5. Тип корпуса: при отсутствии буквы — металлический корпус (ТО-5; ТО-99; ТО-100); D — пластмассовый типа мини-DIP; Е — пластмассовый DIP (ТО-116; МР-117); G — керамический типа мини-DIP; J — керамический типа DIP; К — керамический типа DIP; Р — плоский (ТО-91); R — металлический (ТО-3); U — пластмассовый плоский мини-корпус.
6. Диапазон температуры: при отсутствии буквы для цифровых схем — от 0°С до +70 °С; С — от 0°С до +70°С; Т — от — 25 °С до + 85°С; V — от — 40°С до +85°С; М — от — 55°С до +125°С.
Фирма Signetics Corp. (Philips)
Пример обозначения: N 74123 F
1. Рабочий диапазон температуры: N или NE — от 0°С до 70 °С (N8 — от 0°С до +75°С); S или SE — от — 55°С до 125°С; SA — от — 40 °С до 85 °С; SU — от — 25 °С до +85 °С; серии 5400 — от — 55 °С до +125 °С; серии 7400 — от О °С до +70 °С.
2. Серийный номер: 8200 — стандартные MSI; 82SOO — с диодами Шоттки MSI; 8T — интерфейсные схемы.
Примечание: Типы приборов, выпускаемых с обозначением других фирм:-СА, DS, LF, LH, LM, МС, ОМ, SG, ТАА, ТВА, ТСА, TDA, TDB, TEA, UA, ULN — аналоговые стандартные; DAC — цифро-аналоговые преобразователи; HEF, MB, MJ, PCD, PCE — серии КМОП; SAF, SC — цифровые; SD — аналоговые ДМОП.
3. Тип корпуса: D — микроминиатюрный пластмассовый (типа SO) с 8, 14 или 16 выводами; N — пластмассовый с 8, 14, 16, 18, 22, 24, 28 или 40 выводами; F — керамический DIP с 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24 или 28 выводами; Н — металлический ТО-99 или ТО-100; I — керамический DIP с 8, 10, 14, 16, 18, 24, 28, 40 или 50 выводами; К — ТО-100; L — ТО-99; Q — керамический плоский с 10, 14, 16 и 24 выводами; R — бериллиевый плоский с 16, 18, 24, 28 или 40 выводами; W — керамический плоский с 10, 14, 16 или 24 выводами.
Фирма Siticonix Sem. Dev.
Пример обозначения: DG 187 А Р
1. Фирменное буквенное обозначение: D — схемы управления для ключей на полевых транзисторах; DF-цифровые схемы; DG — аналоговые ключи; DGM — аналоговые ключи (монолитный вариант гибридных схем); G — многоканальные переключатели; Н — высоковольтные (28 В) логические схемы; L — аналоговые схемы; LD — аналого-цифровые преобразователи; LH — аналоговые гибридные схемы; LM — аналоговые монолитные схемы.
2. Серийный номер (три или четыре цифры).
3. Диапазон температуры: А — от — 55 °С до +125°С- В от — 20 °С до +85 °С; С — от О °С до +70 °С; D — от — 40 °С до + 85°С.
4. Тип корпуса: А — ТО-99, ТО-100; F — плоский с 14 и 16 выводами; J — пластмассовый DIP с 14 и 16 выводами; К — керамический DIP с 14 и 16 выводами; L — плоский с 10 и 14 выводами; Р — DIP с 14 и 16 выводами; R — DIP с 28 выводами; N — пластмассовый типа мини-DIP.
Фирма Silicon General
Пример обозначения: SG 108 AT
1. Фирменное буквенное обозначение: SG
2. Серийный номер.
3. Характеристика: А — улучшенный вариант; С — ограниченный температурный диапазон.
4. Тип корпуса: F — плоский; J — DIP (Cerdip) с 14 и 16 выводами; К — типа ТО-3; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый DIP с 14, 16 выводами; Р — типа ТО-220 пластмассовый; R — типа ТО-66 (3 и 8 выводов); Т — типа ТО-5 (ТО-39 ТО-99, ТО-100, ТО-101); Y — керамический DIP (Cerdip) с 8 выводами.
Фирма Sprague Electric Пример обозначения: UL N 2004 А
1. Фирменное буквенное обозначение: UC — серии КМОП, PL; U.D — цифровые формирователи; UG — с датчиками Холла; UL — аналоговые схемы; UH — интерфейсные.
2. Диапазон температуры: N — от — 25 СС до +70 °С- S — от — 55 °С до +125°С.
3. Серийный номер.
