Крім міді, глибокі домішкові рівні в германію та кремнію дають атоми золота, марганцю, заліза, нікелю, кобальту й платини. Ці рівні відіграють значну роль у протіканні процесів рекомбінації неосновних носіїв заряду.
Метою даної роботи було вивчення зонної структури напівпровідників.
1. У роботі було розглянуто поділ речовин на метали, діелектрики та напівпровідники, встановлено їх основні електрофізичні характеристики.
2. На основі рівняння Шредінгера встановлено зонний характер енергетичних спектрів електронів у кристалах напівпровідників. Розглянуто приблизні розв’язки рівняння Шредінгера для кристала напівпровідника.
3. Дане пояснення поняття зон Бріллюєна, та встановлена енергетична будова таких напівпровідникових матеріалів як германій та кремній.
4. На основі теорії будови напівпровідників показано введення поняття дірки, яка є певною мірою віртуальною частинкою, але введення такого поняття дозволяє складну задачу про рух величезного числа електронів валентної зони по вакантних рівнях замінити значно більш простою задачею про рух невеликого числа дірок, що розташовуються на цих рівнях.
5. У роботі розглянуто вплив домішок на структуру та електрофізичні властивості напівпровідників, утворення донорних та акцепторних рівнів, рівнів прилипання.
1. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. М.:
Советское радио, 1971, 374 с.
2. Шалимова К. В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976, 417 с.
3. Гаман Н. И. Физика полупроводниковых приборов. Томск.
Издательство Томского университета, 1989. 335 с.
4. Случинская И. А. Основы материаловедения и технологи
полупроводников. М.: Либрус, 2002, 376 с.
5. Киттель И. Квантовая теория твёрдого тела. – М. :Мир, 1967. – 491 с.
6. Харрисон У. Теория твёрдого тела. – М. :Мир. – 1978. – 616 с.
7. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. – М.: Мир, 1965. – 588 с.
8. Бир Г.А., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. – М.: Наука, 1972. – 583 с.
9. Каллуей Дж. Теория энергетической зонной структуры. – М. :Мир, 1969. – 354 с.