Фізико–технологічні основи фотолітографії (стр. 6 из 6)

Другий спосіб полягає у використанні ступінчатого оптичного клина, що поміщається над фотошаблоном. Оптичний клин дозволяє змінювати дозу при одній і тій же витримці. Для розширення діапазону експозицій можна використовувати непрозорий екран із вмонтованим у нього оптичним клином: зсуваючи екран із клином, одержують на пластині 3-4 відбитки з різними витримками. При цьому з’являється можливість ступінчатого проявлення: кожний з відбитків витримують у проявнику різний час. У результаті на одній пластині реалізують 30 режимів експонування і проявлення.

При конструюванні сучасних ліній фотолітографії значну увагу приходиться приділяти проблемам транспортування пластин, яке забезпечує мінімум контактів [9].

Є дві основні тенденції, обумовлені способом нанесення резиста. У першому варіанті при конструюванні лінії використовують касетне завантаження-вивантаження і транспортування пластин па повітряній подушці. Пластини надходять на вхід лінії у вертикальній касеті (20-50 пластин діаметром від 22 до 89 мм). Пневмосистема за короткий час (на 1 пластину потрібно близько 1 с) переміщає їх у накопичувач, звідки вони по повітряній подушці попадають на 4 - 8 паралельно працюючі центрифуги. Далі знову збираються пневмосистемою у касету, передаються на сушіння і т.д. У процесі всіх обробок пластини подаються автоматично з касет в установки або обробляються безпосередньо в касетах, у залежності від характеру технологічної операції.

Пристрій системи транспортування пластин на повітряній подушці схематично показано на рис.3.2.2.

Рис3.2.2.Система транспортування пластин на повітряній подушці: 1- подача повітря; 2 - несучий потік; 3 – пластина.

Чисте повітря продувається у вузькі похилі щілини діаметром 0,6 мм і виходить па поверхнюнаправляючої. За рахунок швидкого руху повітря створюються локальні розряди, що притягають пластину і штовхають її вперед. Використовуючи касетні установки і транспортування пластин па повітряній подушці, можна створити цілком автоматичну лінію.

ВИСНОВОК

В даній курсовій роботі проведено:

1) детальний огляд наукової літератури по темі "Фізико-технологічні основи фотолітографії";

2) опис основних фотолітографічних процесів;

Було встановлено, що:

а) фотолітографія застосовується для утворення рельєфу в діелектричних плівках, а також плівках металів, нанесених на поверхню напівпровідника.

б) фотолітографічний метод заснований на тому, що деякі види високомолекулярних сполук мають здатність змінювати свої властивості під дією світла. При умові стійкості плівок цих сполук (фоторезистів) до травників, що застосовуються у процесі фотолітографії, вони можуть бути використані для захисту при формуванні рельєфу.

Можливість створення елементів будь-якої конфігурації, висока відтворюваність розмірів і їхніх розташувань, групова обробка великого числа переходів - такі основні достоїнства фотолітографії.

ЛІТЕРАТУРА

1.Боков Ю.С. Фото- , електроно- и рентгенорезисты. – М.: Радио и связь, 1982. – 136 с.

2. Лаврищев В.П. Введение в фотолитографию. – М.: Энергия, 1977. – 352с.

3.Прищепа М.М., Погребняк В.П. Мікроелектроніка. В 3ч.Ч1. Елементи мікроелектроніки. – К.: Вища школа, 2004. – 431с.

4.Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – М.: Сов. Радио,1978. – 96с.

5.Пресс Ф.П. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов. –М.: Энергия,1968. – 200 с.

6.Готра З.Ю., Лопатинський І.Є., Лукіянець Б.А. Фізичні основи електронної техніки. – Львів: Бескид Біт, 2004. – 880 с.

7.Березин Г.Н., Микитин А.В., Сурис Р.А. Оптические основы контактной фотолитографии. – М.: Радио и связь, 1982. – 104с.

8.Проблемы литографии в микроэлектронике. – М.: Наука,1987. –150с.

9.Готра З.Ю. Фізичні основи електронної техніки. – Львів: Видавництво "Львівська політехніка",2002. – 636с.

10. Волков В. А. Сборка и герметизация микроелектронных устройств. – М.: Радио и связь, 1982.

11. Электронно-лучевая технология в изготовлении микроелектронных приборов/Под. ред. Брюэра Дж. Р. Пер. с англ. – М.: Радио и связь, 1984.