Смекни!
smekni.com

Определение параметров p-n перехода (стр. 1 из 2)

«МАТИ»-РГТУ

им. К. Э. Циолковского

тема: «Определение параметров p-n перехода»

Кафедра: "Xxxxxxxxxxxxxxxxxxxx

xxxxxxxxxxxxxxxx"

Курсовая работа

студент ХxxxxxxxX. X.группа XX-X-XX
дата сдачи
оценка

г. Москва 2001 год

Оглавление:

1. Исходные данные 3
2. Анализ исходных данных 3
3. Расчет физических параметров p- и n- областей 3
а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны 3
б) собственная концентрация 3
в) положение уровня Ферми 3
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда 4
д) удельные электропроводности p- и n- областей 4
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок 4
ж) диффузионные длины электронов и дырок 4
4. Расчет параметров p-nперехода 4
a) величина равновесного потенциального барьера 4
б) контактная разность потенциалов 4
в) ширина ОПЗ 5
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении 5
д) тепловой обратный ток перехода 5
е) график ВФХ 5
ж) график ВАХ 6, 7
5. Вывод 7
6. Литература 8
1. Исходные данные
1) материал полупроводника – GaAs2) тип p-nпереход – резкий и несимметричный3) тепловой обратный ток (
) – 0,1мкА4) барьерная ёмкость (
) – 1пФ5) площадь поперечного сечения ( S) – 1мм2
6) физические свойства полупроводника
Ширина запрещенной зоны, эВ Подвижность при 300К, м2×с Эффективная масса Время жизни носителей заряда, с Относительная диэлектрическая проницаемость
электронов Дырок электрона mn/me дырки mp/me
1,42-8 0,85-8 0,04-8 0,067-8 0,082-8 10-8 13,1-8
2. Анализ исходных данных
1. Материал легирующих примесей: а) S (сера) элемент VIA группы (не Me) б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me) 2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -33. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована)4.
– ширина запрещенной зоны5.
,
– подвижность электронов и дырок 6.
,
– эффективная масса электрона и дырки7.
– время жизни носителей заряда
8.
– относительная диэлектрическая проницаемость
3. Расчет физических параметров p- и n- областей
а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны
б) собственная концентрация
в) положение уровня Ферми
(рис. 1)
(рис. 2)
(рис. 1) (рис. 2)

г) концентрации основных и неосновных носителей заряда