Халькогеніди свинцю і сполуки на їх основі (стр. 4 из 7)

Рис. 3.1. Область гомогенності PbS [2]

Температурну залежність ефективної маси густини станів для електронів і легких дірок визначали за формулою

(3.6)

де

; g_c = g_v = 4

Вважали, що ефективна маса важких дірок не залежить від температури.

Значення параметрів, які використовувались при розрахунках наведені в таблиці 3.2.

Константу рівноваги реакції збудження власної провідності одержимо з виразу

Ki = NcNv×exp(–Eg/kT).

(3.7)

де E_g - ширина забороненої зони.

Таблиця 3.3

Константи рівноваги К = К₀ exp (–DH/kT) утворення атомних дефектів у халькогенідах свинцю PbS

№ п/п

Ka

Kb

Ki

KF

При-мітка

K0, см-3

DH, еВ

K0, см-3

DH, еВ

K0, см-6

DH, еВ

K0, см-6

DH, еВ

K0, см-6,Па-1/2

DH, еВ

PbS

1

1,4×1021

0,14

1,4×1021

0,14

4,8×1041

1,0

2,1×1042

2,5

1,5×1016

0,50

[6]

2

1,5×1020

0,12

1,5×1020

0,12

2,3×1040

0,83

5,8×1040

1,80

4,3×1016

0,20

*

*) – легкі дірки;

**) – важкі дірки.

На відміну від більшості напівпровідників в халькогенідів свинцю ширина забороненої зони в області низьких температур лінійно зростає, а при температурах вищих 500 К лінійність температурної залежності порушується і ширина забороненої зони прямує до сталого значення (таблиця 3.2).

Отримавши таким чином константи K_a, K_b, K_i, значення констант К_F,

знайшли апроксимуючи експериментальні залежності границь області гомогенності від температури (рис. 3.1) виразами (3.1). Результати оцінки наведені в таблиці 3.3.

4. Залежність властивостей плівок

від термодинамічних

параметрів

Модель

Таблиця 4.1.

№	Реакція	Константа рівноваги
I
II
III
IV
V
VI

(4.1)

(4.2)