Примем R9= 2,2 кОм.
Расчет сопротивления резистора R12 в цепи затвора:
Выходной ток микросхемы DA1 требуемый для переключения транзистора VT1 с учетом того, что время переключения совпадает с временем спада (tСП)
А.где Q3 =60 нКл – полный заряд транзистора VT1.
Ом.Примем R12=22 Ом.
Выбор элементов генератора:
Согласно документации на микросхему КР1033ЕУ15А, если выбрать номинал резистора генератора (R6) равным 20 кОм, то емкость конденсатора генератора (С7):
пФ.Примем С7=4700 пФ.
Мощность, выделяемая на микросхеме DA1
Потери на управление коммутирующим транзистором:
Вт.Потери на микросхеме:
Вт,где IМС=20 мА – ток, потребляемый во включенном состоянии.
Общие потери на управление, выделяемые на микросхеме DA1:
Вт.Эта мощность меньше чем максимальная мощность, рассеиваемая микросхемой (1 Вт).
Выбор элементов обратной связи по напряжению:
Образцовое напряжение микросхемы DA2 составляет 2,5 В. Выходное напряжение приводят к образцовому при помощи делителя, верхнее плечо которого R16, R17, а нижнее R18. При токе делителя (Iдел) 10 мА сопротивление резистора нижнего плеча делителя:
Ом.Верхнее плечо делителя:
кОм.Исходя из полученных результатов, выбираем R16=100 кОм, R18=240 Ом. Резистор R17=10..20 кОм служит для точной установки напряжения на нагрузке.
Предполагается, что индуктивность рассеяния трансформатора (Ls) находится в интервале (0,5…1,5) мкГн. Примем Ls=1,5 мкГн.
По закону сохранения энергии ELS=ECД=ЕС13,
где ELS– энергия, накопленная в индуктивности рассеяния трансформатора к окончанию этапа накопления;
ЕСД – энергия, которую должен поглотить конденсатор демпфирующей цепи С13 при заданном приращении напряжения на нем (UСд=ULS=25 В).
Из Ls*I1и2 =С13*UСд2:
нФ.Выбираем конденсатор ОМБГ-1 емкостью 0,5 мкФ на номинальное напряжение 1000 В.
Амплитуда напряжения на демпфирующем конденсаторе:
В.Сопротивление демпфирующего резистора RД (R14) рассчитаем исходя из того, что напряжение на демпфирующем конденсаторе уменьшается на ΔUCДза период, чтобы к моменту следующей коммутации конденсатор мог поглотить новую порцию энергии.
Ом.Выбираем резистор R14=150 Ом для обеспечения заведомой разрядки демпфирующего конденсатора во всех режимах работы преобразователя в двое меньше расчетного.
Напряжение на резисторе R14 равно:
В.Мощность, рассеиваемая резистором:
Вт.Выбираем резистор мощностью 3 Вт.
Диод демпфирующей цепи должен выдерживать импульсный ток
I1И=50,6 А, обратное напряжение UобрVT1= 366,5 В и иметь повышенное быстродействие.
Принимаем диод КД206А.
Полученное значение КПД примерно равно принятому в начале расчетов.
1. Семенов Б. Ю. Силовая электроника: от простого к сложному, М: Солон – Пресс, 2005.
2. Утляков Г. Н. Источники вторичного электропитания бортового оборудования летательных аппаратов: Учебное пособие. – М.: Изд-во МАИ, 2002.
3. Электротехнический справочник. В 3-х т./Под общ. ред. профессоров МЭИ В. Г. Герасимова, П. Г. Грудинского, Л. А. Жукова и др. – 6-е изд., испр. и доп. – М.: Энергия, 1980 – 520 с.
4. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Г. С. Найвельт, К.Б. Мазель, Ч. И. Хусаинов и др. Под ред. Г. С. Найвельта.-М.: Радио и связь, 1986.
5. <http://www.inp.nsk.su/~kozak/diodes/dih00.htm>
5. <http://www.inp.nsk.su/~kozak/pt/pth00.htm
6. < http://www.tkkt.ru/catalogue/index.php>