В третьей главе описывается методика по измерению интегральной интенсивности брегговских рефлексов для лития, алюминия и фторида лития, определение интенсивности первичного пучка, приводятся данные расчета структурного фактора |F|2, атомно – рассеивающего фактора f. Представлены обзорные рентгенограммы, таблицы, карты распределения электронной плотности и потенциала исследуемых объектов.
Основные результаты выполнения работы.
При выполнении работы были исследованы интегральные интенсивности брегговских рефлексов соединений. По их значениям строились атомно – рассеивающие факторы, карты распределения электронной плотности и потенциала. Выяснилось, что в основных кристаллографических направлениях электронная плотность не уменьшается до нуля, а формы атомов не являются строго шарообразными.
Были получены значения атомных факторов при неупругом и упругом рассеянии. Анализ результатов показал некоторое отличие значений друг от друга.
При рассмотрении карты электронной плотности фторида лития, обнаружились довольно интересные особенности. Между атомами фтора наблюдались «электронные мостики», образующие «электронный каркас», в который помещались атомы лития.
Литература
1. В.М. Ажажа, И.Л. Гнедая Щелочные металлы – получение, свойства, применение. Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт»,г. Харьков, Украина. ВАНТ №1 2006, 184-194.
2. Кэй Дж., Лэби Т. Таблицы физических и химических постоянных. – М.: Государственное издательство физмат литературы, 1962. – 247 с.
3. Справочник. Свойства элементов. Часть 1. Физические свойства. Под редакцией Г.В. Самсонова, - с.85.
4. Н.Н. Сирота, Э.А. Васильев. Химическая связь в полупроводниках и термодинамика., Минск, 1969. с. 59.
5. С.Н. Dauben, D. Templeton. Acta Cryst., 12, 341, 1955.
6. International tables for X-ray crystall. Birmingham, 1962.
7. H.H. Сирота, Е.М. Гололобов, А.У. Шелег, Н.М. Олехнович. Изв АН СССР, серия «Неорганические материалы», 1, 1673, 1965.
8. Н.М. Олехнович, Н.Н. Сирота. В кн.: «Химическая связь в полупроводниках и твердых телах». Минск, изд-во «Наука и техника», 1965.
9. Распределение валентной электронной плотности в преимущественно ионных кристаллах с различающимися подрешетками Браве // Ю.Н. Журавлев, А.С. Поплавной
10. В.В. Никитин, изучение перераспределения электронной плотности в области точечных дефектов в алюминии методом функцонала электронной плотности//Московский инженерно-физический институт.
11. Немошкаленко Физика твердого тела. Зонная теория металлов. Киев: Науковадумка, 1985.-408 с.
12. Mikhin A.G., Diego N. D. Interionic potential model for the Al-Li system. Philosophical Magazine A, 1999, Vol. 79, No. 5, 1233-1246.
13.Turner D.E.,Zhu Z.Z., Chan C.T. and Ho K.M. Energetics of vacancy and substitutional impurities in aluminum bulk and clusters. 1997, Phys. Rev. B, 55.
14. Артемов М.И., Беховская К.С., Матюта А.А., Сидоров А.А/ Расчет распределения электронной плотности и потенциала в алмазе по рентгенографическим данным/Сборник студенческих научных работ . Вып. 7 – Брянск: РИО БГУ, 2008.-с. 127-132.
15. В.А. Бушуев, Р.Н. Кузьмин. Неупругое рассеяние рентгеновского и синхротронного излучения в кристаллах, когерентные эффекты в неупругом рассеянии. Журнал «Успехи физических наук». М.: Наука, том 122, вып. 1(500), 1977.
16. Яворский Б.М., Пинский А.А. Основы физики. Т. II. – М.: Наука, 1981.
17. W.C. Phillips, R. J. Weiss, ibid. 171, 790, 1968
18. Вейсс В. Физика твердого тела. – М.: Атомиздат, 1968
19. М.А. Блохин. Методы рентгеноспектральных исследований. –М.:Физматгиз, 1959 г.
20. Бахтияров А.В., Чернобережская С.А. Аппаратура и методы рентгеновского анализа. –М.: Машиностроение, 1972, вып. 11, с. 200.
21. Сидоров А.А., Бавкунов М.А., Исследование неупругого рентгеновского излучения на дифрактометре ДРОН-3, ВНКСФ 12. Новосибирск 2006, с.86-87
22. Малофеев С.Е./ Комптоновские профили кремния и германия на рентгеновском дифрактометре ДРОН - 3: дис. На соискание степени магистра/ С.Е. Малофеев. – Брянск, 2001. – 75 с
23. Горелик С.С. Рентгеновский и электроннооптический анализ. – М.: Наука,1987. – 870 с.
24. Б.Ф. Ормонт/ Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. – М.: Высшая школа,1982 г.
25. Куликов Е.Т., Штауберг И.Ф. Определение содержания молибдена в вольфрамовом покрытии локальным рентгенофлуоресцентным методом /Аппаратура и методы рентгеновского анализа: выпуск 21. – Л.: Машиностроение, -1978. с. 20.
26. Linder P. Theoretical Momentum Densities. // Physica Scripta. Vol. 15, 112-118, 1977.
27. Уманский Я.С. Рентгенография металлов. – М.: Металлургия, 1967. – 235с.
28. М.А. Блохин, И.Г. Швейцер/ Рентгеноспектральный справочник. – М.: Наука,1982. - 376 с.
29. Кульченков Е.А./ Структурный множитель и атомно-рассеивающий фактор кремния: дис. На соискание степени магистра/ Е.А. Кульченков. – Брянск, 2001. – 76 с
30. Г.С. Жданов. Основы рентгеновского структурного анализа. – М.:Гостехиздат, 1958 г.
31. Ковальский А.Е., Пивоваров Л.Х. Кристаллография, 1960, с. 280.
32. Л.И. Миркин/ Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. – М.: Физматгиз, 1961г.
33. Я.С. Уманский. Рентгенография металлов. – М.: Металлургия,
1967 г.
34. Г.Б. Бокий. Кристаллохимия, второе издание. – М.: МГУ, 1960 г.
35. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. – М.: Наука, 1978. – 792 с.
36. Векилов Ю.Х. Межатомное взаимодействие и электронная структура твердых тел// Соровский образовательный журнал, №11, 1996 г.
37. Кацнельсон А.А., Кринчик Г.С. Структура твердого тела и магнитные явления. – М.: МГУ, 1982 г.