,21	0,23	0,25	0,27	0,29 Uбэ0	0,31	Uбэ,В

ΔU_бэ

ΔI_к0= 1,1 мА, ΔI_б0 = 10 мкА, ΔU_бэ = 0,014 В, ΔI_б = 20 мкА, ΔU_кэ= 4 В, ΔI_к= 0,3 мА

H-параметры:

Определим G – параметры.

Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:

G-параметр:

G_11э= 1,4 мСм, G_12э= - 0,4*10 ^–6

G_21э= 0,15 , G_22э= 4,1*10 ^–3 Ом

Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:

Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):

Собственная постоянная времени транзистора:

Крутизна:

Определим граничные и предельные частоты транзистора.

Граничная частота коэффициента передачи тока:

Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:

Максимальная частота генерации:

Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:

Предельная частота проводимости прямой передачи:

Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:

Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя

I_к0= 3 мА, U_кэ0= 4,2 В и точку с координатами:

I_к= 0, U_кэ= U_кэ0+ I_к0*R_~= 4,2 + 3*10 ^–3 * 847 = 6,7 В

Iк , мА
6
5
4	А
3 Iк0
2
1
0	1	2	3	4	5 Uкэ0	6	7	8	9 Еп	Uкэ,В

Определим динамические коэффициенты усиления.