Микроэлектроника (стр. 4 из 6)

A - свободная маска; B - подложка

1,2 — напыление резисторов, проводников и контактных площадок

3-6 — напыление слоев конденсатора и защитной пленки

Рис. 4

2.4 Выбор компонентов

В данной схеме 4 активных компонента: транзисторы VT1...VT4.

Для реализации данной схемы наиболее подходят по параметрам безкорпусные маломощные биполярные транзисторы КТ359А.

Основные параметры:

Тип проводимости:	n-p-n
Максимальный ток коллектора Iк max, мА:	20
Максимальная мощность в цепи коллектора Pк max, мВт:	15
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб£10 кОм Uкэ, В:	15
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером h21э:	50-280
Диапазон рабочих температур, °C	-50¸85

Габаритные размеры, мм:

a:	0.75
b:	0.75
L	не более 3
H:	0.34

Интервал рабочих температур: -50¸85 °C

Массане более 0.010г

Размеры контактных площадок зависят от способа получения конфигурации (для маски: внешние - 0.4*0.4 мм, внутренние 0.2*0.25 мм)

Способ установки на плату, габаритные и присоединительные размеры транзистора изображены на рис. 5

Способ установки на плату, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ359А

L

0.2

0.75

n 0.75 n + 0.2

m m + 0.2

H

Рис. 5

2.5 Разработка схемы соединений

Разработка коммутационной схемы соединений является составной частью топологического проектирования и включает в себя преобразование исходной электрической схемы с целью составления плана размещения элементов и соединений между ними на подложке микросхемы.

Основные принципы разработки: упрощение конфигурации электрической схемы для уменьшения числа пересечений и изгибов, получения прямых линий и улучшения субъективного восприятия, выделение на преобразованной схеме пленочных и навесных элементов, размещения на электрической схеме внутренних и периферийных контактных площадок.

Коммутационная схема представлена на рисунке 6.

Коммутационная схема

Б1 К2 Б4 К3

C3 C1

К1 R3 C2 C4 R6

K4 R1 R7 R2

R5 R4 R8 R9