Смекни!
smekni.com

Методические указания к выполнению курсовой работы для студентов всех форм обучения направления 654200 Радиотехника по специальностям: 200700 Радиотехника; 201600 Радиоэлектронные системы (стр. 5 из 6)

- коэффициент усиления по мощности, где приращение
и соответствующее ему приращение
определяются по входной характеристике биполярного транзистора, а приращения
,
- по нагрузочной прямой для постоянного и переменного токов (в зависимости от значения сопротивления нагрузки) на семействе выходных характеристик вблизи режима покоя транзистора;

б) оцените динамические параметры усилительного каскада на биполярном транзисторе с помощью аналитических соотношений:

Кi = H21Э/(1+Н22ЭR~) – коэффициент усиления по току, при RН = ¥ необходимо подставлять вместо R~ значение RК;

Кu = H21ЭR~/H11Э – коэффициент усиления по напряжению, при RН = ¥ вместо R~ необходимо подставлять значение RК ;

Кp =

- коэффициент усиления по мощности, при
RН = ¥ вместо R~ необходимо подставлять значение RК;

в) рассчитайте динамические параметры усилительного каскада на полевом транзисторе с использованием графоаналитического метода:

Кu = DUси/DUзи – коэффициент усиления по напряжению, где приращения DUЗИ = DUВХ; DUСИ = DUВЫХ следует выбирать по нагрузочной прямой для постоянного и переменного токов (в зависимости от значения сопротивления нагрузки) на семействе выходных (стоковых) характеристик вблизи режима покоя полевого транзистора;

г) оцените динамические параметры усилительного каскада на полевом транзисторе с помощью аналитических соотношений:

SДИН = (S×Ri)/(Ri+R~) – динамическая крутизна полевого транзистора,

Кu = SДИН×R~ - коэффициент усиления по напряжению, при RН = ¥ вместо R~ необходимо подставлять значение RС.

13. Оцените нелинейные искажения в усилительном каскаде на транзисторе.

Нелинейные искажения – это изменения формы колебания, обусловленные кривизной характеристик транзисторов, диодов, полупроводниковых конденсаторов, интегральных микросхем и других элементов. Параметры нелинейных элементов зависят от воздействующего на них тока или напряжения. Отличительным признаком нелинейных искажений является то, что им подвержено даже гармоническое колебание. На этом и основана их простейшая оценка с помощью коэффициента гармоник, или коэффициента нелинейных искажений.

Коэффициентом гармоник называется отношение действующего значения суммы высших гармоник выходного напряжения к действующему значению его первой гармоники:

,

где U1, U2, U3 и т.д. – действующие значения отдельных гармоник выходного напряжения.

Этот коэффициент можно оценить методом пяти ординат по сквозной характеристике (называемый также методом Клина по имени его автора)
[8, с.52], который позволяет учесть влияние второй и третьей гармоник входного сигнала.

,

где

- коэффициент второй гармоники;
- коэффициент третьей гармоники, определяются графически. Для этого на сквозной характеристике отмечают пять точек (см. рис. 10), соответствующих точке покоя (нулевая амплитуда входного сигнала), наибольшей амплитуде входного сигнала UВХ. Н (с учетом обеих полуволн), половине наибольшей амплитуды входного сигнала, т.е. (1/2)UВХ. Н (тоже с учетом обеих полуволн). По этим точкам вычисляют значения отрезков
,
,
, тогда

,
.

14. В "Выводах и замечаниях по работе" желательно отразить:

- анализ полученных результатов,

- что, на ваш взгляд, наиболее полезно для вас как результат выполнения данной курсовой работы,

- что вызвало наибольшие трудности,

- затраты вашего времени на выполнение.

Список литературы

Учебники и учебные пособия

1. Электронные приборы.: Учебник для вузов/ В.Н. Дулин, Н.А. Аваев,
В.П. Демин и др.; Под ред. Г.Г. Шишкина. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1989. 496 с.

2. Батушев В.А. Электронные приборы.: Учебник для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1980. 383 с.

3. Пасынков В.В., Чиркин А.К. Полупроводниковые приборы.: Учебник для вузов. 5-е изд., испр.- СПб.: Издательство «Лань», 2001. 480 с.

4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника.: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1991. 621 с.

5. Ногин В.Н. Аналоговые электронные устройства.:М.: Радио и связь, 1992. 304 с.

6. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергия, 1977. 672 с.

7. Остапенко Г.С. Усилительные устройства.: Учеб. пособие для вузов. М.: Радио и связь, 1989. 400 с.

