1.Необхідно створити мінімальне забруднення навколишнього середовища, зменшувати час взаємодії пластин з навколишнім середовищем (тобто прискорити операції і виключити простої) і підтримувати постійний ламінарний потік повітря, що запобігає осіданню частинок на поверхню резиста.
2.В основному увагу варто звертати на чистоту в двох випадках: коли резист «вологий» (нанесення, перше сушіння, після проявлення) і при експонуванні - суміщенні. Найбільша кількість дефектів виникає саме при контакті шаблона із шаром фоторезиста, тому крім підтримки чистоти треба домагатись того, щоб сила контактування була мінімальною. Радикальним рішенням є перехід на безконтактну фотолітографію - проекційну і фотолітографію із зазором.
3.Зниженню дефектів значною мірою сприяє автоматизація технологічних операцій і особливо процесів завантаження, транспортування і вивантаження пластин; маніпулювання пінцетами у виробництві складних приладів неприпустимо.
Перейдемо до групи порушень точності фотолітографії, зв'язаних з неточною передачею розмірів і поганим експонуванням [7,3] . Варто сказати, що поділ на дві групи носить умовний характер, оскільки у фотолітографії фактори, що визначають появу дефектів або порушення точності передачі, тісно зв'язані. Наприклад, суміщення, здавалося б, не має нічого загального з виникненням локальних дефектів, на практиці виявляється критичною операцією: неуважність оператора, який виставив занадто малий зазор при суміщенні або викривленні пластини можуть привести до серйозних ушкоджень фотошаблона і шару резиста.
Підбір оптимальних режимів проведення фотолітографічних операцій забезпечує необхідну точність передачі при мінімумі дефектів; для оптимізації режимів можуть бути рекомендовані два способи. Відповідно до першого з них на фотошаблон наклеюють зверху (з неробочої сторони) непрозору маску з 16 квадратними отворами розміром приблизно 4х4 мм2. Зверху маски поміщають екран і, зрушуючи його, задають різні витримки, тобто різні дози енергії експонування. Проекспоновану в такий спосіб пластину проявляють також ступінчато, опускаючи в проявник по одному ряду отворів на заданий час; при цьому напрямок повинний бути перпендикулярним напрямку зміни експозиції. Таким чином, на кожній пластині кремнію з нанесеним на ній шаром фоторезисту визначеної товщини можна одержати 16 зон з різними умовами експонування і проявлення. Вимірюючи при відповідному збільшенні розміри проявлених елементів і зіставляючи їх з розмірами тих же елементів на фотошаблоні, знаходять ту зону, у якій точність передачі розміру близька до одиниці. Якщо таких зон трохи, вибирають зону, для якої час проявлення мінімальний (щоб густина дефектів була мінімальною). Іноді не вдається одержати необхідний результат відразу, тоді дослід повторюють, змінюючи час експонування і проявлення.
Другий спосіб полягає у використанні ступінчатого оптичного клина, що поміщається над фотошаблоном. Оптичний клин дозволяє змінювати дозу при одній і тій же витримці. Для розширення діапазону експозицій можна використовувати непрозорий екран із вмонтованим у нього оптичним клином: зсуваючи екран із клином, одержують на пластині 3-4 відбитки з різними витримками.При цьому з’являється можливість ступінчатого проявлення: кожний з відбитків витримують у проявнику різний час. У результаті на одній пластині реалізують 30 режимів експонування і проявлення.
При конструюванні сучасних ліній фотолітографії значну увагу приходиться приділяти проблемам транспортування пластин, яке забезпечує мінімум контактів [7].
Є дві основні тенденції, обумовлені способом нанесення резиста. У першому варіанті при конструюванні лінії використовують касетне завантаження-вивантаження і транспортування пластин па повітряній подушці. Пластини надходять на вхід лінії у вертикальній касеті (20-50 пластин діаметром від 22 до 89 мм). Пневмосистема за короткий час (на 1 пластину потрібно близько 1 с) переміщає їх у накопичувач, звідки вони по повітряній подушці попадають на 4 - 8 паралельно працюючі центрифуги. Далі знову збираються пневмосистемою у касету, передаються на сушіння і т.д. У процесі всіх обробок пластини подаються автоматично з касет в установки або обробляються безпосередньо в касетах, у залежності від характеру технологічної операції.
Чисте повітря продувається у вузькі похилі щілини діаметром 0,6 мм і виходить па поверхнюнаправляючої. За рахунок швидкого руху повітря створюються локальні розряди, що притягають пластину і штовхають її вперед. Використовуючи касетні установки і транспортування пластин па повітряній подушці, можна створити цілком автоматичну лінію.
