Смекни!
smekni.com

Влияние ультразвука на ЭПР и фотолюминесценцию кристаллов ZnS (стр. 3 из 3)

Как видно из рис.1, с ростом x величина намагниченности mR вначале уменьшается от ~2.9 mБ практически до нуля при x » 0.22, а затем увеличивается по модулю до ~8.2 mБ при x » 1.0. Такое поведение mR (x) становится понятным, если принять во внимание, что магнитный момент иона Tb примерно в три раза больше, чем момент иона Nd, и то, что в соответствии с моделью антиферромагнитного упорядоче-ния моментов ионов R¢ и R² в кубических интерметаллидах типа R¢1-xR²xM2 [1] следует ожидать антипараллельного упорядочения полных моментов ионов Nd и Tb в интерметаллиде Nd1-xTbxCo2. С ростом концентрации x увеличивается и намагниченность mCo (см. Рис.1b), что согласуется с представлениями о метамагнитной природе зонной подсистемы. Как известно, в случае соединений типа RCo2 поведение зонной метамагнитной подсистемы может быть описано соотношением [1] mCo = (gJ-1) JRIR-Co, где gJ - фактор Ланде, JR - полный момент иона R, IR-Co - параметр R-Co - обменного взаимодействия. В случае соединений Nd1-xTbxCo2 с ростом x величина (gJ-1) JR увеличивается, (так как спин тербия больше спина неодима), а, следовательно, будет увеличиваться и намагниченность подрешетки Co.

Итак, во всем интервале концентраций x магнитная структура соединений Nd1-xTbxCo2 описывается волновым вектором k = 0. Получено, что намагниченности R - и Co - подрешеток параллельны между собой при x £ 0.22 и антипараллельны при x > 0.22. Концентрационная зависимость намагниченности подрешетки Co подтверждает модель метамагнитного поведения зонной подсистемы в соединениях типа RCo2.

Список литературы

1. И.В. Островский Акустолюминесценция и дефекты кристаллов. Киев: Вища шк., 1993, 219 с.

2. С.А. Омельченко, А.А. Горбань, М.Ф. Буланый, А.А. Тимофеев ЭПР-исследования изменений зарядового состояния Cr по сечению дислокационных трубок в кристаллах ZnS // ФТТ, том 48, вып.5, с.638-642.

3. М.Ф. Буланый, А.Г. Сорокин, А.К. Флоров, А.Н. Хачапуридзе Автоматизированная система измерения спектров люминесценции полупроводников // Тез. докл. IX Науч.-техн. конф. с участием зарубежных специалистов “Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления” - Датчик-97. Гурзуф. 1997. с.351 - 353.