4. Тип корпуса: А — пластмассовый типа DIP; В — пластмассовый типа DIP с теплоотводом; С — бескорпусная ИМС; D — ТО-99; Е — пластмассовый DIP с 8 выводами; F — ТО-86 или с 30 выводами плоский; J — TO-87; К — ТО-100; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый с 4-рядным расположением выводов; R — керамический DIP с 8 выводами; S — с однорядным расположением выводов SIP с 4 выводами; Т — SIP с 3 выводами- Y — ТО-92; Z — типа ТО-220 с 5 выводами. Для серии UH : 2 — тип корпуса (С — плоский; К — бескорпусная ИМС; D — типа DIP; Р — пластмассовый типа DIP).
Фирма Solitron
Пример обозначения: СМ 4000 A D
1. Фирменное буквенное обозначение: СМ — КМОП; UC4XXX — аналоговые схемы; UC6XXX, UC7XXX — запоминающие устройства (р-МОП-схемы).
2. Серийный номер.
3. Рабочее напряжение: А — (3 — 15) В; В — (3 — 18) В.
4. Тип корпуса и диапазон температуры:
а) для КМОП-схем; D — керамический типа DIP, от — 55 °С до + 125°С; Е — пластмассовый типа DIP, от — 40°С до +85°С- F — керамический типа DIP, от — 55 °С до +85 °С; Н — бескорпусная ИМС; К — плоский, от — 55 °С до +85 °С;
б) для аналоговых схем: без буквы — ТО-99, от — 55 °С до 125 °С; С — ТО-99, от О °С до +70 °С; СЕ — мини-DIP с 8 выводами, от О °С до +70 °С; ID — бескорпусная ИМС.
Фирма Texas Instruments
Примеры обозначения: SN 74 S 188 J; IMS 4030 - 15 J L
1. Фирменное буквенное обозначение: SBP — биполярные микропроцессоры; SN — стандартные типы ИМС; SNA, SNC, SNH, SNM — повышенной надежности; ТВР — биполярные запоминающие устройства; TL — аналоговые схемы; TMS — МОП-схемы (запоминающие устройства; микропроцессоры); ТМ — модули микро-ЭВМ.
2. Диапазон температуры: серии 52, 54, 55, ТР — от — 55 °С до +125 °С; серии 72, 74, 75 — от О °С до +70 °С; серия 62 — от — 25 °С до +85 °С; для биполярных схем: С — от 0°С до +70°С; I — от — 25 °С до +85 °С; Е — от — 40 °С до +85 °С; М — от — 55 °С до + 125°С; для МОП-схем (TMS): L — от 0°С до +70°С; С — от — 25 °С до + 85°С; R — от — 55 °С до +85 °С; М — от — 55 °С до + 125°С.
3. Классификация для ТТЛ-схем: Н — быстродействующие, L — маломощные; LS — маломощные с диодами Шоттки; S — с диодами Шоттки.
4. Серийный номер.
5. Тип корпуса: FA — плоский; J — плоский керамический; JA, JB, JP — с двухрядным расположением выводов типа (DIP); L, LA — металлический; N — пластмассовый; ND, Р — пластмассовый типа DIP; RA, U, W — плоский керамический; SB — плоский металлический; Т — плоский металлостеклянный.
6. Только для быстродействующих МОП-схем в обозначении дополнительно указывается быстродействие: 15 — <150 не; 20 — < <200 не; 25 — <250 не; 35 — <350 не.
Фирма Toshiba
Пример обозначения: ТА 7173А Р Т 2 Т
1. Фирменное буквенное обозначение: ТА — биполярные линейные (аналоговые) схемы; ТС — КМОП-схемы; TD — биполярные цифровые схемы; ТМ — МОП-схемы.
2. Серийный номер и вариант прибора (А — улучшенный).
3. Тип корпуса: С — керамический; М — металлический; Р — пластмассовый.
Фирма TRW
Пример обозначения: TDC 1016 J M
1. Фирменное буквенное обозначение: MPY — умножители; TDC — все другие функции.
2. Серийный номер.
3. Тип корпуса: J — керамический типа DIP; N — пластмассовый типа DIP.
4. Диапазон температуры: М — от — 55 °С до +125°С; без обозначения — от О °С до +70 °С.
В табл. 1.1 приведены буквенные обозначения ИМС, выпускаемых различными фирмами.
