Смекни!
smekni.com

Методические указания к лабораторной работе №1 Дисц. «Энергетическая электроника» (стр. 4 из 4)

Примечание: ДЛ и ВЛ — лавинные диоды; ДЧ и ВЧ — диоды быстровосстанавливающиеся; ДЧИ — высокочастотные импульсные.

Таблица 3 — Основные параметры диодов Шоттки (Motorola)

Прибор
IO, [А] VRRM, [В] UF при номинальных IO и температуре, [B](max) IP при номинальном VRRM, [мA]. Корпус
MBR0520LT1 0,5 20 0,33 0,25 SOD-123
MBRS130LT3 1 30 0,395 1 SMB
MBRD835L 8 35 0,41 1,4 DPAK
MBRD1035CTL 10 35 0,41 6 DPAK
MBR2030CTL 20 30 0,48 5 TO-220
MBRB2532CTL 25 35 0,41 10 DPAK
MBR2535CTL 25 35 0,41 5 TO-220
MBRB2515L 25 15 0,42 15 DPAK
MBR2515L 25 15 0,42 15 TO-220

1

2

3

4

5

6

MBRB3030CTL 30 30 0,58 5 DPAK
MBR4015WT 40 15 0,42 5 TO-247
MBR5025L 50 25 0,58 0,5 TO-18
MBR6030L 60 30 0,38 50 DO-203AB
MBRP20030CTL 200 30 0,39 5 POWERTAP
MBRP60035CTL 600 35 0,50 10 POWERTAP

Семейство "SWITCHMODE" базируется на использовании технологии Шоттки для получения силовых диодов с временем восстановления менее, чем 10 нс в диапазоне токов от 0,5 до 600 А и обратных напряжений до 200 В.

Для ряда диапазонов токов гарантированная температура p-n-перехода может составлять 125, 150 и 175°С.

Диоды с более высокой температурой перехода имеют меньшие токи утечки, но более высокое прямое падение напряжения. В качестве примера в Таблице 3 приведены параметры диодов этого класса, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

Таблица 4 — Параметры диодов семейства "SCANSWITCH" .

Прибор Io, [А] vrrm, [В] tfr[нс], max Trr[нс], max перехода (max)
MUR5150E 5 1500 225 175 20
MUR880E 8 800 75
MUR10120E 10 1200 175 175 14
MUR10150E 10 1500 175 175 16

Таблица 5 — Параметры диодов семейства "SWITCHMODE"

VRRM, [В] Io, [А] При температуре Прибор Uпр, [В] Импульсные токи, [А] перехода (max) Корпус
20 0,5 TL=105°C MBR0520LT1 0,310 при 0,1А 0,385 при 0,5А 5 125 SOD-123
30 0,5 TL=105°C MBR0530T1 0,375 при 0,1 А 0,430 при 0,5 А 5 125 SOD-123
40 0,5 TL=110°C MBR0540T1 0,53 при 0,5 А 20 150 SOD-123
30 1 TL=120°C MBRS130LT3 0,395 при 1,0 А 40 125 SMB
40 1 TL=115°C MBRS140T3 0,6 при 1,0 А 40 125 SMB
100 1 TL=120°C MBRS1100T3 0,75 при 1,0 А 40 150 SMB
40 3 TL=100°C MBRS340T3 0,525 при 3,0 А 80 125 SMC
60 3 TL=100°C MBRS360T3 0,74 при 3,0 А 80 125 SMC
200 20 TC=125°C MBRB20200CT 1,0 при 20 А 150 150 D2PAK
15 25 TC=90°C MBRB2515L 0,45 при 25 А 150 100 D2PAK
35 25 TC=110°C MBRB2535CTL 0,47 при 12,5 А 0,55 при 25 А 150 125 D2PAK
45 25 TC=130°C MBRB2545CT 0,82 при 30 А 150 150 D2PAK
30 30 TC=115°C MBRB3030CT 0,51 при 15 А 0,62 при 30 А 300 150 D2PAK
30 30 TC=95°C MBRB3030CTL 0,45 при 15 А 0,51 при 30 А 150 125 D2PAK
30 40 TC=110°C MBRB4030 0,46 при 20 А 0,55 при 40 А 300 150 D2PAK




В Ы П И С К А

из протокола заседания кафедры “Электрические станции”

№ от

Слушали : Ст. преподавателя кафедры Петрова Н.В. об издании методических указаний “Поперечная дифференциальная токовая направленная защита параллельных линий” по дисциплинам “Защита и автоматика элементов СЭС”, “Релейная защита и автоматика” “Релейная защита”, для студентов 4 курса, специальностей ЭПА, ЭС, Э , в ВятГТУ.

Постановили: рекомендовать к изданию МУ Петрова Н.В. ”Поперечная дифференциальная токовая направленная защита параллельных линий” в ВятГТУ тиражом 100 экземпляров.

Зав. каф. ЭС А.В. Новиков

Ученый секретарь Р.В. Медов


В Ы П И С К А

из протокола заседания методического совета ЭТФ

№ от

Слушали: Новикова А.В., доцента кафедры “Электрические станции” об издании методических указаний ст. преподавателя Н.В. Петрова “Поперечная дифференциальная направленная токовая защита параллельных линий” для студентов 4 курса, специальностей ЭПА, ЭС, Э по дисциплинам “Защита и автоматика элементов СЭС”, “Релейная защита и автоматика”, “Релейная защита”.

Постановили: рекомендовать методические указания Петрова Н.В. “Поперечная дифференциальная токовая направленная защита параллельных линий” для специальности ЭПА, ЭС, Э, 4 курса к изданию в ВятГТУ, тиражом 100 экземпляров.

Председатель методсовета ЭТФ А.В.Голговских

Ученый секретарь М.Ф. Осинина