Определение параметров p-n перехода (стр. 2 из 2)
д) удельные электропроводности p- и n- областей
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок
ж) диффузионные длины электронов и дырок
4. Расчет параметров p-n перехода
a) величина равновесного потенциального барьера
б) контактная разность потенциалов
в) ширина ОПЗ (переход несимметричный  -  ) | ||
 г) барьерная ёмкость при нулевом смещении  д) тепловой обратный ток перехода   | ||
 е) график ВФХ  | ||
| – общий вид функции для построения ВФХ | ||
ж) график ВАХ  | ||
 | – общий вид функции для построения ВАХ | |
 Ветвь обратного теплового тока (масштаб) | ||
 Ветвь прямого тока (масштаб) | ||
Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам: - величина равновесного потенциального барьера (  ) равна  , что соответствует условию >0,7эВ | ||
- барьерная емкость при нулевом смещении (  ) равна 1,0112пФ т.е. соответствует заданному ( 1пФ ) | ||
- значение обратного теплового тока (  ) равно 1,92×10-16А т.е. много меньше заданного ( 0,1мкА ) | ||
| Литература:1. Шадский В. А. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники»2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу «ФОМ». Москва, 1996 г.3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. Москва, «Советское радио», 1971 г. | ||