m n
где M N
Imnсл =jSS (r•w1+s•w2) •C•Ursc• w-r-s (119)
r s
линейная проводимость
M N
iG(t)=(1/4)S SG•UmnG• w-m-n (120)
m n
С учетом всех пред идущих выводов в матричной форме получим систему в области комплексных амплитуд используя одномерное преобразование Фурье
M N M N M N
(|Асн|/4)• SS Imnсн +(|Ас|/4)• SSImnс+(|Ас|/4)• SSImnн+
m n m n m n
M N M N M N
+(|АR|/4)•S SG•|Ас|t•Umn= (1/4) •SSImnвx1+(1/4) •SSImnвx2 (121)
m n m n m n
где
2p 2p
óó M N
Imncн=(jw1/4p2)•ôôС• (|Асн|/4)•[SSUmn•w-m-n]•wmn•
õõ m n
0 0
MN
•[SS(r+s•w2/w1)•|Асн|t•Urs•wrs]•dt1•dt2
r s
MN
Incл=jSS(r•w1+s•w2)•С•|Асн|t•Urs (122)
r s
2p2p
óó M N
Inн=(1/p2)•ô ôiн•[SS•|Асн|t•Umn•w--m-n]•wmn •dt1•dt2 (101)
õõ m n
0 0
ПРИМЕР МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ЭЛЕКТРОННОЙ СХЕМЫ В ДИНАМИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ ПРИ ДВУХ БОЛЬШИХ СИГНАЛАХ. ЧАСТОТНАЯ ОБЛАСТЬ.
Рис. 13
Пусть входное воздействие на схему (рис.13) будет иметь постоянную и две переменные составляющие гармонически не связанные:
uвх(t) = u01+u1м•sin(w1•t)+u2м•sin(w2•t) (123)
Тогда система уравнений описывающая данную схему будет иметь вид:
uД(t) + uR(t) = u1вх(t)+u2вх(t)
iД(t) + iС(t) -- iR(t) =0
iС(t)=C•duД(t)/dt (124)
iR(t)=GR•uR(t)
iД(t)=Io•(eu(t) / jт --1)
Перейдем от уравнений (124) во временной области к уравнениям в частотной области (U, I -комплексные величины).
Гармоники входного воздействия:
2p 2p
óó
uвх(t) Û Umn=1/(4p2)•ôôuвх(t)•е-j•(m•t1+n•t2)•dt1•dt2 (125)
õõ
0 0 где t1=w1•t, t2=w2•t
Получим U00 ÛUo, U01 ÛU2, U12 Û0,U10 ÛU1, U02 Û 0, U21 Û0
U20 Û 0 …….. ………
Гармоники тока через диод:
2p 2p
óó æ 0.5• jт•SSUкД•еj•(m•t1+ n•t2) ö
iД(t)ÛImnД=1/(4p2)•ôôIо•ç е m n --1÷• е-j(mt1+nt2)•dt1•dt2
õõ è ø
0 0 где t1=w1•t, t2=w2•t (126)
Ток через емкость для к-ой гармоники:
(линейная емкость) iС(t) Û ImnС= j•(m•w1+n•w1)•C•UmnД (127)
Ток через резистор для к-ой гармоники:
iR(t) Û ImnR= GR•UmnR (128)
Система уравнений (124) относительно комплексных амплитуд при m=0,1,2,3,…. и n=0,1,2,3,…. имеет вид:
UmnД +UmnR--UmnВХ=0 Þ F1(I), I=1,2,3,….
ImnД +ImnC -ImnR=0 Þ F2(I) (129)
С учетом (125)-(128) уравнения (129) запишутся
UmnД +UmnR--UmnВХ= F1(I)
ImnД +j•(m•w+n•w)•C•UmnД-GR•UmnR=F2(I) (130)
___Ú___
FIД {UmnД} или
I00д(SUmnД) | 0•С•U00Д | U00R | F1 | ||||
I01д(SUmnД) | j•(0+w2)•С•U01Д | U01R | F2 | ||||
I02д(SUmnД) | j•(0+2w2)•С•U02Д | U02R | F3 | ||||
I10д(SUmnД) | j•(w1+0)•С•U10Д | U10R | F4 | ||||
I11д(SUmnД) | + | j•(w1+w2)•С•U11Д | - | GR|• | U11R | = | F5 | (131) |
………….. | ………………….. | …… | …. | ||||
I21д(SUmnД) | j•(2w1+1w2)•С•U21Д | U21R | F8 | ||||
I22д(SUmnД) | j•(2w1+2w2)•С•U22Д | U22R | F9 | ||||
………….. | ………………….. | …… | …. | ||||
………….. | ………………….. | …… | …. |
МЕТОДЫ И АЛГОРИТМЫ АНАЛИЗА ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ
Наибольшее распространение при анализе чувствительности нашли метод приращений, методы, основанные на решении уравнений чувствительности - моделей чувствительности, метод присоединенных схем [1,4,5] .
В методах моделей чувствительности вид уравнении чувствительности определяется уравнениями схемы относительно множества качественных. показателей или характеристик и методом анализа чувствительности (например, в методах сопряженных систем и вариационном [1,5] формируется специальная сопряженная система).
Например, чувствительность коэффициентов передачи по напряжению по параметрам d в частотной области для схемы ТРУ ((69)-(70)), определится из соотношения
SKd=(d/K)•(¶K/¶d)=[d/(K•Uвх)]•(¶ j/¶ d)=
=[d/(K•Uвх)]•|Y-1|•[(¶Y/¶d)•j + (¶I/¶d)] (132)
Как видим, вычисление вектора чувствительноcтей связано с решением системы линейных уравнений с той же матрицей схемы |Y| и новой правой частью, в которой присутствуют производные ¶Y/¶d и ¶I/¶d. Расчет чувствительности линейных схем во временной области (см. 49) сводится к численному интегрированию дополнительной системы уравнений
Y=А•Y +(¶А/¶d)•x +(¶B/¶d)•U(t) (133)
где Y=¶x /¶d, Y=¶Y /¶ t
и вычислению
Sxd=(d/x )•Y
Подобным образом можно получить соотношения для анализа чувствительности электронных схем в статическом и нелинейном динамическом режимах. Относительное отклонение качественных показателей связано с чувствительностью следующим образом