— — —, классический и квантовый критерии 340, 351
— — слабое 93, 94, 95, 337, 338, 341, 347 Маджи — Риги — Ледюка эффект 100
Максвелла — Больцмана распределение 35, 227, 239, 328, 347
— закон распределения для скоростей 15
Масса эффективная 24, 27, 35, 42, 120, 212, 213, 214, 277, 331, 392, 427 Мелкие уровни 120
Металлическая связь 144, 147
Металлы 13, 16, 18, 58—62, 78, 176, 237, 242, 298
—, схема валентной зоны 16
— щелочно-земельные 17, 238
— щелочные 16, 34, 199, 237
Миллеровские индексы 163
Модуль .сжимаемости 49
Невырожденное состояние электронного газа 30, 31, 35, 44, 77, 81, 227, 277
Неопределенностей соотношения Гейзенберга 124, 162 Неопределенности принцип 123—128, 175, 249 Непрерывности уравнение 378—379, 389
Нернста — Этингсгаузена эффекты 98—100, 356—358, 423
Обратная решетка 158, 203, 205, 210
— —, вектор 161, 200, 203, 321, 322
— —, — базисный 162
Обратное пространство 159, 161, 162, 198, 210
— —, основная (или приведенная) область 160, 161
— —, элементарная ячейка 160
Обращенный диод 364, 397
Объемный заряд 62, 64
Одноэлектронное приближение 194—198, 209 Паули принцип 13, 56, 126, 175, 196, 199
Пельтье явление 63, 75, 76, 79, 292, 293, 300, 303
— коэффициент 76, 81, 82, 303
— теплота 80
Переноса явления 244—292, 413 — —, феноменологический анализ 270—271 Переход p-i-n 393—396
— электронно-дырочный 70, 71, 280, 362, 363, 366, 378—399, 423, 437, 440
— — на границе полупроводник — металл 65, 66
— — толстый, тонкий 72, 392—396
Переходы (носителей) — см. также «рекомбинация»
— безызлучательные 104, 194
—«вертикальные» 256, 405
— межзонные (прямые) 107, 108, 404—407, 435
—«непрямые» 406, 407, 435, 436
— при столкновениях горизонтальные, вертикальные 313—314
Пи-подход (в теории термоэлектричества) 294, 302
Писаренко формула 82
Плотность состояний (электронных) 28, 32, 33, 42, 227— 229, 308, 339, 382, 417, 418
Поглощение (излучения, света) 107, 400—409
— отрицательное 431, 432
— примесное 107, 108, 110
— свободными носителями 106, 112, 402—404, 435
— собственное (фундаментальное) 107, 109, 409
— —, красная граница 410
—, спектр 107, 408
—.спектральное распределение 409
— экситонное 111, 407—410 Подвижность ионов 173, 174
Подвижность носителей тока 19, 36, 245, 256, 257, 260, 403, 410
— — —, температурная зависимость 19, 256, 261
— — —, экспериментальное определение 88, 97, 356
— —, зависимость от электрического поля 279—284
Полупроводники 13, 18
— вырожденные (см. также вырождение) 35, 89, 227, 357, 407
— ковалентные 41, 89
— невырожденные 40, 41, 92, 237, 418
— примесные 20, 31
— — дырочные 23, 24, 36, 232
— —электронные 21, 31,35, 232
— с атомной решеткой 96, 98
— с ионной решеткой 41, 89, 96, 97
— собственные 20, 32
Полярон 192—194, 249
Потенциал ионизации (ионизационный) 11, 55, 56, 145—147, 166
— решетки периодический— 195—198, 200—206, 210, 214, 412
— химический (см. также уровень Ферми) 222, 223
— — приведенный 226, 241, 304
— —, уровень 33, 35, 57, 58, 71, 78, 80, 166, 227, 241, 294, 309, 381, 396, 431
— электростатический 157, 222
Поток тепла 46, 98, 245, 318, 321, 326, 355
—энергии 245, 270, 329
Преломления показатель (коэффициент) 112, 400, 401
Приближение почти свободных электронов 198—206
— сильно связанных электронов 206—209
Прилипание (см. также ловушки) 414
—, уровень 105
Прицельное расстояние 248, 258
Проводимость ионная 171— 175
Процессы нормальные («N» при фонон-фононных взаимодействиях) 321, 323, 326
— переброса (umclapp) 321— 324, 326
Работа выхода 55—58, 62, 64, 70, 78, 373
Распределение фононов — см. Бозе
— — неравновесное 322, 323, 325, 329
— электронов по волновым векторам 266
— — — — —, неравновесная добавка 269—270, 296
— — — — —, — функция 266, 270, 315
— — — скоростям 262, 263, 344 — — — —, изменение под
действием градиента температуры 313, 314
— — — —, — — — электрического поля 262, 263, 312, 313, 344
— — — —, неравновесное 263—265, 312, 313, 345
Рассеяние фононов 319
— — на фононах 319, 321, 324
— электронов 39
— — межзонное 310
— — на дефектах решетки 39, 245, 247, 314
— —на тепловых колебаниях решетки 40, 54, 81, 89, 261. 263, 274—278, 281, 282, 316
— — примесное 40, 81, 89, 97, 248, 251, 258, 261, 263, 271—274, 277, 281, 282, 394 Рекомбинация 18, 45, 72, 74, 101, 104, 363,378,392,397, 413—421, 426
— безызлучательная 104
—, вероятность 102, 106
— излучательная 104
— квадратичная 414
— линейная 414