8. Цыкин А.В. Электронные усилители.: Учеб. пособие для техникумов связи. 2-е изд., перераб. М.: Радио и связь, 1982. 288 с.

9. Электронные приборы: Учебник/ А.Л. Булычев, П.М. Лямин, Е.С. Тулинов. Минск: Высшая школа, 1999. 415 с.

Справочники

1. Усатенко С.Т., Каченюк Т.К., Терехова М.В. Выполнение электрических схем по ЕСКД.: Справочник. М.: Изд-во стандартов, 1989. 325 с.

2. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник/ Под ред. А.В. Голомедова. 2-е изд., стереотип. М.: Радио и связь, изд. фирма "КУбК-а", 1994. 384 с.

3. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник/ Под ред. А.В. Голомедова. 2-е изд., стереотип. М.: Радио и связь, изд. фирма "КУбК-а", 1994. 640 с.

4. Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Дополнение первое: Справочник. М.: Рикел, Радио и связь, 1994. 232 с.

5. Резисторы: Справочник/ Под ред. И.И. Четверткова и В.М. Терехова. 2-е изд. М.: Радио и связь, 1991. 246 с.

6. Электронная техника и радиоэлектроника: Справ. пособие. М.: Изд-во стандартов, 1991. 168 с.

7. Электроника: Энцикл. словарь/ Гл. ред. В.Г. Колесников. М.: Сов. энцикл., 1991. 688 с.

8. Нефедов А.В., Гордеева В.И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Радио и связь, 1990. 400 с.

9. Полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник/ Под общ. ред.
Н.Н. Горюнова. 2-е изд., перераб. М.: Энергоатомиздат, 1985. 904 с.

10. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник/ Под ред.
А.В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1985. 560 с.

11. Полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник/ Под общ. ред.
Н.Н. Горюнова. М.: Энергоиздат, 1982. 904 с.

12. Транзисторы для аппаратуры широкого применения.: Справочник/ Под ред.
Б.Л. Перельмана. М.: Радио и связь, 1981. 656 с.

13. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам/ Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергия, 1976. 744 с.

14. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам/ Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Энергия, 1972. 568 с.

15. Краткий справочник конструктора радиоэлектронной аппаратуры/ Под ред.
Р.Г. Варламова. М.: Сов. радио, 1972. 856 с.

16. Транзисторы и полупроводниковые диоды: Справочник/ Под общ. ред.
И.Ф. Николаевского. М.: Связьиздат, 1963. 646 с.

Оглавление

1. Цель курсовой работы.................................................................................... 3

2. Задание на курсовую работу.......................................................................... 3

3. Содержание курсовой работы....................................................................... 6

4. Методические указания к выполнению курсовой работы............................ 7

Список литературы........................................................................................... 29

Приложение 1 Образец оформления титульного листа................................ 33

Приложение 2 Образец оформления перечня элементов............................. 34

Приложение 3 Порядок выбора резисторов в схеме усилительного каскада 35


Приложение 1 Образец оформления титульного листа

Министерство образования и науки Российской Федерации

ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет-УПИ

Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»

Оценка работы

Члены комиссии

УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

( Вариант № 832 )

КУРСОВАЯ РАБОТА

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

200700 000000 202 П3

Подпись Дата Ф.И.О.

Руководитель Сидоров С.П.

Студент Павлов И.П.

Группа: Р-294

Номер зачетной книжки 963238

Екатеринбург 2003

Приложение 2 Образец оформления перечня элементов

Поз. обозна-чение

Наименование

Кол.

Примечание

1

2

3

4

Резисторы

R1

МЛТ-0,125-24кОм±10%

1

R2

МЛТ-0,125-920 Ом±10%

1

RК

МЛТ-0,125-1,5кОм±10%

1

RН

МЛТ-0,125-2,4кОм±10%

1

Транзистор

VT

2Т301Е

1

Изм

Лист

№ докум.

Подп

Дата

Разраб.

Павлов И.П.

Схема электрическая принципиальная цепи питания транзистора

Перечень элементов

Лит.

Лист

Листов

Пров.

Сидоров С.П.

К

2

2

УГТУ-УПИ

Р-294

Н. контр.
Утверд.

Приложение 3 Порядок выбора резисторов в схеме усилительного каскада

Резисторы общего назначения имеют диапазон номинальных сопротивлений 1 Ом – 10 МОм, номинальные мощности рассеяния – 0.125 -