Развитая модель формирования атмосфер и геттерирования примесных атомов дипольного типа вблизи сферического преципитата показывает, что в условиях формирования комплексов примесный атом — точечный дефект кислородные преципитаты могут служить центрами конденсации примесных атомов. Если на поверхности преципитата происходит распад комплекса, при котором на ней осаждается атом примеси, то для поддержания равновесного значения концентрации потребуется диффузионно-дрейфовый подвод новых комплексов. Таким образом, в условиях- образования подвижных комплексов примесный атом—точечный дефект вдали от преципитата и их распада вблизи его развитая модель дает объяснение механизма геттерирования, который не имеет ограничения по пересыщению и служит «дрейфовым насосом», обеспечивающим уменьшение концентрации примеси в объеме кристалла.
Анализ результатов расчетов позволяет выделить следующие моменты, определяющие свойства процессов ВГ.
-эффективность геттерирования является функцией температуры, причем существует оптимальная температура для максимальной эффективности этого механизма геттерирования;
-геттер (преципитатSiO2) действует не только как сток для примесей, но и как источник междоузлий Si, которые активируют процесс ВГ;
-собственные междоузлия кремния, инжектируемые растущим преципитатом в объем кристалла, взаимодействуют с геттерируемыми атомами, и напряжения влияют на увеличение дрейфового потока.