3.МЕТОДИ ФОТОЛІТОГРАФІЇ
3.1.«Подвійна» фотолітографія
Можливі два різновиди цього методу. Один з них полягає в тому, що наносять шар фоторезисту, сушать, експонують вдвічі меншою дозою, ніж потрібно для повного руйнування резиста (відноситься до позитивного резиста) і проявляють протягом часу також вдвічі меншого за оптимальний. Потім пластину промивають від проявника, проводять перше сушіння і знову експонують, але використовуючи фотошаблон з іншим розподілом локальних дефектів.Таким шаблоном може бути просто інший дублікат, якщо еталонний шаблон не містив локальних дефектів івсі дефекти вносилися на стадії виготовлення дублікатів, або дублікат, зробленийз іншого еталона, що характеризується своїм розподілом локальних дефектів. У найпростішому випадку використовують той же шаблон, що і на першій стадії, але зсувають його на крок.Точно суміщають другий шаблон з проявленим рельєфом і проводять експонування з половинною дозою.Проявивши (половинний час) шар після другого експонування, одержуютьцілком відкриті елементи, у місцях розташування локальних дефектів шар резиста зруйнований тільки наполовину і наскрізний прокол не виникає. Можливий варіант, по якому на першій стадії шар не проявляють, а при суміщенні використовують зелений інтерференційний фільтр, за допомогою якого вдається виділити експоновані області, що змінили відбиваючу здатність з тієї причини, що в нихвелика частина молекул нафтохінондіазида зруйнована світлом. Цей варіант кращий, тому що лужний проявник сам по собі створює локальні дефекти в шарі фоторезисту.
Відповідно до другого методу спочатку проводятьвсі операції фотолітографії, за винятком травлення підкладки, наприклад, окисленого кремнію. Травлення окисла здійснюють наполовину. Потім видаляють резист, миють підкладку і піддають її повторній обробці; дозволено використовувати обробку ІЧ випромінюванням. На оброблену підкладку знову наносять шар фоторезисту, сушать, суміщають і експонують, використовуючи шаблон з іншим розподілом локальних дефектів, проявляють, проводять друге сушіння і, нарешті, повністю протравлюють окисел у вікнах. Локальні дефекти до кінця при цьому не протравлюються. Існує реальна небезпека того, що в місцях дефектів маскуюча здатністьокисла порушується, навіть якщо він і травився протягом вдвічі меншогочасу, ніж це потрібно для повногопротравлення.
Обидва методи «подвійної» фотолітографії знижують продуктивність, і тому застосовують їх при крайній необхідності, наприклад при створенні контактних вікон, де найменший прокол викликає брак.
3.2.«Подвійні» фотошаблони
Виготовляють робочий хромований дублікат, що має деякий розподіл наскрізних дефектів і дзеркальний дублікат з іншим розподілом наскрізних дефектів (з іншого еталонного шаблона або зі зміщенням на крок). Потім на робочий дублікат за допомогою піроліза наносять плівку двоокису кремнію товщиною 0,4-0,8 мкм і на неї плівку хрому. Наносять резист і експонують його через дзеркальний дублікат, суміщаючи його з виступаючими з-під плівки хрому контурами робочого дубліката. Розділяючий шар двоокису кремнію перешкоджає травленню нижнього шару хрому. Наскрізні дефекти обох шарів хрому не збігаються, так що в підсумку виходить фотошаблон без проколів. Більш того, «подвійні» фотошаблони набагато стійкіші до зносу, ніж звичайні, тому що при стиранні верхнього шару хрому нижній надійно екранує резист від попадання світла. Ці дві переваги подібних фотошаблонів виправдовують деяке ускладнення процесу їхнього виготовлення.
3.3. Фотолітографія з підшаром
Цей прийом використовується, як правило, у двох випадках: для травлення окисла і фосфоросилікатного скла на тих операціях фотолітографії, коли особливо небезпечні проколи, і для травлення в складах, впливу яких резист не витримує.На підкладку наносять шар металу, який володіє до неї гарною адгезією і який не протравлюється в складі, що використовується для травлення підкладки. Далі проводять фотолітографію і витравлюють вікна в металевому підшарі одним травником, а вікна в підкладці іншим. При фотолітографії по окислу і силікатним стеклам найчастіше в якості підшару використовують молібден, який протравлюють у суміші ортофосфорних, оцтових, азотної кислот і води (75:15:3:5) при температурі 18°С. Окисел і скло цей склад не протравлює. Проколи в шаблоні й у шарі фоторезисту, природно, передаються шарові молібдену і далі окислові. Однак, як показує практика, розміри проколів у окислі при використанні підшару виходять набагато меншими, ніж при травленні без підшару. Очевидно, це пояснюється тим, що бічне травлення окисла (у місці дефекту) при маскуванні одним резистом виражене сильніше, ніж при додатковому маскуванні металом, що добре адгезує з поверхнею окисла. Іноді нанесення підшару сполучають з «подвійною» фотолітографією, тобто після протравлювання вікон у молібдені знову наносять резист, проводять суміщення з дублікатом, що має інший розподіл дефектів, експонують, проявляють, сушать і протравлюють окисел у вікнах.У тих випадках, коли резист не витримує впливу травника, як підшар використовують хімічно пасивний метал, такий, як золото. Застосовуючи підшар золота, травлять, наприклад, титан .