Смекни!
smekni.com

Электротехника и основы электроники (стр. 1 из 7)

Министерство общего ипрофессионального образования

РоссийскойФедерации

Санкт-Петербургская государственная академия

холода ипищевых технологий

                          Кафедра электротехники

ОСНОВЫ ЦИФРОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Методические указания

для самостоятельного изучения дисциплины

''Электротехника и основы электроники''

для студентов всех специальностей

Санкт-Петербург 1999

УДК 621.3
Евстигнеев А. Н. ,   Кузьмина Т.Г. ,     Новотельнова А. В.      Основы

 цифровой электроники: Метод. указания для сомостоятельного изучения дисциплины   ''Электротехника и  основы электроники '' для студентов всех спец. - СПб.: СПбГАХПТ , 1999. -  41 с.

    

           Содержит основные сведения о современнойэлементарной базе цифровых электронных схем.

    Ил. – 25 , табл . – 7 , библиогр. – 10 назв.

Рецензент

Канд.техн. наук, доцент А. И. Васильев

Одобренык изданию советом факультета техники пищевых производств

                                         ©                                                          
                                                  Санкт-Петербургская государственная

                                                    академия холода и пищевых технологий, 1999

              

ВВЕДЕНИЕ

          Любая электронная схема от простейшего выпрямителя до сложней-шей ЭВМпредназначена для обработки электрического сигнала: усиление (масштабирование),выпрямление, сглаживание (изменение формы, запоми-нание, суммирование и пр.).По способу представления обрабатываемого сигнала электронные устройства принятоподразделять на аналоговые и цифровые.

          В аналоговых устройствах используются переменные, изменяющие свое значение вопределенном диапазоне значений между верхним и ниж-ним пределами. Этоестественно, когда обрабатываемые сигналы являются непрерывными по своейприроде или представляют собой непрерывно изменяющиеся напряжения, поступающиеот измерительных приборов (например, от устройств для измерения температуры,давления, влажности и т.п.). Пример аналогового сигнала U(t) приведен на рис. 1,а.

           Однако входной сигнал по своей природе может бытьи дискретным, например, импульсы в детекторе частиц или ''биты'' информации,поступаю- щие от ключа, клавиатуры или ЭВМ. В подобных случаях удобноиспользо-вать цифровую электронику, т.е. схемы, которые имеют дело с информацией,представленной в виде ''единиц'' и ''нулей''. Цифровые переменные имеют толькодва уровня, (рис. 1,б). Эти уровни напряжения называют верхним и нижним, илиобозначают терминами ''истина'' и ''ложь'', которые связаны с булевой логикой,или ''включено'' и ''выключено'', которые отражают состояние релейной системы,а чаще ''нулем'' и ''единицей''.

          Благодаря высокой эффективности цифровые методы широко используются дляпередачи, отбора и запоминания информации, даже в тех случаях, когда входные ивыходные данные имеют непрерывную или анало- говую форму. В этом случаеинформацию необходимо преобразовывать при помощи цифро-аналоговых (ЦАП) ианалогово-цифровых преобразователей (АЦП).

а                                                               б

            верхний предел                                           высокий уровень  

                        

            нижний предел                                                  низкийуровень

а–аналоговый сигнал;                                        б –цифровой сигнал;

1. ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

   

           Интегральная микросхема – этомикроэлектронное изделие выпол-няющее определенную функцию преобразования иобработки сигнала и  имеющее не менее пяти элементов (транзисторов, диодов,резисторов, кон- денсаторов), которые нераздельно связаны и электрическисоединены между собой так, что устройство рассматривается как единое целое.

           Высокая надежность и качество в сочетании смалыми размерами, массой и низкой стоимостью интегральных микросхем обеспечилиих широ- кое применение во многих отраслях народного хозяйства.

           По конструктивно-технологическим признакамразличают пленочные, полупроводниковые и гибридные микросхемы.

           Пленочные микросхемы изготавливаютпосредством послойного нанесения на диэлектрическое основание (подложку) пленокразличных материалов с одновременным формированием транзисторов, диодов и т.п.Пленочные микросхемы делятся на тонкопленочные (толщина пленки до 1мкм) итолстопленочные.

