Смекни!
smekni.com

Расчет МДП-транзистора с индуцированным каналом (стр. 2 из 3)

Заряд ионизированных примесей определяется соотношением:

,

где

- толщина обедненной области под инверсным слоем при
.

Контактная разность потенциалов между электродом затвора и подложкой находится из соотношения:

.

Пример расчета:

В - для
см-3

Кл/см2

В

В

В качестве металла электрода была выбрана платина (Pt), т.к. она имеет наибольшую работу выхода электронов, что увеличивает пороговое напряжение.

Результаты вычислений сведем в таблицу:

, см-3
, В
, см-3
, В
Металл электродов
, эВ
, В
1011 0,65 0,5·10-8 2,08 Al 4,1 0,88
1012 0,71 0,6·10-8 2,06 Ni 4,5 1,28
1013 0,79 0,7·10-8 2,04 Cu 4,4 1,18
1014 0,92 0,8·10-8 2,02 Ag 4,3 1,08
1015 1,22 0,9·10-8 2,00 Au 4,7 1,48
1016 2,08 10-8 1,98 Pt 5,3 2,08

В результате расчетов было получено значение максимальное значение

В при
см-3. Для того, чтобы получить
В, требуется ввести новый технологический процесс, а именно имплантацию в приповерхностный слой отрицательных ионов акцепторной примеси с зарядом
Кл/см-2, которая позволит увеличить пороговое напряжение.

В итоге получаем следующие параметры:

, см-3
, см-3
, эВ
, мкм
, Ф/см2
T, K
, В
107 1016 1,43 0,16 5·10-8 0 0,52
, эВ
, эВ
, эВ
, В
, Кл/см2
, Кл/см2
, В
4,07 5,307 5,3 -0,0072 5,68·10-8 9,6·10-8 4

Температурная зависимость порогового напряжения:

К
К
К
, см-3
, В
, 10-8 Кл/см2
, В
, В
1013 0 0,35 0,36 0 0,15 0,15 0,52 0,17 0,16 2,34 2,72 2,73
1014 0 0,41 0,42 0 0,50 0,51 0,52 0,11 0,099 2,34 2,85 2,86
1015 0 0,46 0,48 0 1,69 1,71 0,52 0,051 0,04 2,34 3,15 3,16
1016 0 0,52 0,53 0 5,68 5,75 0,52 -0,0072 -0,02 2,34 4,00 4,03

Рис.3. Температурная зависимость порогового напряжения.


Из приведенных расчетов видно, что концентрация примесей, а также количество вводимых ионов были выбраны правильно, что обеспечило требуемую величину порогового напряжения (4 В).

IV. Определение ширины канала:

Ширину канала в первом приближении можно определить из соотношения:

,

где

- крутизна характеристики передачи,
- заданный ток стока,
- подвижность носителей заряда в канале при слабом электрическом поле.

Пример расчета:

мкм

Результаты вычислений сведем в таблицу:

, мкм
, мА/В
, Кл/см2
, В
, Ф/см2
, см2/ (В·с)
, мА
, мкм
4,29 1,2 5,68·10-8 0,52 5·10-8 700 40 9,41

Т.к. ширина канала по величине сравнима с длиной каналу (

), то выбираем топологию транзистора с линейной конфигурацией областей истока, стока и затвора.

V. Расчет выходных статических характеристик МДП-транзистора: