Смекни!
smekni.com

Особенности конструирования радиотехнической аппаратуры (стр. 3 из 4)

Практически сопро­тивление резистора R13 выбира­ется такой величины, при кото­рой обеспечивается надежное включение блока питания при ограничении тока короткого замыкания значением 0,1...0,5 А. Ток срабатывания устройства защиты определяет резистор R7.

Аналогично работает устрой­ство защиты блока питания при перегрузках отрицательной по­лярности.


Конструкция и детали. Все детали УМЗЧ и блока питания размещены на одной плате. Ис­ключение составляют транзи­сторы VT3, VT4, VT6, VT8 УМЗЧ, установленные на общем теплоотводе с площадью рас­сеивающей поверхности 1200 См2 и транзисторы VT7, VT8 блока питания, размещенные на от­дельных теплоотводах с площа­дью рассеивающей поверхности 300 См2 каждый. Катушки LI, L2 блока питания (рис. 3) и LI усилителя мощности содержат 30—40 витков провода ПЭВ-1 1,0, намотанного на корпусе ре­зистора С5-5 или МЛТ-2. Рези­сторы R7, R12 блока питания представляют собой отрезок медного провода ПЭЛ, ПЭВ-1 или ПЭЛШО диаметром 0,33 и длиной 150 мм, намотан­ного на корпусе резистора МЛТ-1. Трансформатор пита­ния выполнен на тороидальном магнитопроводе из электротех­нической стали Э320, толщиной 0,35 мм, ширина ленты 40 мм, внутренний диаметр магнитопровода 80, наружный — 130 мм. Сетевая обмотка содержит 700 витков провода ПЭЛШО 0,47, вторичная —2х130 витков провода ПЭЛШО 1,2.

Вместо ОУ К544УД2Б мож­но использовать К544УД2А, К140УД11 или К574УД1. Каж­дый из транзисторов КТ825Г можно заменить составными транзисторами КТ814Г, КТ818Г, а КТ827А — составными тран­зисторами КТ815Г, КТ819Г. Диоды VD3—VD6 УМЗЧ мож­но заменить любыми высоко­частотными кремниевыми дио­дами, VD7, VD8 — любыми кремниевыми с максимальным прямым током не менее 100 мА. Вместо стабилитронов КС515А можно использовать соединен­ные последовательно стабилитроны Д 814А и КС512А.

Налаживание усилителя сводится к установке (подстроечным резистором R12) тока по­коя выходных транзисторов VT6, VT8 в пределах 10... 15 мА.

Включают усилитель после проверки исправности блока питания. Для этого, заменив резисторы R7, R12 блока пита­ния более высокоомными (при­мерно 0,2...0,3 0м), проверяют работоспособность блока пита­ния устройства защиты. Оно должно срабатывать при токе нагрузки 1...2 А. Убедившись в нормальной работе блока пита­ния и УМЗЧ, устанавливают резисторы R7, R12c номиналь­ным сопротивлением, указан­ным на принципиальной схеме, и проверяют работу усилителя при максимальной мощности, контролируя отсутствие срабатывания устройств защиты.

6.Расчет коэффициента заполнения платы

Для компоновки блоков радиоаппаратуры необходимо иметь принципиальную схему устройства, а также габаритно-установочные размеры деталей, узлов и приборов.

Аналитическую компоновку производят на начальных этапах проектирования аппаратуры с целью получения обобщенных характеристик, на основании которых складывается первое представление о некоторых конструктивных параметрах.

Формула для расчета коэффициента заполнения платы имеет вид:

,

где Кзап -коэффициент заполнения

Sуст - установочная площадь элементов

Sоб - общая площадь платы

Sуст = A*B*N,

где А,В – установочные размеры элемента

N – количество элементов

Тип элемента

Установочные размеры, мм.

Количество элементов, шт.

Площадь

мм2

А

В

N

S

Резисторы:
ОМЛТ 0,125

10

4

7

280

ОМЛТ 0,25

12

6

22

1584

ОМЛТ 0,5

14,8

8,2

8

970,88

Конденсаторы:
Транзисторы
КТ814-КТ817

12

7

12

1008

Диоды
КД510А

8

6

6

288

КС515А

19

11

8

1672

7.Расчет надежности схемы

Данное устройство содержит большое количество элементов и соединений, которые потенциально могут оказаться причиной отказа всего устройства в целом. Поэтому необходимо рассчитать надежность устройства, учитывая все эти элементы. Для удобства расчетов все эти элементы сведены в таблицу.

Таблица

п/п

Элементы схемы, подлежащие расчету

Количество, шт.

Значение интенсивности отказов l, 1/ч

1

Германиевые транзисторы

2

0,6·10-6

2

Интегральные микросхемы

1

2,5·10-6

3

Керамические монолитные конденсаторы

9

0,44·10-6

4

Контактные площадки

178

0,02·10-6

5

Кремниевые диоды

2

2,5·10-6

6

Кремниевые транзисторы

7

0,3·10-6

7

Металлодиэлектрические резисто­ры

30

0,04·10-6

8

Отверстия

197

0,0001·10-6

9

Пайки

178

1·10-6

10

Переменные пленочные резисторы

3

4·10-6

11

Печатная плата

1

0,0005·10-8

12

Пленочные подстроечные резис­то­ры

1

2·10-6

13

Проводники

68

0,005·10-6

14

Разъемы

2

2,5·10-6

15

Электролитические конденсаторы

14

1,1·10-6

Интенсивность отказов всей схемы можно рассчитать по формуле:

L=åln·Nn

где - L - интенсивность отказов всей схемы.

ln - интенсивность отказов элементов схемы.

N - количество элементов схемы.

L=l1·N1+l2·N2+l3·N3+l4·N4+l5·N5+l6·N6+l7·N7+l8·N8+l9·N9+l10·N10+l11·N11+l12··N12+l13·N13+l14·N14+l15·N15=0,6·10-6·2+2,5·10-6·1+0,44·10-6·9+0,02·10-6·178+ +2,5·10-6·2+0,3·10-6·7+0,04·10-6·30+0,0001·10-6·193+1·10-6·178+4·10-6·3+
+0,0005·10-8·1+2·10-6·1+0,005·10-6·68+2,5·10-6·2+1,1·10-6·14=1,2+2,5+3,96+3,56+5+ +2,1+1,2+0,0193+178+12+0,000005+2+0,34+5+15,4=232,279305·10-6 1/ч.

где l1 - интенсивность отказов германиевых транзисторов