Комплект технологической документации по оптической контактной литографии (стр. 5 из 8)
Механизм подготовки совмещения - калибратор рис 10, предназначен для параллельного выравнивания поверхностей подложки и фотошаблона (удаления ˝клина˝) и установления между ними микрозазора. Эти операции необходимы для качественного выполнения совмещения и экспонирования. При уменьшении микрозазора и появление ˝клина˝ возрастает вероятность контакта фотошаблона с подложкой в отдельных зонах, что приводит к износу фотошаблона, и повреждению фоторезиста на подложке. Выравнивания поверхности подложки ведем не по всей поверхности, а лишь по периферийной части. Для этого между подложкой 7 и фотошаблоном 2 вводят калибратор 3, который имеет выступающую отбортовку по краям, выступающий край калибратора защищает рабочую часть фотошаблона и фоторезиста от повреждений. Затем запуская поочередно электродвигатели 9, добиваемся одинакового усилия давления каждого из поршней 8 на площадку 4, что означает полное прилегание подложки 7 к калибратору 3 и калибратора фотошаблону 2.
Рис. 10 Принципиальная схема калибратора установки OSTEC EVG620
Установка и снятие калибратора осуществляется кривошипно-шатунным механизмом 5 при помощи тяги 6. трех опорная система обеспечивает надежную фиксацию подложкодержателя, исключая его разворот.
Блок экспонирования контактного типа рис 11 в качестве источника используется ртутно-кварцевая лампа 1, излучение которой рефлектором 2
Рис. 11 Принципиальная схема блок экспонирования установки OSTEC EVG620
направляется на зеркало 3 и далее в блок линзовых растров 4. Зеркало 5 направляет расходящиеся пучки излучения на конденсор 7, преобразующий его в параллельный (в пределах угла коллимации) поток актиничного излучения, который падает на фотошаблон 8. Фотоприемник 6 служит для контроля дозы экспонирующего излучения
Установка нанесения, проявления и снятия фоторезиста OSTEC EVG®101 представлена на рис. 12. Качество нанесения фоторезиста влияет на качество выходящего продукта в целом и является основополагающим. Одними из главных характеристик данной установки являются: защита от пыли рабочей зоны и точность соблюдения скорости вращения центрифуги. Схема установки OSTEC EVG®101 в общем виде представлена на рис. 13 a внешняя камера аппарата снабжена раструбами воздушной завесы 1, также для удаления пыли, которая может слететь с оператора, установлен раструб воздушной завесы 7. Что обеспечивает минимальное количество включений в сыром фоторезисте.
Рис. 13 Принципиальная схема установки нанесения и проявления фоторезиста OSTEC EVG®101
Для облегчения установки подложек из кассеты на подставку 6 установлен ручной вакуумный захват 2. После установки на подставку рис. 13-d подложка ориентируется под транспортер с при помощи упора 16 и двух роликов, 18 без привода и 17 с электроприводом. Затем рука 5 транспортера рис. 13-с, накрывает подложку вакуумным захватом 8 подключенного к шлангу вакуума 14. Вращаясь на шарнире 15, рука транспортера устанавливает подложку в центрифугу 3 на рабочий стол 9 рис. 13-b. После закрытия крышки 4 трубка подачи фоторезиста 11 поворачивается электроприводом 12 в рабочее положение (жиклером 10 над центром подложки). Центрифуга 3 подробно изображена на рис. 14.
Рис. 14 Принципиальная схема центрифуги установки OSTEC EVG®101
Рабочий стол центрифуги 9 приводится в движение полым валом 26 по средствам электродвигателя 21 через ременную передачу 20. Электродвигатель постоянного тока обеспечивает резкий старт и точный контроль числа оборотов, что важно для хорошего распределения фоторезиста и соблюдения необходимой толщины. Подача вакуума идет через отстойник 29 и штуцер 25, герметичность обеспечивает сальник 27, пробка 28 позволяет сливать попавшие в отстойник жидкости из камеры центрифугирования. Подача фоторезиста на подложку 22 осуществляется через штуцер 19 по трубке 11 в жиклер 10. Обработка подложки едкими составами (проявитель и смыватель) осуществляется через форсунку 13 рис. 13-b подключаемую через штуцер 23. Также аппарат может использоваться для промывки составами низкой активности и сушки центрифугированием. Слив отработанных жидкостей осуществляется через дренажное отверстие 24 в камере центрифугирования 3.
