Из ряда номинальных сопротивлений выбираем значение сопротивлений
и соответственно 5.6 кОм и 620 Ом .Используем резисторы марки С2-23-0.125-5.6кОм 1% и С2-23-0.125-620Ом 1% соответственно.Зададимся сопротивлением
исходя из условия: кОм , (7.6) ОмИспользуем резистор марки С2-23-0.125-56кОм
5%Определим ёмкость хронирующего конденсатора:
, (7.7) ФИз ряда номинальных ёмкостей выбираем значение ёмкости равное 3.9 мкФ. Выбираем конденсатор марки К53-1-3.9мкФ
10%.Определим длительности
и генерированных импульсов по формуле: , (7.8) мксВремя восстановления схемы определим по формуле:
, (7.9) мсАмплитуду входных запускающих импульсов вычислим по формуле:
, (7.10) ВДлительность входных запускающих импульсов
определяется по формуле: , (7.11) мксСопротивление резистора
вычисляется по формуле: , (7.12) ОмИз ряда номинальных сопротивлений выбираем значение номинала равное 4.3кОм. Выбираем резистор С2-23-0.125-4.3кОм
1%.Значение конденсатора
вычислим по формуле: , (7.13) нФИз ряда номинальных ёмкостей выбираем значение ёмкости равное 20нФ. Выбираем конденсатор К10-17-0.02мкФ
5%.Приложения:
Поз. обоз. | Наименование | Кол | Примечание | ||||
R | резистор С2-24-0.25-200Ом 1% | 1 | |||||
VD | стабилитрон Д814В | 1 |
Поз. обоз. | Наименование | Кол | Примечание | ||||
Резисторы | |||||||
R1 | С2-22-0.125-680Ом 0.5% | 1 | |||||
R2 | C2-23-0.125-8.2КОм 5% | 1 | |||||
VD | стабилитрон 2С213Б | 1 |
Поз. обоз. | Наименование | Кол | Примечание | ||||
Конденсаторы | |||||||
C1 | К50-3-60В-510мкФ | 1 | |||||
C2 | К50-3-60В-22мкФ | 1 | |||||
C3 | то же | 1 | |||||
Дроссели | |||||||
L1 | 1 | ||||||
L2 | 1 |
Поз. обоз. | Наименование | Кол | Примечание | ||||
Резисторы | |||||||
R1 | С2-23-0.125-6.2кОм 5% | 1 | |||||
R2 | С2-23-0.125-18КОм 5% | 1 | |||||
R3 | СП3-10М-0.25-2.4МОм 10% | 1 | Подбирается | ||||
при настройке | |||||||
R4 | С2-23-0.125-5.1кОм 5% | 1 | |||||
Конденсаторы | |||||||
C1 | К53-4А-0.22мкФ 10% | 1 | |||||
C2 | К53-4А-0.1мкФ 10% | 1 | |||||
Транзисторы | |||||||
VT1 | МП111А | 1 | |||||
VT2 | МП111А | 1 |
Поз. обоз. | Наименование | Кол | Примечание | ||||
Резисторы | |||||||
R1 | С2-24-0.25-2.4кОм 1% | 1 | |||||
R2 | С2-22-0.125-430Ом 1% | 1 | |||||
R3 | С2-27-1.0-60Ом 0.5% | 1 | |||||
R4 | С2-27-0.5-75Ом 0.5% | 1 | |||||
R5 | С2-24-0.5-51Ом 5% | 1 | |||||
Конденсаторы | |||||||
C1 | К50-6-100В-2200мкФ 10% | 1 | |||||
C2 | К73-11-15мкФ 5% | 1 | |||||
C3 | К50-6-50В-1.2мкФ 10% | 1 | |||||
C4 | К53-4А-0.33мкФ 10% | 1 | |||||
VT1 | транзистор МП25А | 1 |
Поз. обоз. | Наименование | Кол | Примечание | ||||
Резисторы | |||||||
R1 | С2-23-0.125-56кОм 1% | 1 | |||||
R2 | СП3-6-0.125-100кОм 10% | 1 | Подбирается | ||||
при настройке | |||||||
R3 | С2-23-0.125-51кОм 1% | 1 | |||||
R4 | С2-23-0.125-270Ом 1% | 1 | |||||
R5 | С2-23-0.125-47Ом 1% | 1 | |||||
R6 | С2-24-0.25-2.7кОм 5% | 1 | |||||
R7 | С2-24-0.25-3.3кОм 5% | 1 | |||||
Конденсаторы | |||||||
C1 | К53-1-0.33мкФ 10% | 1 | |||||
C2 | К10-17-0.0015мкФ 5% | 1 | |||||
C3 | К10-17-0.05мкФ 5% | 1 | |||||
DA | микросхема 153УД5 | 1 |
Поз. обоз. | Наименование | Кол | Примечание | ||||
Резисторы | |||||||
R1 | С2-23-0.125-4.3кОм 1% | 1 | |||||
R2 | С2-23-0.125-56кОм 1% | 1 | |||||
R3 | СП3-10М-0.25-10кОм 10% | 1 | Подбирается | ||||
при настройке | |||||||
R4 | С2-23-0.125-5.6кОм 1% | 1 | |||||
R5 | С2-23-0.125-620кОм 1% | 1 | |||||
Конденсаторы | |||||||
C1 | К10-17-0.02мкФ 5% | 1 | |||||
C2 | К53-1-3.9мкФ 10% | 1 | |||||
Диоды | |||||||
VD1 | КД522Б | 1 | |||||
VD2 | КД522Б | 1 | |||||
DA | микросхема 140УД6 | 1 |