Таблица 2. Основные параметры Ge, Si и GaAs
| Параметр (при Т=3000К) | Германий | Кремний | Арсенид галлия |
| Собственное удельное сопротивление ρ, Ом.см | 47 | 2,3*105 | 108 |
| Ширина запрещённой зоны ΔWз, эВ | 0,67 | 1,12 | 1,42 |
| Эффективная масса электрона по отношению к массе свободного электрона mn/ m0 | 0,22 | 0,33 | 0,07 |
| То же для дырок mр/ m0 | 0,39 | 0,55 | 0,5 |
| Эффективная плотность состояний, см-3 | |||
| в зоне проводимости Nc | 1019 | 2,8*1019 | 4,7*1017 |
| в валентной зоне Nv | 6*1018 | 1019 | 7*1017 |
| Собственная концентрация ni0, см-3 | 2,4*1013 | 1,45*1010 | 1,8*106 |
| Подвижность, см2/В*с | |||
| электронов μn | 3900 | 1500 | 8500 |
| дырок μр | 1900 | 450 | 400 |
| Коэффициент диффузии, см2/с | |||
| электронов Dn | 100 | 36 | 290 |
| дырок Dр | 45 | 13 | 12 |
Электрическое поле пробоя, В/см | 1,42 | 1,05 | 1,15 |
| Относительная диэлектрическая проницаемость ε | 16 | 12 | 13 |
5. Литература
1. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: Учебное пособие/ – СПб. Питер, 2003. – 512 с.: ил.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 7-е изд., испр. – СПб.: Издательство «Лань», 2003. – 480 с.: ил. – (Учебники для вузов. Специальная литература).
3. Батушев В.А. Электронные приборы: Учебник для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М: Высш. шк., 1980. – 383 с.: ил.
4. Электронные приборы: Учебник для вузов/ В.Н. Дулин, Н.А. Аваев, В.П. Дёмин и др.; Под ред. Г.Г. Шишкина. – 4-е изд., перераб. и доп. . – М: Энергоатомиздат, 1989. – 486 с.: ил.
5. Фридрихов С.А. Мовнин С.М. Физические основы электронной техники: Учебник для вузов. – М.: Высш. шк., 1982. – 608 с.: ил.
6. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2000. – 488 с.: ил.
7. Пасынков В.В., Сорокин Материалы электронной техники: Учебник. 5-е изд., стер. – СПб.: Издательство «Лань, 2003. – 368 с., ил. – (Учебники для вузов. Специальная литература).
8. Андреев В.М. и др. Материалы микроэлектронной техники: Учеб. пособие для вузов. – М.: Радио и связь, 1989.
9. Бреус. А.И. Физические основы электроники.: Конспект лекций. – Самара: 2003. – 58 с.: ил.
10. Логинов Н.П., Рудь В.В., Маслов М.Ю., Ситникова С.В. Химия радиоматериалов: Методические указания и контрольные задания для студентов дневной, заочной и дистанционной форм обучения всех специальностей по направлению «Телекоммуникации». – Самара: ПГАТИ, 2003. – 18 с.: ил.
11. Рудь В.В., Коновалов А.П., Луппов А.Н., Ситникова С.В. Методическая разработка по темам лабораторных модулей 3,4,5. Исследование полупроводниковых приборов. – Самара: ПГАТИ, 1995. – 102 с.: ил.
ПРИЛОЖЕНИЕ
Значения энергии ионизации (активации) примеси различного типа
Полупроводник электронного типа
|
Донорная примесь | Энергия ионизации примеси DWd (эВ) | |
| Материал | ||
| Германий (Ge) | Кремний (Si) | |
| Фосфор (Р) | 0,012 | 0,044 |
| Мышьяк (As) | 0,013 | 0,049 |
| Сурьма (Sb) | 0,0096 | 0,039 |
Полупроводник дырочного типа
| Акцепторная примесь | Энергия ионизации примеси DWa (эВ) | |
| Материал | ||
| Германий (Ge) | Кремний (Si) | |
| Бор (Р) | 0,0104 | 0,045 |
| Алюминий (Al) | 0,0102 | 0,057 |
| Галлий (Ga) | 0,0108 | 0,065 |
| Индий (In) | 0,0112 | 0,16 |