Для забезпечення надійного зчитування інформації при відповідному ступені комфортності її сприйняття повинні бути визначені оптимальні й припустимі діапазони візуальних ергономічних параметрів. Візуальні ергономічні параметри відео дисплея й межі їхньої зміни, у яких повинні бути встановлені оптимальні й припустимі діапазони значень, наведені в таблиці 6.3.2.
Таблиця 6.3.2 - Візуальні ергономічні параметри відеодисплейних терміналів і межі їхньої зміни
| Найменування параметра | Межі значень параметрів | |
| не менш | не більше | |
| Яскравість знака (яскравість тла), кд/м обмірювана в темряві | 35 | 120 |
| Зовнішня освітленість екрана, лк | 100 | 250 |
При роботі з відеодисплеями необхідно забезпечувати значення візуальних параметрів у межах оптимального діапазону, для професійних користувачів дозволяється короткочасна робота при гранично припустимих значеннях візуальних параметрів.
Конструкція відео дисплея повинна передбачати наявність ручок регулювання яскравості й контрасту, що забезпечують можливість регулювання цих параметрів від мінімальних до максимальних значень.
З метою захисту від електромагнітних і електростатичних полів допускається застосування екранних фільтрів, спеціальних екранів і інших засобів індивідуального захисту, що пройшла випробування в акредитованих лабораторіях і що мають відповідний гігієнічний сертифікат.
Висновки по безпеці роботи на ПК із використанням відео дисплея: у процесі виконання робіт на ПК дотримувалися гігієнічні вимоги при роботі з відео дисплеями відповідно до /17/. Візуальні ергономічні параметри при виконанні робіт лежать у межах, установлених зазначеними правилами й нормами.
6.4 Екологічність проекту
Найбільш об'єктивним критерієм, використовуваним при екологічній експертизі виробництва, є збиток народному господарству, забрудненням навколишнього середовища.
6.4.1 Електромагнітні випромінювання
Основним джерелом при розробці блоку є відео дисплей ПК.Припустимі дози випромінювань строго регламентуються відповідно до /17/.
Конструкція відео дисплея повинна забезпечувати потужність експозиційної дози рентгенівського випромінювання в будь-якій крапці на відстані 5 див від екрана й корпуса відео дисплея при будь-яких положеннях регулювальних пристроїв не повинна перевищувати в перерахуванні на еквівалентну дозу 0,1 мбер/година (100 мкр/година).
Припустимі значення параметрів електромагнітних випромінювань наведені в таблиці 6.4.1.
Таблиця 6.4.1
| Найменування параметрів | Припустимі значення |
| Напруженість електромагнітного поля на відстані 50 див біля відео дисплея, не більше:у діапазоні частот (5..2000) Гцу діапазоні частот (2..400) кГц | 25 У/м2.5 В/м |
| Щільність магнітного потоку, не більшеу діапазоні частот (5..2000) Гцу діапазоні частот (2..400) кГц | 250 нтл25 нтл |
| Поверхневий електростатичний потенціал, не більше | 500 У |
Висновки по потужності ЕМІ на робочому місці: потужність ЕМІ на робочому місці визначається потужністю ЕМІ відео дисплея й лежить у межах, установлених нормами.
6.4.2 Експертиза вентиляції
При виконанні монтажних робіт у результаті процесу пайки в повітря робочої зони виділяються шкідливі пари, що містять свинець, що ставиться до токсичних речовин /18/. Характеристикою забруднення повітря робочої зони є гранично припустима концентрація (ПДК) /15/: для свинцю ПДК=0.01мг/м , клас небезпеки-1, відносний коефіцієнт небезпеки - 1.7. Для того, щоб зміст шкідливих речовин у повітрі робочої зони не перевищувало ПДК, робоче місце обладнане місцевою вентиляцією /19/, що відводить шкідливі пари від робочого місця.
Крім цього необхідно забезпечити достатній повітрообмін у приміщенні. Для орієнтовних розрахунків, коли невідомо точна кількість речовин, що виділяються, розрахунок необхідної кількості повітря приймають по кратності повітрообміну ( формула 6.4.2 ) /15/.
L = Kp • V (6.4.2)
де Кр - кратність повітрообміну (для приміщень невеликого об'єму Кр=10);
V - об'єм приміщення ( V=144 м ? ).
Для використовуваної лабораторії необхідний повітрообмін 1440 м? у годину. Лабораторія обладнана двома кондиціонерами БК-1500, кожний з яких має потужність 1500 м?/ година, що забезпечує виконання санітарно-гігієнічних вимог.
Висновки по забезпеченню необхідної вентиляції в лабораторному приміщенні: у лабораторії забезпечена достатня кратність повітрообміну, що задовольняє вимогам /12/.
6.5 Надзвичайні ситуації
Вплив іонізуючих випромінювань і сильних електромагнітних випромінювань на напівпровідникові прилади й інтегральні мікросхеми. Можливий характер їхніх ушкоджень.
