На рис. Приведена діаграма, яка відтворює випадок відсутності поверхневої міграції і малих значень середньої довжини вільного пробігу молекул. Як видно із діаграми, при цьому кут падіння молекул реагентів у верхній точці стугеньки складає 27о. Це призводить до більш товстого шару в цій точці. Кут падіння на дно стугеньки рівний лише 90о, тому углублених місцях більш тонкий шар плівки.
Табл. 5.1. Властивості двоокис кремнію
| Методи осадження | Осадження із газової суміші при пониженому тискові | Плазмохімічне осадження |
| Температура К | 973 – 1073 К6 | 523 – 623 К |
| Склад | Si3N4(H) | SiNx Hx |
| Відношення Si/N | 0,75 | 0,8 – 1,2 |
| Вміст H, ат % | 4 – 8 | 20 – 25 |
| Коефіцієнт заломлення | 2,01 | 1,8 – 2,5 |
| Густина г/см3 | 2,9 – 3,1 | 2,4 – 2,8 |
| Діелектрична стала | 6 – 7 | 6 – 9 |
| Номінальний опір Ом . см | 1016 | 106 – 1015 |
| Електричнаміцність 106В/см | 10 | 5 |
| Ширина забороненої зони еВ | 5 | 4 – 5 |
| Пружні напруги | 100 (розтягуючі) | 20 стяг. – 50 розтяг. |
В таблиці приведені властивості плівок двоокису кремнію осаджених різними методами включаючи плазмохімічне осадження. [1]
В основному плівки окисла, осаджені при високих температурах, проявляють властивості, подібні з термічно вирощеними плівками двоокисів кремнію. Але високотемпературне осадження не може бути використано на поверхні алюмінієвої металізації і тому не застосовується для пасивування поверхні сформованих пристроїв. В зв’язку з цим для пасивування використовують низькотемпературне осадження легованих фосфором плівок двоокису кремнію, не дивлячись на погане відтворення ними рельєфу поверхні і гірші властивості плівок.
5.2 Нітрид кремнію
Стехіометричний нітрид кремніюSi3N4 використовують для пасивування поверхні напівпровідників та приладів з цих сформованих на кремнієвих підкладках. Вибір нітриду кремнію для цієї мети пояснити тим, що він представляє свій надійний бар’єр для дифузії молекул види та іонів натрію, які можуть привести до корозії металізації ІС або до нестабільності її електричних характеристик. Нітрид кремнію також використовується в якості маски для локального окислення кремнію, що обумовлено низькою швидкістю окислення самого нітриду кремнію. Тому при створенні фотолітографічного малюнку на маскую чому покритті на основі нітриду кремнію і послідуючим термічним окисленням закритті маскуючою плівкою шари не окислюються. Це є процес локального окислення, використовується в мікроелектроніці для формування ізопланарних структур.
Хімічне осадження нітриду кремнію здійснюють за рахунок реакції між силаном і аміаком при атмосферному тискові і температурі 973 – 1073К. Процеси які при цьому проходять можна записати наступними формулами^
3SiH4 + 4NH3 → Si3N4 + 12H2
3SiCl2H2 + 4NH3 → Si3N4 + 6HCl + 6H2
Потрібно замітити, що переваги методу осадження при пониженому тискові полягає в хорошій однорідності формованих плівок і високого виробництва використаної апаратури. Були проведені експерименти по термічному нарощенню плівок нітриду кремнію шляхом утримання кремнієвих підкладок в аміачній атмосфері при температурі в інтервалі 1273 – 1373. але виготовлені плівки містять кисень і мають дуже малу товщину.
Процесами осадження плівок нітриду кремнію можна керувати шляхом зміни температури, загального тиску в реакторі, концентрації реагентів і градієнта температури в печі. Температурна залежність швидкості осадження нітриду кремнію складає ~ 1,8 еВ. З’ясовано , що швидкість осадження зростає зі збільшенням загального тиску в системі або парціального тиску дихлорсилану і зменшується при збільшенні концентрації аміаку в реакційній суміші. Для одержання більш однорідних по товщині плівок кінець проекційної труби має нагріватися до більш високих температур.
Опір плівок нітриду кремнію при кімнатній температурі складає ~1016 Ом . см. Їх електрична провідність залежить від температури осадження, співвідношенням реагентів в газовій фазі, кількості кисню в плівці і наявності домі шків кисню.
