3.3 Дислокації в місцях концентраційних флуктуацій
У монокристалах германієвих сплавів, вирощених з розплаву, виявлені ряди краєвих дислокації, розташованих паралельно тим послідовним положенням, які приймає поверхня розділу жидкость-твердая фаза в процесі твердіння [7]. Дислокації, мабуть, утворюються тому, що вони знижують енергію пружної напруги між сусідніми шарами кристала, що мають різні параметри грат.
Ямки розташовуються строго паралельно смугам флуктуації складу, з чого зрозуміла причина їх виникнення. Ряди виявляються парами, що пов'язане із смужчатістю складу сплаву, що формується при зростанні злитка; при цьому вони з'являються тільки уздовж деяких смуг, це обумовлено тим, що дислокації утворюються лише тоді, коли градієнт концентрації досягає критичного значення, пов'язаного з пружною напругою, необхідною для утворення дислокації. Ці дислокації можуть значно знижувати час життя носіїв заряду в германієво-кремнієвих сплавах і негативно позначатися на параметрах приладів, виготовлених з таких сплавів.
ВИСНОВКИ
1 Швидке зростання виробництва й підвищення надійності виробів електронної техніки залежать не тільки від методів їхнього виготовлення й культури, але й у значній мірі від електрофізичних й інших властивостей застосовуваних матеріалів, які в багатьох випадках визначає параметри напівпровідникових приладів й інтегральних мікросхем і впливають на стабільність їхньої роботи в електричних і теплових режимах, а також при тривалому зберіганні.
2 Властивості напівпровідникових матеріалів дозволяють отримувати монокристали із заданими параметрами шляхом апроксимації залежності властивостей від складу. Можливе використання установок, що діють, для всіх етапів виробництва злитків, пластин і епітаксіальних композицій.
3 Хороші частотні властивості приладів, виготовлених за кремній - германієвою технологією, дозволяють застосовувати їх в області ВЧ і СВЧ частот замість приладів на арсеніді галію.
4 Широке застосування знаходять напівпровідникові монокристалічні плівки германія. Використання монокристалічних плівок у технології виготовлення напівпровідникових приладів і ІМС сполучено з більшими втратами германія при механічній обробці (різання, шліфування, полірування).
ЛІТЕРАТУРА
1 Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – М.: Высш. школа, 1989. – 327 с.
2 Ефимов И.Е., Козырь И.Я.. Основы микроэлектроники. – Москва: Высшая школа, 1983. –384с .
3 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Советское радио, 1986. – 424с.
4 Методичні вказівки до лабораторних робіт із курсу «Технологічні основи електроніки». І.Ю. Проценко, А.М. Черноус, Л.В. Однодворець. Суми: СумДУ, 1988. – 43с.
5 http://mogilev.rlst.org.by/bulletin203_markova.htm
6 http://www.phys.msu.ru/rus/struct/div/div-geophys
7 Физическое металоведение . Вып. I. Атомное строение металов и сплавов /Под ред. Новикова И.И.- Москва: Мир, 1967. – 335с.
8 Закалик Л.І., Ткачук Р.А. Основи мікроелектроніки. – Тернопіль: ТДТУ ім.. І.Пулюя, 1998. – 352 с.