Для оцінки можливих порушень працездатності радіо компонентів і апаратури при впливі іонізуючих випромінювань (ІВ) необхідно мати інформацію про можливі види радіаційних ефектів, їхньої залежності від тимчасового масштабу процесу, різновиду й енергії іонізуючого випромінювання. Під радіаційним ефектом розуміють явище, що складається в зміні значень параметрів, характеристик і властивостей об'єкта в результаті впливу ІВ.
У цей час прийнято виділяти наступні радіаційні ефекти: ефекти зсуву, переносу заряду й іонізуючі ефекти.
Ефекти зсуви являють собою переміщення атомів з нормального положення в кристалічній решітці матеріалу. Ці переміщення супроводжуються виникненням структурних дефектів кристалічної решітки, до найпростішого з яких ставляться наявність вільних положень у решітці й додаткових атомах між її вузлами. В електронних пристроях ефекти зсуву впливають в основному на роботу напівпровідникових приладів.
Говорячи про ефекти зсуву, варто розрізняти довгострокові й короткочасні ефекти зсуву.
Довгострокові ефекти зсуву проявляються в необоротному після закінчення деякого часу після опромінення зміні різних параметрів напівпровідникових приладів, що залежить від інтегрального потоку часток і дози гамма-випромінювання, їхнього енергетичного спектра й температурних умов опромінення. За інших рівних умов більше твердий спектр випромінювання й знижених температур матеріалу, що опромінюється, приводять до росту числа структурних дефектів.
При опроміненні гамма-нейтронним випромінюванням ядерного вибуху (ЯВ) вплив гамма-випромінювання в процесі утворення структурних дефектів надзвичайно мало в порівнянні із впливом нейтронів. Тому його впливом на процес утворення структурних дефектів і відповідної їм необоротним змінам параметрів матеріалів і виробів можна зневажити.
Однак у деяких випадках, наприклад при впливі гамма-нейтронного випромінювання на уніполярні транзистори напівпровідник (Мдп-Структури), скла, органічні діелектрики, ефекти від гамма-випромінювання необхідно враховувати, тому що число структурних дефектів при впливі гамма-випромінювання порівнянне або істотно перевищує число дефектів, створюваних нейтронами.
Короткочасні ефекти зсуву проявляються в оборотних змінах параметрів об'єктів і характерні для імпульсного опромінення. Зміщені під дією опромінення нейтронами атоми в початковий момент часу є нестійкими утвореннями, більшість із них мають досить малу енергію активації, що визначає швидкість їхньої рекомбінації. Внаслідок цього значна частка створених дефектів структури за дуже малі проміжки часу знищуються, тобто частково відновлює вихідні властивості матеріалу. Однак поряд із процесами рекомбінації йдуть процеси пов'язані з перегрупуванням структурних ушкоджень, взаємодією їх з атомами домішки й дефектами структури.
При тривалості опромінення, значно перевищуючі характерні часи таких процесів, доводиться мати справа з необоротними ушкодженнями або повільними й слабко вираженими процесами відновлення параметрів.
Ефекти переносу заряду обумовлені передачею кінетичної енергії полів іонізуючого випромінювання вторинним часткам і проявляються у вигляді несталих струмів. При русі вторинних заряджених часток створюються електричні й магнітні поля, а також протікають несталі струми, що залежать від потужності дози опромінення.
Ці ефекти можуть привести до появи помилкових сигналів і збоїв в апаратурі, а так само до виходу з ладу окремих вузлів.
Іонізаційними називаються ефекти, викликані носіями заряду з низьким рівнем енергії. Вони відрізняються від ефектів переносу заряду, які визначаються як зсув зарядів енергетичними частками. Число пара визначається тільки кількістю енергії, виділюваної на іонізацію.
Іонізаційні ефекти проявляються у вигляді перехідних ефектів (ефектів вільних носіїв), проміжних ефектів, довгострокових ефектів захоплених носіїв і хімічних ефектів.
Перехідні ефекти пов'язані з утворенням вільних носіїв. У напівпровідниках концентрація вільних носіїв може бути оцінена в припущенні, що витрата енергії на утворення однієї пари дорівнює трьох-п'ятикратному значенню потенціалу іонізації.
Проміжні ефекти пов'язані з тим, що в діелектриках і ізоляторах захоплені на вловлювачі носії можуть знову вивільнитися за рахунок теплових ефектів.
Іонізаційні ефекти при впливі випромінювання викликають утворення в апаратурі надлишкових зарядів, поява яких у діелектриках і ізоляторах знижує їхні ізолюючі властивості, а в напівпровідниках - до утворення надлишкових іонізаційних струмів. У результаті виникають оборотні зміни параметрів апаратури, що перебуває у включеному стані, що може приводити до тимчасової втрати її працездатності, помилковим спрацьовуванням і збоям /21/.