Смекни!
smekni.com

Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании (стр. 2 из 6)

5 Геометрия подвергаемого зонной плавке слитка (длина и поперечное сечение) в ходе процесса остаются постоянными, плотности твердой и жидкой фаз равны (rтв=rж=r).

6 Расплав и твердая фаза при зонной плавке не взаимодействуют с окружающей средой - атмосферой и контейнером. Другими словами, в системе нет летучих и диссоциирующих компонентов, отсутствует поглощение примесей расплавом из атмосферы, материал контейнера не растворяется в жидкой фазе.

Уравнения (1) и (2) справедливы только на участках слитка, на которых зона имеет две границы раздела фаз (постоянный объем). Когда в системе остается только кристаллизующаяся граница, распределение примеси представляется другим уравнением, соответствующим процессу нормальной направленной кристаллизации. Другими словами, если длина очищаемого слитка в длинах зон равна A= L/l, то уравнения (1) и (2) справедливы на длине a = (L - l)/l = A-1.

При a > A-1

, (3)

где g - доля закристаллизовавшегося расплава последнего участка.

Только при проведении процесса при условиях, когда удовлетворяются все требования, приведенные выше, реальное распределение примеси в слитке после зонной плавки будет соответствовать закону, представленному выражениями (1) и (2).

Анализ показывает, что в большинстве реально протекаемых процессов зонной очистки полупроводниковых материалов пфанновские допущения не реализуются. Вместе с тем, вывод уравнений (1) и(2) без них был бы невозможен, а менее жесткие допущения приводят к существенному усложнению получаемых выражений.

Наиболее жесткими являются условия 2 и 3.

Допущение 2 в данной формулировке может выполняться только при бесконечно малых скоростях кристаллизации (скорости движения зоны). В этом случае сравнительно быстрая (по сравнению с диффузией в твердой фазе) диффузия в жидкой фазе в состоянии постоянно выравнивать концентрации компонентов системы в объеме расплавленной зоны.

Использовании выражений (1) и (2) для представления распределения примеси при реальных скоростях кристаллизации приводит к необходимости изменить формулировку допущения 2. Выполнение условия постоянства концентрации компонентов по объему расплава возможно в данной ситуации только при реализации полного (идеального) перемешивания жидкой фазы. Предполагается, что в этом случае перераспределение компонентов и выравнивание состава в жидкой фазе происходит мгновенно - т. е. эффективный коэффициент диффузии в жидкой фазе Dж = ¥ .

Условие полного перемешивания на практике реализовать невозможно. Процессы массопереноса в расплавленной зоне при реальных скоростях кристаллизации и разумной интенсивности перемешивании всегда приводят к образованию диффузионного слоя на границе раздела фаз в области кристаллизации. Наличие слоя жидкости с концентрационным пиком, из которого и происходит кристаллизация, влияние его на условия разделения компонентов учитывается введением в выражения (1) и (2) эффективного коэффициента распределения kэфф вместо равновесного ko.

Равновесный коэффициент сегрегации связан с эффективным соотношением Бартона-Прима-Слихтера:

(4)

где Vкр - скорость перемещения расплавленной зоны (скорость кристаллизации);

d - толщина диффузионного слоя;

Dж- коэффициент диффузии примеси в жидкой фазе.

Эта замена является лишь более или менее удачным приближением к реальной ситуации, и не соответствует требованию условия постоянства концентрации.

Распределение примеси после зонной плавки для реальных процессов описывается выражением

(5)

Данное выражение позволяет анализировать влияние на сегрегационные процессы скорости перемещения зоны и условий перемешивания жидкой фазы.

Условие 3 справедливо только для сильно разбавленных растворов, т.е. при малых концентрациях примеси в системе. Кроме того, условие малости концентрации должно соблюдаться на протяжении всего процесса зонной плавки. Для того, чтобы допущение 3 оказалось состоятельным, требуется использовать при кристаллизационной очистке исходные материалы прошедшие предварительную очистку.

1.2 Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)

1.2.1 Расчет распределения Si-Ga.

Рассчитаем распределение галия в слитке кремния для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.N0=0.02% (массовых). Длина зоны lсоставляет 10% от длины слитка L. Испарением примеси при переплавке пренебречь.

