Режим двойной Активный режим Uэ
Инжекции
По выходным характеристикам ярко видны 2 режима работы (2 области):
1) Uк>0
2) Uк<0
Первая соответствует нормальному активному режиму при обратно – смещенном (коллекторном) p-n переходе (1 квадрат), а вторая (2 квадрат) – режиму двойной инжекции. При этом Iк резко меняет направление. По приведённым характеристикам можно определить параметры транзистора. Например,
h21Б = Iэ/Iк , h11 = Uэ/Iэ и т.д.
Для схемы с ОЭ входной управляющий сигнал – базовый ток Iб. Поэтому выходная характеристика представляет собой зависимость
Iк = Uкэ)|Iб = const.
Снимают, обычно семейство таких зависимостей при различных входных токахIб. Входная характеристика - Iб = Uбэ) при Uкэ = const.
Iк Режим насыщения Iб Eк/R к В S>1 5 1,5 L(Uбн) 1мА K43мА
S<1 32мА
2 1мА A 0,5
0,1В
Для чего нужны на практике подобные зависимости?
Как отмечалось выше, по таким зависимостям можно определить численное значение
h – параметров Т. Кроме того, расчёты электронных схем необходимо выполнять с целью обеспечения заданных параметров схемы, которые, в свою очередь, существенно зависят от режима работы транзистора. При таких расчётах необходимо знать зависимость
Uк = Iк, Iб)
и другие подобные зависимости. Рассмотрим на примере схемы с ОЭ.
Для определения этих зависимостей на выходных характеристиках строят т.н. нагрузочную зависимость (коллекторную динамическую характеристику). Из схемы видно: +Ек Uк = Ек - IкRк Iк Rк Т.к. для данной схемы Ек и Rк = const, то зависимостьUк является уравнением прямой линии. Для её построения
Iб требуется найти 2 точки:
1) Пусть Iк = 0, тогда Uк = Ек
2) Создадим режим К.З по выходу
Uк = 0, тогда Iк = Ек/Rк
Т.к. зависимость линейная, то через 2 известных точки
проводим прямую, называемую нагрузочной. Она имеет
Iэ наклон (угол ) – обратно пропорционально зависящий от Rк. По нагрузочной прямой можно определить величину Uк и Iк при определённом входном токе (ток Iб). Например, при подаче Iб = 3мА получим Iк = 1мА, Uк = 3В. Если Iб имеет до 4мА, то Iк = 1,5мА, Uк = 2,5В (координата точки L).