Таблица 1.1. Буквенные обозначения ИМС различных фирм
Буквенное обозначение | Фирма | Буквенное обозначение | Фирма |
AD | Analog Devices | HS | Harris |
ADC | Datel Systems (DS) | HT | Harris |
ADX | National Sem. Corp. | IB | Intel |
(NSC) | 1C | Intel | |
AF | NSC | ICL | Intersil |
АН | NSC | ICM | Intersil |
AM | Advanced Micro De- | ID | Intel |
vices | IDM | NSC | |
AN | Matsushita | IH | Intersil |
AY | General Instrument | IM | Intel, Intersil, NSC |
(GI) | IMP | NSC | |
BUF | Precision Monolithics | INS | NSC |
Inc. (PMI) | IP | Intel | |
CA | RCA | IPC | NSC |
CD | RCA; NSC | ISP | NSC |
CDP | RCA | ITT | ITT |
CF | Harris | IX | Intel |
CM | Solitron | J | Matsushita |
CMP | PMI | L | Siliconix, SGS-Ates |
CP | GI | LA | Sanyo |
CU | GI | LB | Sanyo |
D | Intersil; Siliconix | LC | Sanyo; GI |
DAC | DS; PMI | LD | Siliconix |
DAS | DS | LE | Sanyo |
DAX | NSC | LF | NSC |
DF | Siliconix | LFT | NSC |
DG | Intersil; Siliconix | LG | GI |
DGM | Siliconix | LH | NSC; Raytheon; Sili- |
DH | NSC | conix | |
DL | GI | LM | NSC; Raytheon; Sa- |
DM | NSC | ny; Siliconix; Signe- | |
DN | Matsushita | tics | |
DP | NSC | M | Mitsubishi; Matsushita |
DS | GI; NSC | MAA | ITT |
ER | GI | MAT | PMI |
ESM | Sescosem (Thomson) | MB | Intel; Fujitsu |
F | Fairchild | MC | Motorola; Intel |
G | Siliconix | MCB | Motorola |
H | Siliconix | MCBC | Motorola |
HA | Harris; Hitachi | MCC | Motorola |
HC | Harris | MCCF | Motorola |
HD | Harris; Hitachi | MCE | Motorola |
HI | Harris | MCM | Motorola |
HM | Harris; Hitachi | MD | Intel |
HN | Hitachi | MEM | GI |
HPROM | Harris | MH | NSC |
HRAM | Harris | MIC | ITT |
HROM | Harris | MK | Mostek |
ML | Plessey | SM | NSC |
MLM | Motorola | SMP | PMI |
ММ | Intel, NSC | SN | TI; Monolithic Memo- |
MN | Matsushita | rices | |
МР | Intel; Plessey | SNA | TI |
мт | Plessey | SNC | TI |
мих | PMI | SNH | TI |
MV | Datel Systems (DS) | SNM | TI |
MX | DS; American Micro* | SP | American Microsys- |
systems; Intel | tems; Plessey | ||
MW | RCA | ss | GI |
N | Signetics | sss | PMI |
NC | GI | STK | Sanyo |
NE | Signetics | su | Signetics |
NH | NSC | sw | PMI |
NOM | Plessey | ТА | Toshiba; RCA |
OP | PMI | TAA | ITT; Siemens; Valvo; |
PAL | Monolithic Memories | Telefunken | |
PC | GI | TBA | ITT; Siemens; Valvo; |
PIC | GI | Telefunken | |
PM | PMI | TBB | Siemens |
R | Raytheon | TBC | Siemens |
RA | GI | TBP | TI |
RC | Raytheon | TC | Toshiba |
REF | PMI | TCA | ITT; Siemens; Valvo; |
RM | Raytheon | Telefunken | |
RO | GI | TD | Toshiba |
RV | Raytheon | TDA | ITT; Siemens; Telefunken |
S | American Microsystems; Signetics | TDB | Sescosem; Siemens |
SA | Signetics | TDC | TRW; Siemens |
SAB | Telefunken | TL | TI; Telefunken |
SAK | ITT; Valvo | TM | Toshiba |
SAJ | ITT | TMS | TI |
SAS | Telefunken | и | Telefunken |
SAY | ITT | UAA | Telefunken |
SBA | GI | UCN | Spraque |
SBP | Texas Instruments | ucs | Spraque |
(TI) | UC4 | Solitron | |
SD | NSC | UC6 | Solitron |
SDA | Siemens | UC7 | Solitron |
SE | Signetics | UDN | Spraque |
SFC | Sescosem | UDS | Spraque |
SFF | Sescosem | UGN | Spraque |
SG | Silicon General | UL | American Microsys- |
SH | Fairchild | tems | |
SHM | DS | ULN | Spraque |
SL | Plessey; GI; NSC | ULS | Spraque |
мА | Fairchild | VF | DS |
м РА | NEC | XR | Exar Integr. Systems |
мPB | NEC | ZN | Ferranti |
мРС | NEC | ZSS | Ferranti |
мPD | NEC | ZST | Ferranti |
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