2. Більшість сучасних елементів датчиків газу – поверхневі датчики газу, принцип дії яких опирається на поверхневих явищах – зміні опору напівпровідника під впливом адсорбованого газу (найбільш поширеним при цьому є використання в якості детектуючого елементу оксиду олова);
3. Надзвичайно важливим є пошук та створення нових, високої чистоти матеріалів (наприклад, GaN, InN...) , побудова конструктивно нових - нанорозмірних структур (наношарів, нанодротів, наностовпчиків, нанокрапок ...), вдосконалення технологій росту даних структур (з використанням процесу осадження з газової фази, МПЕ), обробки поверхонь, нанесення контактів;
4. І хоча при порівнянні параметрів детекторів, детектори газу на новітніх матеріалах та структурах ще не випереджають комерційних (у випадку детекції водню та моноксиду вуглецю, як це показано вище - діапазони детекції вже перетинаються), майбутнє без сумніву за першими.
Тільки поєднання високих технологій на базі сучасних фізики та хімії може забезпечити низьку ціну, малі розміри, добре співвідношення сигнал/шум, простоту та надійність конструкції, обратимість реакції на гази, селективність, нечутливість до отруєння, високу швидкодію, сумісність з електронними схемами управління, температурну та часову стабільність, тобто все те, що ставиться як вимога до досконалого детектору газу.
Література
1. Плешков А.П. Электрофизические свойства пленок Sn2O2 и гетероструктур n-Sn2O2/p-Si. Автор. канд. дис. Воронеж, -2007, 15 с.
2. http://www.insovt.ru/sensors/
3. О.А. Агеев, В.М. Мамиконова, В.В. Петров, В.Н. Котов, О.Н. Негоденко Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин. Изд.-Таганрог, -2000, -155с.
4. Игнатьева Н.О. Датчики газа Figaro http://www.platan.ru/article/paper.pdf.
5. M. Graf,D. Barrettino, H. P. Baltes,A. Hierlemann CMOS Hotplate Chemical Microsensors. Springer-Verlag Berlin Heidelberg, -2007, -125 p.
6. http://www.appliedsensor.com/products/
7. M. Ali, Ch.Y. Wang, C.-C. Rohlig, V. Cimalla, Th. Stauden, O. Ambacher, NOx sensing properties of In2O3 thin films grown by MOCVD, Sensors and Actuators B №129, pp. 467–472, -2008.
8. J. Schalwig, G. MuЁller, M. Eickhoff, O. Ambacher, M. Stutzmann, Gas sensitive GaN/AlGaN-heterostructures Sensors and Actuators B №87, pp. 425–430, -2002.
9. B. S. Kang, R. Mehandru, S. Kim, and F. Ren,R. C. Fitch, J. K. Gillespie, N. Moser, G. Jessen, T. Jenkins, R. Dettmer, D. Via, and A.Crespo, B. P. Gila, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Hydrogen-induced reversible changes in drain current in Sc2O3 /AlGaN/GaN high electron mobility transistors Appl. Phys. Lett. -84, №23, pp. 4635-4637, -2004.
10. B. S. Kang and F. Ren, B. P. Gila, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, AlGaN/GaN-based metal–oxide–semiconductor diode-based hydrogen gas sensor, Appl. Phys. Lett. -84, №7, pp. 1123-1125, -2004.
11. Junghui Song and Wu Lu, Jeffrey S. Flynn and George R. Brandes, Pt-AlGaN/GaN Schottky diodes operated at 800 °C for hydrogen sensing, Appl. Phys. Lett. -87, pp. 1335011-3, -2005.
12. Hung-Ta Wang, T. J. Anderson, and F. Ren, Changzhi Li, Zhen-Ning Low, and Jenshan Lin, B. P. Gila and S. J. Pearton, A. Osinsky and Amir Dabiran, Robust detection of hydrogen using differential AlGaN/GaN high electron mobility transistor sensing diodes, Appl. Phys. Lett. -89, pp. 2421111-3, -2006.
13. Hung-Ta Wang, T. J. Anderson, B. S. Kang, and F. Ren,Changzhi Li, Zhen-Ning Low, and Jenshan Lin, B. P. Gila and S. J. Pearton, A. Osinsky and Amir Dabiran, Stable hydrogen sensors from AlGaN/GaN heterostructure diodes with TiB2-based Ohmic contacts, Appl. Phys. Lett. -90, pp. 2521091-3, -2007.
14. Ch. Y. Wang,a_ V. Cimalla, Th. Kups, C.-C. Rцhlig, Th. Stauden, O. Ambacher, M. Kunzer, T. Passow, W. Schirmacher, W. Pletschen, K. Kцhler, and J. Wagner, Integration of In2O3 nanoparticle based ozone sensors with GaInN/GaN light emitting diodes, Appl. Phys. Lett. -91, pp. 1035091-3, -2007.
15. Timothy J. Fawcett John T. Wolan, Rachael L. Myers, Jeremy Walker, and Stephen E. Saddow, Wide-range (0.33%–100%) 3C–SiC resistive hydrogen gas sensor development, Appl. Phys. Lett. -85, №3, pp. 416-419,-2004.
16. M.-W. Ahn, K.-S. Park, J.-H. Heo, J.-G. Park, D.-W. Kim, K. J. Choi, J.-H. Lee, and S.-H. Hong, Gas sensing properties of defect-controlled ZnO-nanowire gas sensor, Appl. Phys. Lett., -93, pp. 2631031-3, -2008.
17. Wantae Lim, J. S. Wright, B. P. Gila, Jason L. Johnson, Ant Ural, Travis Anderson,F. Ren, and S. J. Pearton, Room temperature hydrogen detection using Pd-coated GaN nanowires, Appl. Phys. Lett., -93, pp. 0721091-3, -2008.
18. M. Dragoman, K. Grenier, D. Dubuc, L. Bary, R. Plana, E. Fourn, E. Flahaut, Millimeter wave carbon nanotube gas sensor, Journ. of Appl. Phys. -101, pp. 1061031-2, -2007.
19. http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition
20. http://en.wikipedia.org/wiki/Metalorganic_vapour_phase_epitaxy
21. http://en.wikipedia.org/wiki/Molecular_beam_epitaxy