Распределение сурьмы вдоль слитка определяется уравнением (5) на длине слитка a = (L - l)/l = A-1, т.е. при 0 £ a £ 9.

При a > 9распределение примеси представляется уравнением (3). Доля закристаллизовавшегося расплава g на этом участке изменяется от нуля до величины, близкой к единице. Для g = 1 уравнение (3) не имеет смысла.

Прежде чем приступить к расчету переведемN0 из % (массовых) в % (атомные), а затем в см-3. Для этого воспользуемся формулой перевода.

(6)

где А1, А2­­–атомные массы компонентов;

N2–второй компонент смеси.

Атомная масса–для галлия = 69,72 [3]

–для кремния = 28,08 [3]

Концентрация собственных атомов в кристаллической решетке кремния Nсоб=5×1022см-3. Следовательно, исходная концентрация галлия в слитке:N0=8,06×10-5×5×1022=4,03×1018см-3

Для расчета эффективного коэффициента сегрегации воспользуемся выражением (4). Для галлия в кремнии k0=8×10-3[1]. Отношение d/Dж=200 с/см из задания.

Подставляя значения k0, d/Dж, Vкрв (4), вычислим kэфф. Для этого Vкр переведем из мм/мин в см/с, получим Vкр=2,5×10-3; 8,33×10-3; 2,5×10-2см/с. Соответственно получим kэфф=1,3×10-2; 4,09×10-2; 0,545

· Заполняем расчетную таблицу, меняя с выбранным шагом расстояние от начала слитка в длинах зоныa (на участке зонной плавки). Последний участок слитка, на котором примесь распределяется в соответствии с уравнением (3), разбиваем, меняя расстояние от начала этого участка, пропорционально доле закристаллизовавшегося расплава g.

· Полученные результаты используются для построения графика распределения примеси Nтв вдоль слитка.При построении профиля, как правило, используют полулогарифмический масштаб, т.к. значения концентрации изменяются практически на три порядка.

· Определить распределение удельного сопротивления вдоль слитка можно либо расчетным методом, либо по кривым Ирвина.

Таблица 1 - Распределение галлия и удельного сопротивления вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной).

Участок зонной

плавки

Участок направленной

кристаллизации

а

Nтв,

см-3

r , Ом×см

(по кривым Ирвина)

g

(a=10)

Nтв,

см-3

r , Ом×см

(по кривым Ирвина)

Vкр=2,5×10-3см/с
0 5,24 1016 0,42 0 4,92 1017 0,098
1 1,04 1017 0,28 0,2 6,13 1017 0,085
2 1,54 1017 0,21 0,4 8,15 1017 0,071
3 2,04 1017 0,18 0,6 1,22 1018 0,06
4 2,54 1017 0,15 0,8 2,41 1018 0,032
5 3,03 1017 0,14 0,9 4,77 1018 0,02
6 3,51 1017 0,13 0,99 4,63 1019 0,0028
7 3,98 1017 0,11
8 4,45 1017 0,1
9 4,92 1017 0,098
Vкр=8,33×10-3 см/с
0 1,6 1017 0,2 0 1,35 1018 0,05
1 3,2 1017 0,135 0,2 1,67 1018 0,048
2 4,68 1017 0,098 0,4 2,2 1018 0,036
3 6,11 1017 0,085 0,6 3,25 1018 0,028
4 7,48 1017 0,075 0,8 6,32 1018 0,017
6 1,0 1018 0,061 0,9 1,23 1019 0,009
7 1,13 1018 0,055 0,99 1,12 1020 0,0011
8 1,24 1018 0,051
9 1,35 1018 0,05
Vкр=2,5×10-2 см/с
0 2,2 1018 0,036 0 4,02 1018 0,0215
1 2,97 1018 0,029 0,2 4,45 1018 0,021
2 3,41 1018 0,025 0,4 5,07 1018 0,019
3 3,67 1018 0,023 0,6 6,1 1018 0,017
4 3,82 1018 0,0225 0,8 8,36 1018 0,0125
6 3,96 1018 0,0222 0,9 1,15 1019 0,01
7 3,98 1018 0,022 0,99 3,27 1019 0,0037
8 4,01 1018 0,0215
9 4,02 1018 0,0215

1.2.2 Расчет распределенияSi-P.