С целью получения высокочистых монокристаллов Si28, Si29 и Si30 , необходимых для создании изотопных решеток и квантовых точек, разработаны методы синтеза глубокой очистки и анализа моноизотопных силанов 28SiH4, 29SiH4 и 30SiH4. Предложенная технологическая схема процесса обес-печивает высокий выход и исключает изотопное загрязнение целевого продукта. Впервые получены моносиланы с содержанием основного изотопа (ат.%) 28SiН4 > 99,99, 29SiН4 > 99,9 и 30SiН4 > 99,9,
в которых концентрация 30-45 проконтролированных примесей летучих соединений других элементов не превышает 10-4 мол. %. (ИХВВ РАН)