Сушильный аппарат рассмотренный на рис. 15, предназначен для предварительного прогрева, и сушки подложек. Максимальная температура разогрева подложек 150 0С точность удержания ее +/-10C на 1000C. Преимуществами данного аппарата являются: простота конструкции, компактные размеры, низкое (350 Вт.) энергопотребление.
Подложку устанавливаем на крышку 1 рис. 16, с отверстиями вакуумного зажима 2, крышка 1 на шарнирах 5, для загрузки откидывается на угол 1800. СВЧ генератор 7 на базе магнетрона передает излучение по волноводу 6 в рупорную антенну 3 с корректирующей диэлектрической линзой (она применяется для создания плоского фронта СВЧ волн). Закрываем крышку 1 и подложка оказывается над рупорной антенной 3 отделенной от нее защитным экраном 4
Рис. 16 Принципиальная схема сушильной установки Sawatec HP 150
Магнетрон рис. 17 состоит из анодного блока 1, который представляет собой, металлический толстостенный цилиндр с прорезанными в стенках полостями, выполняющих роль объёмных резонаторов 2. Резонаторы образуют кольцевую колебательную систему. Соосно анодному блоку закрепляется цилиндрический катод 3. Внутри катода закреплён подогреватель. Магнитное поле, параллельное оси прибора, создается внешними электромагнитом. Для вывода СВЧ энергии 5 используется, проволочная петля 6, закреплённая в отверстие из резонатора наружу цилиндра. Так как в магнетроне с одинаковыми резонаторами разность частот получается недостаточной, её увеличивают введением связок 4 в виде
Рис.17 Принципиальная схема магнетрона.
металлических колец, одно из которых соединяет все чётные, а другое все нечётные ламели 7 анодного блока.
Микроскоп Nikon Eclipse L200A рис. 18 это идеальный инструмент для полуавтоматической инспекции полупроводниковых пластин в светлом и темном поле, диаметром до 200мм и интегральных микросхем в отраженном свете на наличие дефектов.
Для темнопольнои микроскопии пользуются обычными объективами и специальными темнопольными конденсорами. Основная особенность темнопольных конденсоров заключается в том, что центральная часть у них затемнена и прямые лучи от осветителя в объектив микроскопа не попадают. Объект освещается косыми боковыми лучами и в объектив микроскопа попадают только лучи, рассеянные частицами. Чтобы в объектив не попадали прямые лучи от осветителя, апертура объектива должна быть меньше, чем апертура конденсора. Для уменьшения апертуры в обычный объектив помещают диафрагму или пользуются специальными объективами, снабженными ирисовой диафрагмой.
При темнопольной микроскопии частицы выглядят ярко светящимися на черном фоне. При этом способе микроскопии могут быть обнаружены мельчайшие частицы, размеры которых лежат за пределами разрешающей способности микроскопа. Однако темнопольная микроскопия позволяет увидеть только контуры объекта, но не дает возможности изучить внутреннюю структуру. Для темнопольной микроскопии применяют более мощные осветители и максимальный накал лампы.
Часто повторяющиеся операции такие как: смена методов контрастирования и объективов, управление апертурой, фокусировка и регулировка интенсивности освещения выполнены на передней панели рис. 19, моторизированы и могут управляться с панели управления рис. 20. Моторизация и внешняя панель управления, обеспечивает быстрое и простое управление микроскопом не отрывая глаз от объекта исследования. При этом фактически отсутствует необходимость каких либо ручных манипуляций над образцом, что предотвращает его загрязнение по вине оператора. Элементы микроскопа покрытые составом, обеспечивающим электростатическое разряжение, для предотвращения электростатических разрядов, и адгезии посторонних частиц к микроскопу, что минимизируют вероятность загрязнения объекта исследования, увеличивая производительность.
Оптимальные условия наблюдения могут быть сохранены отдельно для каждого объектива и восстановлены лишь простой сменой увеличения.
Такая возможность обеспечивает полную воспроизводимость результатов исследования, а так же существенно ускоряет работу с микроскопом. Процесс инспекции может меняться в зависимости от типа подложки и предпочтений пользователя. Поэтому возможность программирования исключает рутинный процесс подстройки. Чтобы начать работу, нужно лишь выбрать сохраненный файл с именем оператора, и применить предустановки в зависимости от метода контрастирования, увеличения объектива, объекта исследования, фокусировки, позиции столика, апертуры и интенсивности света.