У основі електрохімічного осадження лежить електроліз розчину, що містить іони необхідних домішок. Наприклад, якщо потрібно осадити мідь, використовується розчин мідного купоросу, а якщо золото або нікель – розчини відповідних солей.[4]
Іони металів дають в розчині позитивний заряд. Тому, щоб осадити металеву плівку, підкладку слід використовувати як катод. Якщо підкладка є діелектриком або має низьку провідність, на неї заздалегідь наносять тонкий металевий підшар, який і служить катодом. Підшар можна нанести методом термічного або іонно-плазмового напилення.[4]
Щоб здійснити електрохімічне анодування, окислювану плівку металу слід використовувати як анод, а електроліт повинен містити іони кисню.
Велика перевага електрохімічного осадження перед напиленням полягає в набагато більшій швидкості процесу, яка легко регулюється зміною струму. Тому основна сфера застосування електролізу в мікроелектроніці – це отримання порівняльне товстих плівок (10 – 20 мкм і більш). Якість (структура) таких плівок гірша, ніж при напиленні, але для ряду застосувань, плівки виявляються цілком прийнятними.[5]
В даній курсовій роботі розглянуто компоненти та елементи інтегральних мікросхем.
1. Інтегральна схема - електронний прилад, який складається з багатьох мініатюрних транзисторів та інших елементів схеми, об'єднаних у моноблок (чіп).
2. Сукупність технологічних операцій, складових технологічний маршрут виробництва тонкоплівкових ІС, включає підготовку поверхні підкладки, нанесення плівок на підкладку і формування конфігурацій тонкоплівкових елементів, монтаж і збірку навісних компонентів, захист і герметизацію ІС від зовнішніх дій. Важливе значення при створенні ІС мають контрольні операції, а також підготовка виробництва: виготовлення комплекту масок і фотошаблонів, контроль компонентів ІС і початкових матеріалів.
3. Нанесення плівок на підкладку ІС здійснюється:
а) термічним випаровуванням матеріалів у вакуумі з конденсацією пари цих матеріалів на поверхню підкладки;
б) іонним розпилюванням мішеней з матеріалів, що наносяться, з перенесенням атомів мішеней на поверхню підкладки;
в) хімічним осадженням плівок в результаті протікання хімічних реакцій в газовій фазі над поверхнею підкладки з утворенням плівкотвірної речовини з подальшим його осадженням на підкладку.
1. Малышев И.А. "Технология производства интегральных микросхем". – М.: Радио и связь, 1991.
2. В.А. Хрусталев. Нанесение тонких пленок в вакууме методами термического испарения и ионно-плазменного распыления. / Машиностроение. Энциклопедия / Ред. совет: К.В. Фролов и др. – М.: Машиностроение. Технологии, оборудование и системы управления в электронном машиностроении. Т. III-8 / Ю.В. Панфилов, Л.К. Ковалев, В.Г. Блохин и др.; Под общ. ред. Ю.В. Панфилова. 2000, с.208-213.
3. Технология вакуумной металлизации полимерных материалов. / Ю.В. Липин, А.В. Рогачев, С.С. Сидорский, В.В. Харитонов. – Гомель: Гомельское отдел. Белорус. инж. технологич. академии, 1994. – 206 с.
4. Козлов В.М. Новое оборудование и технологические процессы для нанесения покрытий в вакууме // Труды постоянно действующего научно-технического семинара "Электровакуумная техника и технология" (за 1997/98 гг.) Под ред. А.В. Горина – М.: 1999.
5. Одиноков В.В. Современное вакуумное оборудование для нанесения пленок магнетронным распылением в микроэлектронике // Труды постоянно действующего научно-технического семинара "Электровакуумная техника и технология" (за 1997/98 гг.) Под ред. А.В. Горина – М.: 1999.
6. Ядин Э.В., Аусвальд Э.Я. Вакуумные установки для металлизации рулонных материалов. / Металлизация в вакууме, Рига: "АВОТС", 1983, с. 89-101.