— поверхностная 72, 409,424, 426,
— прямая (межзонная) 101, 104. 105
— ударная 106
— через центры 101, 104, 105. 416
— экситона 112
Риги — Ледюка эффект 98, 355—356 Симметрия кристалла 198
— трансляционная 111, 157, 158, 192, 193, 198, 209—211 Скорость дрейфа электронов 37, 38, 69
— теплового движения электронов 37, 39, 40, 78 — — — — средняя 43, 68, 254, 279
Скрещенные электрическое и магнитное поля 334, 335
Слой объемного заряда 63, 71, 383
— — — на контакте металл — полупроводник 64
— — —, толщина 380
Столкновение 248—251
Столкновения, вероятность 219, 246
— межэлектронные, неупругие, упругие, почти упругие 251, 252, 254—258, 268, 269,283, 284, 314—316
Столкновения фононов с дефектами, с фононами 54, 219, 320
— — — —, 2-3-и 4-фононные 320
—, частота 219, 246
— электронов сфононами 54, 251, 253, 254, 258
Тепловое возбуждение электрона 15, 20
— — —, частота следования 15, 18
Теплоемкость решетки 43, 49, 50, 52, 184—189, 317 — фотонная 329
— электронного газа 44, 311
Теплопроводность 244, 256, 270, 271
— решеточная 14, 43, 46— 49, 219, 317—329, 351
— фотонная 311, 329—330
— электронная 43—44, 46, 257,264,311—316, 351, 356
— —, отношение к электропроводности 44, 45
Термомагнитные коэффициенты 257, 270
Термомагнитные явления 83, 85, 98—100, 244, 331, 334, 355—357 Термоэлектрические явления 75, 76, 78, 82, 100,244, 264 292—311,315, 351,422— 423
Томсона коэффициент 77
— соотношения 76—77
— теплота 77
— явление 75, 77, 79
Туннельный диод 165, 280, 286, 364, 396—399
— эффект 11, 59, 62, 66, 193, 285, 363, 368, 373, 392, 396
Увлечение электронов фононами 299—304
Уровень (энергетический) см. энергетический
Уровень Ферми (см. также потенциал химический) 33, 34, 59, 71, 80, 81, 105, 433
— — в невырожденном полупроводнике 82, 229—232, 234
— — в невырожденном полупроводнике, температурная зависимость 35, 36,232, 233
— —, температурная зависимость 35, 36 Фазовая скорость 177, 179, 180, 253
Фазовое пространство 265—267, 328
Ферми — Дирака статистика 199, 431
— интегралы 241, 243, 299
— поверхность 314, 339, 342
— распределение 32—34, 224—226, 328, 417, 431
Фонона энергия 53, 104, 118, 253—255
Фононы 49, 54, 104, 118, 186, 187, 255, 299—303, 317, 318, 324, 405—407 —, групповая скорость 317
Фотовольтаические эффекты 421—426
Фотодиод 425, 426
Фотоионизация 384
Фотоноситель 100, 413, 421
Фотопроводимость 100—103, 108, 409—421
— примесная, собственная 410—412
— стационарная 103
Фоточувствительность 107, 109, 110, 409, 410
Фото-э. д. с. 421
Фотоэффект 100, 109
— вентильный 423—426
—, квантовый выход 423
—, красная граница 410
— примесный 409
—«собственный» 409
Фундаментальное поглощение, см. поглощение Химическая связь 143—147
Холла постоянная 87—91, 347, 349—352
— э. д. с. 90, 341, 349
— эффект 86, 92, 341—352, 356
Холловское поле 87, 90, 91, 346, 351, 354
Центр рекомбинации примесный 101, 105, 110
Цепочка двухатомная 180—182
Циклотронный резонанс 334, 426—430
Шокли — Рида статистика рекомбинации 416—421 Шредингера уравнение 128—134, 190, 274
— — для нестационарных процессов 131—138
— — для электронов в адиабатическом приближении 192
— — — — в одноэлектронном приближении 195
— — невозмущенное 135
Эйнштейна соотношение 69, 174, 370
Экситоны 106, 111,196,407— 409
Экстракция 75
Электрическое поле сильное 278-291, 362
Электронный газ, вырожденное состояние 30—32, 34, 237—239, 256, 262, 406, 407, 435
— —, невырожденное состояние 30, 31, 35, 44, 77, 81, 227, 238, 239, 256, 262, 299 — — невырожденный, статистика (для полупроводников) 226—231 — —, плотность 36
Электронный газ, сохранение теплового равновесия с кристаллом 257
Электрон-фононное взаимодействие 255
Электрохимический потенциал 79, 224, 293 Элементарная ячейка — см. ячейка
Эллипсоид энергии 216
Энергетический уровень захвата 416
— — электрона в кристалле 236
Энергетический спектр электронов в кристалле 10—13, 20, 209, 236, 244, 249
Энергия активации 11, 19, 27, 31, 172, 339, 341, 407
— —оптическая 410, 412,413
— — примесных электронов 22, 35, 120, 166, 233, 287, 368, 373
— — термическая 410, 412, 413
— тепловых колебаний атомов кинетическая средняя 49, 52
— — — — потенциальная средняя 50
— электронов в направленном потоке средняя 40, 80, 81, 293
— — тепловая (кинетическая) средняя 40, 242—243
Эттингсгаузена эффект 91, 92, 349—351
Ячейка (решетки кристаллической) элементарная 111, 152—155, 157, 160, 183