6. Вимоги до діелектричних плівок
Знаючи про фізику діелектричних плівок і в загальних нарисах опису областей їх застосування, можна зробити висновок про класифікацію діелектриків в залежності від їх використання. Діелектрики середнього класу, які мають tgδ = 1%, використовуються в основному в ізоляторах і конденсаторах. Але зараз є великий не достаток високоякісних діелектриків (tgδ ≤ 0,1% t> 1000с), які йдуть на виготовлення конденсаторів з малими втратами, затворів в польових транзисторах і т.д.
Для того, щоб вважати плівки високоякісними потрібно дотримуватись багатьох умов. По-перше потрібно, щоб плівка мала високу механічну міцність. Як уже досліджено після напилення тонкі плівки знаходяться в стані механічного напруження, яке може бути викликано або напругою стиску (викликає розтріскання плівки). Очевидно, що розтягання потрібно уникати, так як в таких плівках можуть виникати короткі замикання. Було доведено, що розтягуючи напруги значно збільшують втрати конденсаторів на плівках SiO2
Якщо навіть механічні напруги знизити до рівнів, які піддають коректуванню, плівка має бути стабільною і по іншим параметрам. Зміна хімічного складу електродів і діелектрика не має здійснюватись за великий проміжок часу.
Технологія одержання плівок повинна забезпечити потрібну електричну стабільність, тобто в плівках не має бути стабільних місць, які можуть стати зонами провідності (наприклад, мікропори). Як уже було пригадано мікропори можна ліквідувати використанням тонких (<1500Å) електродів, з яких мікропори можна "виманити" приклавши до плвки високу напругу. Але не всі структури можна так обробляти, але у всякому випадку спочатку потрібно видалити мікропори. Знаючи це, можна скласти наступну класифікацію плівкового діелектрика задовільної якості. Він має задовольняти вимоги:
1. Висока механічна стійкість.
2. Висока хімічна стабільність.
3. По мірі можливості розумна товщина (>1000Å).
4. Мінімальне число дефектів і домішок.
5. Слаба чутливість до вологи.
6. Відсутність проколів або слабих місць.
7. Невелика здатність до фізичної зміни (старіння і температурна залежність).
8. Велика ширина забороненої зони.
9. Аморфна структура.
В загальному кажучи плівки з великою діелектричною проникністю не слід використовувати із-за їх високої поляризації, і великих втрат. [2]
Висновок
В даній курсовій роботі розглянуто декілька з основних методів одержання тонких діелектричних плівок. Нi один з розглянутих й існуючих взагалі всіх методів не є ідеальним, але кожен метод має свої переваги і має право на існування незважаючи і на недоліки.
Хоча метод термовакуумного напилення і має такі недоліки, як неоднорідність одержаних плівок недостатню їх стабільність і щоб одержати високий вакуум для напилення потрібно важку схему, то цей метод є найпоширенішим із-за того, що він має відносну простоту, високу швидкість осадження і можливість одержання плівок з мінімальними забрудненнями в умовах високого вакууму (1 . 10-8 – 1 . 10-7 Па).
При іонно-плазмовому розпиленні перевагою є його властивість неінерційність. Тобто розпилення матеріалу відбувається лиш тоді коли ми подаємо напругу. Якщо відключити напругу розпилення матеріалу зразу перестає, на відміну від інших методів.
Перевагою термічного окислення є те, що ми можемо регулювати швидкість окислення і розпилення вихідної речовини і напилення плівки за допомогою добавки домішки, зміною тиску або температури.
Анодне окислення ще можна назвати електролітичним тому, що використовується електроліт, який містить від’ємно заряджені іони кисню. Властивості таких плівок залежить від вмісту електролітів. Товщину плівок можна змінювати величиною прикладеної напруги, а якість плівок можна збільшити шляхом їх згущення у парах води при підвищеній температурі.
При хімічному осадженні плівок їх якість можна підвищити якщо процес осадження розбити в присутності кисню. Сам процес називається піролізом – це термічний розклад тетраетоксилану при температурах 973 – 1173 К.
Список використаної літератури
1. С . Зн. Технология СБИС. – М.: "Мир", 1991.-133с.
2. Л. Холлэнд. Пленечная технология. – М.: "Мир", 1989.-254с.
3. И. С. Ефимов, И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов. Микроэлектроника. – М.: "Высшая школа", 1994.
4. Парфенов О. Д. Технология микросхем. – М.: "Высшая школа". – 1999.
5. Малишева І. А. Технологія виробництв інтегральних мікросхем. – М.: Радіозв’язок. – 2001.