На протяжении всех этапов изготовления кристаллов полупроводниковых ИМС очистку полупроводниковых пластин проводят многократно - после механической обработки пластин и перед основными операциями формирования структур: окислением, эпитаксиальным наращиванием, диффузией, металлизацией, фотолитографией (и после нее), защитой.
5. Заключение.
В заключении своего реферата приведу пример типового процесса обработки пластин кремния перед термическим окислением, который включает следующие операции:
1) обезжиривание в горячем (75-80°С) перекисно-аммиачном растворе;
2) промывание в проточной деионизованной воде (удаление продуктов реакции предыдущей обработки);
3) обработка в горячей (90-100°С) концентрированной азотной кислоте (удаление ионов металлов);
4) промывание в проточной деионизованной воде (удаление остатков кислот);
5) гидродинамическая обработка пластин бельичими кистями в струе деионизованной воды;
6) сушка пластин с помощью центрифуги в струе очищенного сухого воздуха;
7) травление в растворе фтористоводородной кислоты (снятие поверхностного слоя и удаление загрязнений).
6. Список литературы.
1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Учебное пособие для ВУЗов. М., "Высшая школа", 1986.
2. Зи Ф.М. Технология СБИС. М., "Мир", 1986.