Смекни!
smekni.com

Мікроскопія (стр. 4 из 4)

За допомогою точкового аналізу можуть бути дуже добре ідентифіковані окремі частинки інтерметалічних, карбідних та неметалічних включень у структурі. В ряді випадків при цьому досліджувані частинки «просвічуються», і разом з ними пвд аналіз підпадає основний матеріал, що може спотворити справжні дані про склад частинок. Крім того, на результати аналізу впливає і те, що і сусідні з частинками області підлягають дії відбитих електронів. В цьому випадку, звичайно, точна кількіcна оцінка неможлива, однак частіше для ідентифікації частинок вже достатньо отримати загальну інформацію про елементи, що знаходяться в них. В деякий випадках аналіз дрібних частинок, які розташовані на поверхні свіжого зламу, є єдиним методом визначення причин його походження.

Лінійний аналіз

У випадку, коли при дослідженні накопичені окремі результати точкового аналізу на одному зразку і встановлений різний склад конкретного елементу, доцільно отримати уявлення про розподілення цього елементу вздовж визначеної прямої, тобто провести лінійний аналіз. Електронний зонд повільно переміщуєьтся по поверхні зразка вздовж цієї прямої. Якщо при цьому через постійні проміжки часу реєструвати число імпульсів в каналах багатоканального аналізатора, то буде отримана діаграма зміни складу по шляху, що пройдений електронним зондом. Довжина вимірювальної прямої може бути до 5 мм.

Картина розподілення елементів

Синхронне сканування зразка і считування з екрану растрового електронного мікроскопу дозволяє отримати картину розподілення елементів. Ці зображення тільки доповнюють результати точкового аналізу. Тонкі відмінності по концентрації елементів в цих зображеннях розподілення не відображені, однак вони є цінним доповненням до металографічних (і растрових) знімках.

На відміну від дифракційнно-дисперсійного аналізу, де картини розподілення елементів можна отримати тільки у випадку плоских зразків, при використанні енергодисперсіного аналізу картини розподілення елементів можуть бути отримані також при аналізі сильно шершавих чи зігнутих поверхонь.

2.3. Спектроскопія за допомогою електронів з низькою енергією (Оже-спектроскопія)

В спектрі електронів, що випромінюються зразком, є Оже-електрони, які можуть бути використані для аналізу наружних тонких шарів (2-3 нм). Для проведення цього аналізу необхідні чистота свіжої поверхні зразків і дуже високий вакуум, що досягається при тривалому відкачуванні. Тому при використанні Оже-електронів для аналізу тонких поверхневих шарів доцільно переустаткувати РЕМ, добавивши до нього сверхвакуумну систему а також іонну гармату для очищення зразків і послідовного зняття поверхневих шарів. Слід відмітити загальну високу роздільну здатність електронних знімків (<10нм) і гарне місцеве розділення при здійснені Оже-спектроскопії.