           Полупроводниковая интегральная микросхема – это интегральная микросхема, все элементы имежэлектродные соединения которой выполне- ны в объеме и на поверхностипроводника (рис. 2 а,б).

           При изготовленииполупроводниковых интегральных микросхем обычно используют планарнуютехнологию.

          Активные и пассивные элементы полупроводниковой интегральной микросхемыизбирательно формируют в одном монокристалле полупровод- ника. Соединениеэлементов между собой в полупроводниковой интеграль- ной микросхеме может бытьвыполнено как в объеме, так и на поверхности монокристалла полупроводника путемсоздания на окисленной поверхности полупроводника токоведущих дорожек,например, методом вакуумного на-пыления металла. В качестве конденсаторов вмикросхемах используют об-ратно смещенные p-n-переходыили конденсаторные структуры Si-SiO2-металл. Роль резистороввыполняют участки поверхности полупроводни-кового кристалла или p-n-переход,смещенный в прямом или обратном нап-равлении, а также канал МДП-транзисторов.

          В интегральной микросхеме не всегда можно указать границу между отдельнымиэлементами. Например, вывод конденсатора может одновре-менно являтьсяэлектродом конденсатора. Из-за малых межэлектродных расстояний и наличия общегодля всех элементов схемы кристалла (подлож-ки) в микросхемах создаютсядостаточно сложные паразитные связи, а так же появляются паразитные элементы, которые,как правило, ухудшают все парараметры микросхемы, как функционального узларадиоэлектронной аппаратуры.

   

а

б

в

Рис. 2

а – эквивалентная схема; б –структура полупроводниковой интегральной микросхемы;

в – структура гибриднойинтегральной микросхемы;

          Гибридная интегральная микросхема – это интегральнаямикросхема                                                                                                                                                               пассивные элементы которой выполнены посредством нанесенияразличных пленок на поверхность диэлектрической подложки из стекла, керамикиили ситалла, а активные элементы – навесные полупроводниковые приборы безкорпусов (рис. 2,в).

           Гибридные интегральные микросхемы позволяютиспользовать пре- имущества пленочной технологии в сочетании сполупроводниковой тех-нологией.

           Полупроводниковая интегральная микросхемаможет быть изготов- лена по совмещенной технологии – активные элементывыполнены в объеме полупроводникового монокристалла, а пассивные элементы – назащищен-ной (например, окислом) поверхности монокристалла в тонкопленочномис-полнении. На этой же поверхности сделаны и токопроводящие дорожки иплощадки. Поскольку транзисторы и диоды полупроводниковой интеграль- ноймикросхемы, изготовленной по совмещенной технологии находятся внутримонокристалла (подложки), размеры такой интегральной микросхе-мы могут бытьзначительно уменьшены по сравнению с размерами гибрид-ной интегральноймикросхемы, в которой используются дискретные актив-ные элементы, занимающиесравнительно много места на подложке.

1.1. Основные параметры интегральных микросхем

    

           Плотность упаковки – это числоэлементов электронной схемы в одном кубическом сантиметре объема интегральноймикросхемы.

           Степень интеграции xопределяется количеством элементов n, вхо- дящих всостав интегральной микросхемы.

x = lg n

           Микросхема 1 степени интеграции содержит до 10 элементов (мало-масштабная интегральная схема – мис). Микросхема 2 степени интеграции(среднемасштабная – сис) содержит от 10 до 100 элементов. Микросхема 3 степениинтеграции содержит от 10² до 10³ элементов и относится к катего-риибольших интегральных микросхем (БИС). Сверхбольшие (СБИС) имеют

степеньинтеграции более 1000 элементов (табл. 1).

                                                                                                    Таблица 1

Уровень сложности       ИС  Количество интегрированных элементов     Параметры функционального     назначения ИС
МИС ≤ 10 Биполярные ячейки, простые логические элементы, дифференциальные усилительные каскады
СИС 10 – 100 Триггеры, регистры, сумматоры, операцион- ные усилители, коммутаторы
БИС 100 – 1000 Полупроводниковые запоминающие и ариф- метико-логические устройства
СБИС > 1000 Микропроцессоры, однокристальные микро- ЭВМ, аналого-цифровые преобразователи

1.2. Серии и семейства серий интегральных схем