Вкачестве единства технических и гуманитарных знаний в статье рассмотрено диалектическое развитие технологий в целом с позиции основных законов материалистической диалектики. (стр. 5 из 5)

5. По уровням материи технологии подразделяются на мега-, макро-, микро-, нано-, пико-, фемтотехнологии и др. В основе технологий лежат два вида реакции: химические реакции – это электронные технологии и ядерные реакции – ядерные реакции с различной величиной электромагнитной энергии.

В данной время наиболее глубокими технологиями является квантовые, лазерные и кварковые технологии с квантами электромагнитной энергии – фотонов и кварков.

6. Синергетические технологии основаны на самоорганизации технологических открытых систем с высокой степенью взаимодействия с окружающей средой, отдаленностью от точки равновесия и направленного на выполнение принципа положительной обратной связи.

7. Интеллектуальные технологии основаны на способности созданных материалов и изделий изменять свои свойства под воздействием внешних условий в сторону повышения износоустойчивости с использованием внешней электромагнитной энергии.

8. Биотехнологии, в т.ч. генная инженерия, психотехнологии и другие, направлены на изменение структуры и свойств органических соединений под влиянием механических и электромагнитных воздействий.

9. Информационными технологиями пронизаны абсолютно все виды технологий, поэтому современный этап нашего развития называется информационной цивилизацией. Любая система связана с другими системами путем обмена массой, энергией и информацией. По степени квантования информационные технологии подразделяются на обычную и квантовую информатики. В технологических процессах информационные технологии все больше вытесняют материальную составляющую обычных технологий, превращая их в высокие технологии.

10. Итоговой целью любых технологий является повышение степени полезности любой продукции у потребителей.

11. Абсолютно все начинается с образовании – повышения уровня знаний и интеллекта (разума), в т.ч. модернизация страны и все технологии. Без повышения уровня знаний и интеллекта ни о каких высоких технологиях не может быть и речи. Поэтому необходимо переходить к созданию единой системы российского образования – самой лучшей и высокой системы в Мире. Для этого необходимо принятие «Закона о российском образовании» [2, 3].

В области образования предусмотрен переход на информационные технологии и даже создание в будущем электронных университетов.

12. Объективным путем развития России является российский путь [4]. Он заключается в использовании положительного опыта развития зарубежных стран и богатого отечественного опыта, объективного его анализа, введения поправок на российские условия и разумного движения по прогрессивному пути развития на благо России и повышения качества жизни россиян.

13. На основании проведенного анализа сформулирован Закон о технологической науке и диалектическом развитии технологий:

«Технологическая наука – это наука о способах превращения одного вида массы, энергии и информации в другой под воздействием усиления электромагнитной энергии, при котором диалектическое развитие технологий направлено в глубь вещества с целью повышения степени полезности любой продукции у потребителей».

14. В будущем технологическая наука будет успешно развиваться как междисциплинарная наука по объективным законам материалистической диалектики; ее будут преподавать в университетах.

Литература

1. Рузавин Г.И. Концепции современного естествознания. Учебник.-М.: Проспект, 2008. – 288с.

2. Хорошавин Л.Б. Модернизация страны начинается с образования – повышения уровня знаний и интеллекта. Журнал «Федерация», 2010, 11-12, с.9-12. Сайт: http://www.refractories1.narod.ru.

3. Хорошавин Л.Б. Закон о российском образовании. Журнал «Федерация», 2010, 11-12, с.12-16.
Сайт: http://www.refractories1.narod.ru.

4. Хорошавин Л.Б. Россия выйдет из кризиса обновленной//Экономика региона, 2009, № 2, с.254-256. Сайт: http://www.refractories1.narod.ru.

5. Хорошавин Л.Б., Щербатский В.Б. Гармоничные кварки в электронах и протонах./Объединенный научный журнал. 2008, №10, с.51-53. Сайт: http://www.refractories1.narod.ru.